1.一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，包括多个单元结构，所述单元结构由聚酰亚胺组成的衬底(1)和P型掺杂硅组成的顶层(2)构成。
2.根据权利要求1所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述衬底(1)的横切面为正方形，所述顶层(2)为圆柱体。
3.根据权利要求2所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述P型掺杂硅的电阻率为1Ω·cm-1～10Ω·cm-1。
4.根据权利要求3所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述顶层(2)的半径为105μm～125μm，厚度为70μm～95μm。
5.根据权利要求4所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为15μm～30μm。
6.根据权利要求5所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述顶层(2)的中心轴位于衬底(1)横切面对角线的交点处。
7.根据权利要求6所述的一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器，其特征在于，所述单元结构以N×N排列，且相邻单元结构的顶层(2)之间的距离为300μm～350μm。