图像传感器的制作方法

本申请要求于2018年9月5日提交的第10-2018-0105718号韩国专利申请的优先权及由此产生的全部权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

本公开涉及一种图像传感器。

背景技术：

图像传感器是将光学图像转换成电信号的装置。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(ccd)型和互补金属氧化物半导体(cmos)型。cmos型图像传感器也可以被称为“cis”(cmos图像传感器)。cis可以包括多个二维布置的像素。每个像素可以包括光电二极管(pd)。光电二极管可以用作将入射光转换成电信号。

随着计算机和通信行业的发展，在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(pcs)、游戏装置、安全摄像头、医疗微型相机、机器人等的各种领域中对于具有增强的性能的图像传感器的需求已经增加。此外，高度集成的半导体装置会考虑到图像传感器的高度集成。

技术实现要素：

本公开的一些实施例通过确保设置在基底上的接触件与设置在基底内的通孔之间的未对准余量来提供具有增强的可靠性的图像传感器。

本公开的一些实施例通过随着设置在基底上的接触件的宽度增加而减小接触件与下电极之间的电阻来提供具有增强的可靠性的图像传感器。

本公开的一些实施例通过在使设置在基底上的接触件在设置在基底内的通孔内延伸时减小接触件与通孔之间的电阻来提供具有增强的可靠性的图像传感器。

根据本公开的示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，其内部设置有光电转换元件；第一通孔，穿透基底的第一表面并暴露基底的第一表面上的第一上表面，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，穿透第一绝缘膜至第三绝缘膜并延伸到第一通孔的第二上表面，包括设置在第一通孔内的第一部分、设置在第一绝缘膜中的第二部分、设置在第二绝缘膜中的第三部分和设置在第三绝缘膜中的第四部分。

根据本公开的示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，其内部设置有光电转换元件；通孔，穿透基底的第一表面并暴露基底的第一表面上的第一上表面，通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜和第二绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜并延伸到通孔的第二上表面，包括设置在通孔内的第一部分、设置在第一绝缘膜中的第二部分和设置在第二绝缘膜中的第三部分，其中，第一部分的侧壁的第一斜面轮廓不同于第二部分的侧壁的第二斜面轮廓。

根据本公开的示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，其内部设置有光电转换元件；通孔，穿透基底的第一表面并暴露基底的第一表面上的第一上表面，通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜和第二绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；滤色器，设置在第二绝缘膜内；以及接触件，穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜并延伸到通孔的第二上表面，包括设置在通孔内的第一部分、设置在第一绝缘膜中的第二部分、设置在第二绝缘膜中的第三部分和设置在第二绝缘膜上的第四部分，其中，第四部分的下表面的一部分与第二绝缘膜接触。

意图通过本公开来处理的目标不限于以上提到的那些，并且基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解以上未提到的其它目的。

附图说明

通过参照附图对本公开的示例实施例进行详细描述，本公开的以上和其它目标、特征和优点对于本领域普通技术人员来说将变得更明显，在附图中：

图1是根据一些示例实施例的图像传感器的框图；

图2是图1的传感器阵列的等效电路图；

图3是根据一些示例实施例的被提供以说明图像传感器的剖视图；

图4是放大图3的部分a的放大剖视图；

图5、图6、图8、图10以及图12至图15是示出根据一些示例实施例的被提供以说明用于制造图像传感器的方法的制造的中间阶段的视图；

图7是图6的部分b的放大视图；

图9是图8的部分c的放大视图；

图11是图10的部分d的放大视图；

图16是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图；

图17是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图；以及

图18是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照图1来描述根据一些示例实施例的图像传感器。

图1是根据一些示例实施例的图像传感器的框图。

参照图1，根据一些示例实施例的图像传感器包括有源像素传感器阵列10、时序产生器20、行解码器30、行驱动器40、相关双采样器(cds)50、模数转换器(adc)60、锁存器70和列解码器80，有源像素传感器阵列10由二维布置的包括光电转换元件的像素组成。

