技术特征：
技术总结
本发明提供了一种择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料的制备方法，包括以下步骤：以Bi、Sb和Te单质粉末为原料，按BixSb2‑xTe3化学计量比称取配料，将上述原料装入石英玻璃管或高硼硅玻璃管抽真空密封，再将密封的石英玻璃管或高硼硅玻璃管放入摇摆炉内进行充分熔炼，熔炼结束之后，将摇摆炉炉膛旋转至竖直位置，冷却后制得p型碲化铋基合金晶棒；将制得的p型碲化铋基合金晶棒切割成块体，将块体装入等通道转角挤压模具后置于热压烧结炉中进行烧结挤压，即得择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料。本发明所制备的p型碲化铋基多晶块体热电材料电阻率较低、塞贝克系数较高、热导率低，在343K能够得到最大ZT值1.55。
技术研发人员：樊希安;胡晓明;罗自贵;罗凡
受保护的技术使用者：武汉科技大学
技术研发日：2019.04.22
技术公布日：2019.08.06