技术特征：
技术总结
本发明公开了一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜及其制备方法、应用，原料为含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物，由所述原料与溶剂混合固化后，经硒化处理所得。本发明根据铜锑硫前驱体溶液的优点，制备出的薄膜元素可控，而且能够制备出带隙在一定范围内可控的铜锑硫薄膜；采用半密闭空间的双温区硒化技术，实现了Cu3Sb(S，Se)4薄膜的带隙可调。
技术研发人员：王威;刘广辉;郝凌云;林玲;刘季锦花;孙悦;谭琉佳
受保护的技术使用者：金陵科技学院
技术研发日：2019.05.23
技术公布日：2019.09.06