有源像素传感器阵列10包括多个二维布置的单元像素。多个单元像素可以执行将光学图像转换为电输出信号的功能。

有源像素传感器阵列10可以从行驱动器40接收包括行选择信号、复位信号、电荷转移信号等的多个驱动信号，并且可以相应地被驱动。此外，转换后的电输出信号可以通过信号线(例如，垂直信号线)提供给相关双采样器50。

时序产生器20可以向行解码器30和列解码器80提供时序信号和控制信号。

行驱动器40可以根据行解码器30处的解码结果向有源像素传感器阵列10提供用于驱动多个单元像素的多个驱动信号。当单元像素以矩阵形式布置时，可以将驱动信号提供给每一行。

相关双采样器50可以通过垂直信号线接收在有源像素传感器阵列10处生成的输出信号，并且可以保持并采样所接收的信号。即，相关双采样器50可以根据输出信号对特定噪声电平和信号电平进行双采样，并且输出与噪声电平和信号电平之差相对应的差值电平。

模数转换器60可以将对应于差值电平的模拟信号转换为数字信号，并且输出转换的结果。

锁存器70可以锁存数字信号，并且可以根据在列解码器80处解码的结果将锁存的信号顺序地输出到图像信号处理器。

在下文中，将参照图2来描述根据一些示例实施例的传感器阵列的等效电路图。

图2是图1的传感器阵列的等效电路图。

参照图2，像素p可以以矩阵形式布置，以构造或限定有源像素传感器阵列10。每个像素p包括光电转换元件11、浮置扩散区13、电荷转移元件15、驱动元件17、复位元件18和选择元件19。将参照第i行像素(p(i,j)、p(i,j+1)、p(i,j+2)、p(i,j+3)……)作为示例来描述这些功能。

光电转换元件11可以吸收入射光并且累积与光的量对应的电荷。对于光电转换元件11，尽管光电二极管在附图中作为示例示出，但是可以使用或应用光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎光电二极管或其组合。

光电转换元件11中的每个可以与电荷转移元件15中的每个结合，电荷转移元件15将累积的电荷转移到浮置扩散区13。

浮置扩散区(fd)13是电荷被转换成电压的区域，并且由于寄生电容，电荷可以被累积存储。

在此举例作为源极跟随放大器的驱动元件17可以使转移有每个光电转换元件11的累积电荷的浮置扩散区13中的电势的变化放大，并且将放大的结果输出到输出线vout。

复位元件18可以周期性地复位浮置扩散区13。复位元件18可以由一个mos晶体管组成，该mos晶体管通过由用于施加预定偏置(即，复位信号)的复位线rx(i)提供的偏置驱动。

当复位元件18通过由复位线rx(i)提供的偏置而导通时，提供到复位元件18的漏极的预定电势(例如，电源电压vdd)可以传输到浮置扩散区13。

选择元件19可以以行为单位执行选择待读取的像素p的功能。选择元件19可以由一个mos晶体管组成，该mos晶体管通过由行选择线sel(i)提供的偏置(即，行选择信号)来驱动。

当通过由行选择线sel(i)提供的偏置使选择元件19导通时，提供到选择元件19的漏极的预定电势(例如，电源电压vdd)可以传输到驱动元件17的漏极区。

用于向电荷转移元件15施加偏置的传输线tx(i)、用于向复位元件18施加偏置的复位线rx(i)以及用于向选择元件19施加偏置的行选择线sel(i)可以布置成在行方向上彼此基本平行地延伸。

在下文中，将参照图3和图4来描述根据一些示例实施例的图像传感器。

图3是示出根据一些示例实施例的图像传感器的剖视图。图4是图3的部分a的放大视图。

参照图3和图4，根据一些示例实施例的图像传感器包括光电转换元件(pd)、隔离膜(sti)、绝缘结构110、基底120、第一通孔130、第二通孔140、第一绝缘膜150、第二绝缘膜160、第三绝缘膜170、接触件180、滤色器190、下电极1010、第四绝缘膜1020、光转换层1030、上电极1040、第五绝缘膜1050、平坦化膜1060和微透镜1070。

