技术特征：
技术总结
本发明公开了一种金镓焊片制备方法，包括以下步骤：称取预定比例的金和镓放入真空熔融炉中；对真空熔融炉进行抽真空处理；充入惰性气体；真空熔融炉加热到设定温度进行熔融，然后进行降温冷却，再加热到设定温度进行熔融，循环多次，得到均匀的熔融态合金；将熔融态合金浇铸、压延、冲压得到焊料。一种金镓焊片，由上述的金镓焊片制备方法制得。本发明提供的一种金镓焊片，共晶温度很好的适用于高功率的半导体的封装，有效提升高功率的半导体的封装质量。
技术研发人员：林尧伟;谢斌;林俊羽;林柏希
受保护的技术使用者：汕尾市索思电子封装材料有限公司
技术研发日：2019.07.15
技术公布日：2019.10.18