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一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器的制作方法
文档序号:18734249
发布日期:2019-09-21 00:57
阅读:
来源:国知局
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一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器的制作方法
技术总结
本发明公开了一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器,包括多个N×N排列的单元结构,每个单元结构由聚酰亚胺组成的正方形衬底和P型掺杂硅组成的圆柱形顶层构成。本发明一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器具有结构简单、易于加工,不易被氧化,稳定性强,低损耗的优点。
技术研发人员:
王玥;岳莉莎;朱冬颖;崔子健;胡辉
受保护的技术使用者:
西安理工大学
技术研发日:
2019.06.19
技术公布日:
2019.09.20
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