基底120包括作为上表面的第一表面120a以及与第一表面120a相对的作为下表面的第二表面120b。

例如，基底120可以使用p型或n型体基底，或者可以使用在p型体基底上生长的p型或n型外延层，或者可以使用在n型体基底上生长的p型或n型外延层。此外，除了半导体基底之外的基底(诸如，有机塑料基底等)也可以用于基底120。光电转换元件(pd)(例如，光电二极管)可以设置在基底120内。

绝缘结构110可以设置在基底120的第二表面120b上。绝缘结构110可以包括布线层112和层间绝缘膜114，层间绝缘膜114被设置成包围布线层112。

层间绝缘膜114可以包括例如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)和氮氧化硅(sion)、低介电常数介电材料或它们的组合。

布线层112可以包括多条金属布线和使金属布线电连接的多个通孔。

例如，布线层112可以包括铝(al)、铜(cu)、钨(w)、钴(co)、钌(ru)等，但是本公开不限于此。

布线层112可以包括顺序堆叠的多条布线和使布线电连接的多个通孔。尽管在图3中示出了布线层112包括顺序堆叠的两个层，但这仅是为了便于说明，因此本公开不限于此。

第一通孔130可以设置成在第二方向y上穿透基底120的第一表面120a之后在基底120内延伸。第一通孔130的第一上表面130a可以暴露在基底120的第一表面120a上或邻近基底120的第一表面120a暴露。例如，如图3和图4中所示，第一通孔130的第一上表面130a与基底120的第一表面120a共面。如这里所使用的，在另一表面上或邻近另一表面“暴露”的元件或表面不要求在其上没有附加层。第一通孔130的第二上表面(即，与接触件180的延伸到第一通孔130的部分接触的表面)远离基底120的第一表面120a延伸。

第一通孔130可以包括第一通孔导电膜131和第一通孔阻挡膜132。

第一通孔阻挡膜132可以沿着由第一通孔130形成的沟槽(例如，延伸到基底120中的限定第一通孔130的边界的沟槽)的侧壁和底表面共形地形成。例如，第一通孔阻挡膜132可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、氮氧化硅(sion)、低介电常数介电材料或其组合。

第一通孔导电膜131可以设置在第一通孔阻挡膜132上，以填充由第一通孔130形成的沟槽。例如，第一通孔导电膜131可以包括多晶硅(poly-si)，尽管本公开不限于此。

根据一些进一步的示例实施例，第一通孔导电膜131可以包括例如碳(c)、银(ag)、钴(co)、钽(ta)、铟(in)、锡(sn)、锌(zn)、锰(mn)、钛(ti)、镁(mg)、铬(cr)、锗(ge)、锶(sr)、铂(pt)、铝(al)和/或锆(zr)。

第二通孔140可以设置成在第二方向y上穿透层间绝缘膜114的一部分和基底120的第二表面120b之后在基底120内延伸。第二通孔140可以设置成与第一通孔130和布线层112接触，并且可以电连接第一通孔130和布线层112。

类似于第一通孔130，第二通孔140可以包括第二通孔导电膜和第二通孔阻挡膜。

隔离膜(sti)可以设置成从基底120的第二表面120b在基底120内延伸。隔离膜(sti)可以设置成包围第二通孔140的侧壁或围绕第二通孔140的侧壁延伸。然而，本公开不限于此。

例如，隔离膜(sti)可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、碳氧化硅(sioc)、氮氧化硅(sion)和/或碳氮氧化硅(siocn)。

第一绝缘膜150可以设置在基底120的第一表面120a上。第一绝缘膜150可以共形地设置在基底120的第一表面120a上，并且与第一通孔130的第一上表面130a接触。

第一绝缘膜150可以包括高介电常数介电材料，例如氧化铪(hfo2)，但是本公开不限于此。

第二绝缘膜160可以设置在第一绝缘膜150上。第二绝缘膜160可以包括具有与第一绝缘膜150的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。

例如，第二绝缘膜160可以包括具有比第一绝缘膜150的抗蚀刻性小的抗蚀刻性的材料。例如，第二绝缘膜160可以包括原硅酸四乙酯(teos)，尽管本公开不限于此。第一通孔导电膜131、第一绝缘膜150和第二绝缘膜160各自可以包括不同的材料。

第三绝缘膜170可以设置在第二绝缘膜160上。例如，第三绝缘膜170可以包括氧化硅(sio2)，但是本公开不限于此。

接触件180可以设置成在第二方向y上穿透第一绝缘膜至第三绝缘膜150、160、170之后延伸到第一通孔130的第二上表面。即，接触件180的至少一部分可以设置在第一通孔130内。

接触件180可以包括接触导电膜187和接触阻挡膜188。

接触阻挡膜188可以沿着形成有接触件180的沟槽(例如，延伸到绝缘层150、160和通孔130中的限定接触件180的边界的沟槽)的侧壁和底表面共形地形成。

接触阻挡膜188可以包括例如钛(ti)、氮化钛(tin)、钽(ta)、氮化钽(tan)、碳氮化钽(tacn)、钨(w)、氮化钨(wn)、碳氮化钨(wcn)、锆(zr)、氮化锆(zrn)、钒(v)、氮化钒(vn)、铌(nb)、氮化铌(nbn)或其组合中的一种。

接触导电膜187可以设置在接触阻挡膜188上，以填充形成有接触件180的沟槽。

接触导电膜187可以包括例如钛(ti)、氮化钛(tin)和/或钨(w)，尽管本公开不限于此。

即，根据一些进一步的示例实施例，接触导电膜187可以包括例如碳(c)、银(ag)、钴(co)、钽(ta)、铟(in)、锡(sn)、锌(zn)、锰(mn)、镁(mg)、铬(cr)、锗(ge)、锶(sr)、铂(pt)、铝(al)和/或锆(zr)。

接触件180可以包括设置在第一通孔130内的第一部分181、设置在第一绝缘膜150中的第二部分182、设置在第二绝缘膜160中的第三部分183和设置在第三绝缘膜170中的第四部分184。

接触件180的第一部分181的侧壁具有第一斜面轮廓s1，接触件180的第二部分182的侧壁具有第二斜面轮廓s2，并且接触件180的第三部分183的侧壁具有第三斜面轮廓s3。

接触件180的第一部分181中的侧壁的第一斜面轮廓s1、接触件180的第二部分182中的侧壁的第二斜面轮廓s2和接触件180的第三部分183中的侧壁的第三斜面轮廓s3可以彼此不同地形成。

第一斜面轮廓至第三斜面轮廓s1、s2、s3的不同形成可以由于在接触件180的形成工艺期间在第一绝缘膜150、第二绝缘膜160和第一通孔130之间的抗蚀刻性的差异而引起。即，通过将第一通孔130的抗蚀刻性形成为大于第一绝缘膜150的抗蚀刻性并且将第一绝缘膜150的抗蚀刻性形成为大于第二绝缘膜160的抗蚀刻性，可以彼此不同地形成第一斜面轮廓至第三斜面轮廓s1、s2、s3。

接触件180的第四部分184的下表面184b上的在第一方向x上的宽度w1可以形成为大于接触件180的第三部分183的上表面183a上的在第一方向x上的宽度w2。第四部分184的下表面184b的一部分与第二绝缘膜160接触。

尽管图4中示出了接触件180的第一部分181的下部形成为尖锐地突出，但本公开不限于此。即，根据一些进一步的示例实施例，接触件180的第一部分181的下部可以形成为平坦的。此外，根据一些进一步的示例实施例，接触件180的第一部分181的下部可以具有弯曲平面形状，例如，弯曲的挤压形状。

滤色器190可以设置在第二绝缘膜160中。滤色器190可以设置成在第一方向x上与接触件180间隔开。

此外，滤色器190的上表面190a可以暴露在第二绝缘膜160上。即，滤色器190的上表面190a可以形成为与接触件180的第三部分183的上表面183a共面。

除了被滤色器190的上表面190a暴露的区域之外，保护膜172可以设置在第二绝缘膜160的上表面和第三绝缘膜170之间。此外，保护膜172可以设置在接触件180的第四部分184的侧壁和第三绝缘膜170之间。

保护膜172可以包括例如氧化硅(sio2)，但是本公开不限于此。

下电极1010可以设置在第三绝缘膜170和接触件180的第四部分184上。下电极1010可设置为与接触件180的第四部分184接触并与接触件180电连接。

下电极1010可以包括例如多个下电极1010，所述多个下电极1010在第一方向x上彼此间隔开。与相应的接触件180电连接的任何一个下电极1010可以在第一方向x上与(与相邻的接触件180电连接的)另一个下电极1010间隔开。

下电极1010可以是透明电极。下电极1010可以是例如氧化铟锡或掺锡氧化铟(ito)，但本公开不限于此。

第四绝缘膜1020可以设置在沿第一方向x彼此间隔开的多个下电极1010之间。

第四绝缘膜1020可以包括例如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、氮氧化硅(sion)、低介电常数介电材料或其组合。

光转换层1030可以设置成在下电极1010和第四绝缘膜1020上延伸或覆盖下电极1010和第四绝缘膜1020。光转换层1030可以吸收可见光。

光转换层1030可以是例如有机光电转换层。光转换层1030可以包括例如给电子有机材料和受电子有机材料。

上电极1040可以设置在光转换层1030上。上电极1040可以是透明电极。上电极1040可以是例如氧化铟锡或掺锡氧化铟，但本公开不限于此。

第五绝缘膜1050可以设置在上电极1040上。尽管在图3中示出了第五绝缘膜1050形成为单个膜，但本公开不限于此。

即，根据一些进一步的示例实施例，第五绝缘膜1050可以包括多个膜，例如，钝化膜和设置在钝化膜上的绝缘膜。

在这种情况下，钝化膜可以包括例如高介电常数介电绝缘材料。钝化膜中包括的高介电常数介电材料的至少一部分可以具有非晶结构。然而，本公开不限于此。

平坦化膜1060可以设置在第五绝缘膜1050上。例如，平坦化膜1060可以包括氧化硅膜类材料、氮化硅膜类材料、树脂或其组合。尽管图3中示出了平坦化膜1060形成为单个膜，但本公开不限于此。

微透镜1070可以以凸形状设置在平坦化膜1060上。穿过微透镜1070的可见光可以集中在光转换层1030上。

微透镜1070可以包括例如氮化硅膜(sin)、诸如苯乙烯树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物树脂、硅氧烷树脂等的树脂材料。然而，本公开不限于此。

通过基于或利用第一绝缘膜150和第二绝缘膜160的蚀刻选择性将接触件180的与第一绝缘膜150接触的侧壁的斜面轮廓s2形成为不同于接触件180的与第二绝缘膜160接触的侧壁的斜面轮廓s3，根据一些示例实施例的图像传感器可以确保接触件180与第一通孔130之间的未对准余量。

此外，可以通过以例如与接触件180的下部分(例如，第三部分183)的宽度w2相比将接触件180的上部分(例如，第四部分184)的宽度w1形成为相对大的方式增大接触件180与下电极1010之间的接触尺寸大小来使电阻减小。

此外，在根据一些示例实施例的图像传感器中，由于形成在基底120上的接触件180的一部分可以在第一通孔130内延伸，因此可以通过增大接触件180与第一通孔130之间的接触尺寸大小来减小电阻。

在下文中，将参照图3以及图5至图15来说明根据一些示例实施例的用于制造图像传感器的方法。

图5、图6、图8、图10以及图12至图15是示出根据一些示例实施例的被提供以说明用于制造图像传感器的方法的制造的中间阶段的视图。图7是图6的部分b的放大视图。图9是图8的部分c的放大视图。图11是图10的部分d的放大视图。

参照图5，可以提供基底120和形成在基底120的第二表面120b上的绝缘结构110。

在这种情况下，基底120可以形成有光电转换元件(pd)、第一通孔130、隔离膜(sti)和第二通孔140的一部分。此外，绝缘结构110可形成有层间绝缘膜114、布线层112和第二通孔140的另一部分。

可以将第一绝缘膜150、第二绝缘膜160和掩模膜1001顺序地堆叠在基底120的第一表面120a上。

掩模膜1001可以包括例如氮化硅(sin)，尽管本公开不限于此。

第一通孔130、第一绝缘膜150、第二绝缘膜160和掩模膜1001可以具有彼此不同的蚀刻选择性。

具体地，第一通孔130的抗蚀刻性可以形成为大于第一绝缘膜150的抗蚀刻性，第一绝缘膜150的抗蚀刻性可以形成为大于第二绝缘膜160的抗蚀刻性，第二绝缘膜160的抗蚀刻性可以形成为大于掩模膜1001的抗蚀刻性。

参照图6和图7，执行蚀刻制造，例如，以限定沿第二方向y穿透第一绝缘膜至第二绝缘膜150和160以及掩模膜1001且具有在第一通孔130内延伸的部分的第一沟槽t1。

通过利用在第一通孔130、第一绝缘膜150和第二绝缘膜160之间的不同的蚀刻选择性，可以使第一沟槽t1的形成在第一通孔130上的侧壁的第一斜面轮廓s1、第一沟槽t1的形成在第一绝缘膜150上的侧壁的第二斜面轮廓s2和第一沟槽t1的形成在第二绝缘膜160中的侧壁的第三斜面轮廓s3形成为彼此不同。

即，第一沟槽t1的在第一方向x上的宽度可以随着更接近基底120的第二表面120b而变得更小。第一沟槽t1的侧壁的斜面轮廓可以在第一通孔130和第一绝缘膜150的边界线(或第一通孔130和第一绝缘膜150之间的边界/界面)处以及在第一绝缘膜150和第二绝缘膜160的边界线(或第一绝缘膜150和第二绝缘膜160之间的边界/界面)处改变。

参照图8和图9，通过执行另外的蚀刻制造来蚀刻掩模膜1001的由第一沟槽t1暴露的侧壁，可以在掩模膜1001内形成第二沟槽t2。

通过利用在第二绝缘膜160和掩模膜1001之间的不同的蚀刻选择性，可以使第二沟槽t2的在第一方向x上的宽度形成为大于第一沟槽t1的在第一方向x上的宽度。

参照图10和图11，可以在第一沟槽t1和第二沟槽t2中形成接触件180。

具体地，可以沿着第一沟槽t1和第二沟槽t2中的每个的侧壁和底表面共形地形成接触阻挡膜188。可以在接触阻挡膜188上形成接触导电膜187以填充第一沟槽t1和第二沟槽t2。

参照图12和图13，可以在去除掩模膜1001之后共形地形成保护膜172(以覆盖第二绝缘膜160的上表面和暴露的接触件180)。

可以去除保护膜172的部分(除了保护膜172的在接触件180上和在邻近接触件180的第二绝缘膜160上的部分之外)。

可以在通过在第二绝缘膜160的部分中执行蚀刻制造而形成的沟槽内(例如，在第二绝缘膜160的与保护膜172一起被去除的部分中)形成滤色器190。在这种情况下，滤色器190的上表面190a可以形成为与第二绝缘膜160的上表面共面。然而，本公开不限于此。

参照图14，可以使第三绝缘膜170形成为在保护膜172和滤色器190的上表面190a上延伸或覆盖保护膜172和滤色器190的上表面190a。

通过由平坦化工艺(cmp工艺)蚀刻第三绝缘膜170的上部、保护膜172的形成在接触件180上的一部分和接触件180的上部的一部分，可以暴露接触件180的上表面。

参照图15，可以在接触件180和第三绝缘膜170上形成下电极1010以与接触件180接触。此外，可以在第三绝缘膜170的未形成下电极1010的部分上形成第四绝缘膜1020。可以使下电极1010的上表面形成为与第四绝缘膜1020的上表面共面。

再次参照图3，可以在下电极1010和第四绝缘膜1020上顺序地形成光转换层1030、上电极1040、第五绝缘膜1050、平坦化膜1060和微透镜1070。

通过上述工艺，可以制造图3中所示的图像传感器。

在下文中，将参照图16来描述根据一些进一步的示例实施例的图像传感器。该描述将集中于与图4中所示的图像传感器的不同之处。

图16是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图。

参照图16，根据一些进一步的示例实施例的图像传感器可以包括接触件280，接触件280包括设置在第一通孔130内的第一部分281、设置在第一绝缘膜150中的第二部分282、设置在第二绝缘膜160中的第三部分283和设置在第三绝缘膜170中的第四部分284。

接触件280可以包括沿着形成有接触件280的沟槽(例如，绝缘层150、160和通孔130中的限定了接触件280的边界的沟槽)的侧壁和底表面共形地形成的接触阻挡膜288，以及设置在接触阻挡膜288上以填充形成有接触件280的沟槽的接触导电膜287。

接触件280的第一部分281的侧壁具有第四斜面轮廓s4，接触件280的第二部分282的侧壁具有第五斜面轮廓s5，并且接触件280的第三部分283的侧壁具有第六斜面轮廓s6。

第五斜面轮廓s5可以形成为与第六斜面轮廓s6相同。第四斜面轮廓s4可以形成为不同于第五斜面轮廓s5和第六斜面轮廓s6。

在下文中，将参考图17来描述根据一些进一步的示例实施例的图像传感器。该描述将集中于与图4中所示的图像传感器的不同之处。

图17是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图。

参照图17，根据一些进一步的示例实施例的图像传感器可以包括接触件380，接触件380包括设置在第一通孔130内的第一部分381、设置在第一绝缘膜150中的第二部分382、设置在第二绝缘膜160中的第三部分383和设置在第三绝缘膜170中的第四部分384。

接触件380可以包括沿着形成有接触件380的沟槽(例如，在绝缘层150、160和通孔130中的限定接触件380的边界的沟槽)的侧壁和底表面共形地形成的接触阻挡膜388，以及设置在接触阻挡膜388上以填充形成有接触件380的沟槽的接触导电膜387。

接触件380的第一部分381的侧壁具有第七斜面轮廓s7，接触件380的第二部分382的侧壁具有第八斜面轮廓s8，并且接触件380的第三部分383的侧壁具有第九斜面轮廓s9。

接触件380的第三部分383的下表面383b上的沿第一方向x的宽度w3可以形成为大于接触件380的第二部分382的上表面382a上的沿第一方向x的宽度w4。

在下文中，将参照图18来描述根据一些进一步的示例实施例的图像传感器。该描述将集中于与图3中所示的图像传感器的不同之处。

图18是示出根据一些进一步的示例实施例的图像传感器的剖视图。

参照图18，在根据一些进一步的示例实施例的图像传感器中，滤色器490可以设置在平坦化膜1060中而没有或不是设置在第二绝缘膜160中。即，滤色器490可以设置在第五绝缘膜1050上，平坦化膜1060可以设置成在滤色器490上延伸或覆盖滤色器490。

在下文中，将参照图18和图17来描述根据一些进一步的示例实施例的图像传感器。该描述将集中于与图3和图4中所示的图像传感器的不同之处。

在下文中，图17是图18的区域a的放大视图。

参照图18和图17，在根据一些进一步的示例实施例的图像传感器中，滤色器490可以不设置在第二绝缘膜160中，而可以设置在平坦化膜1060中。即，滤色器490可以设置在第五绝缘膜1050上，平坦化膜1060可以设置成在滤色器490上延伸或覆盖滤色器490。

此外，接触件380的第三部分383的下表面383b上的沿第一方向x的宽度w3可以形成为大于接触件380的第二部分382的上表面382a上的沿第一方向x的宽度w4。更一般地说，虽然在此的实施例是参照接触件形状和图像传感器布置的具体示例来描述的，但是将理解的是，各种接触件形状可以与在此描述的任何图像传感器布置一起使用。

在上文中参照附图说明了根据本公开的示例实施例，但应理解的是，在不改变本公开的技术构思或特征的情况下，本公开不限于上述示例实施例，而是可以以各种不同的形式来制造，并且可以由本领域技术人员以其它具体形式来实现。因此，将理解的是，上述示例实施例仅是说明性的，而不应被解释为是限制性的。