技术特征：
1.一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)外延层(1)生长；2)p电极保护层(2)的制备；3)制备腐蚀溶胶；4)甩胶粗化，形成腐蚀膜层(3)；5)去除腐蚀膜层(3)；6)去除p电极保护层(2)；7)制备管芯；8)结束操作。2.根据权利要求1所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)外延层(1)生长：取gaas衬底(7)，并在gaas衬底(7)上自下而上依次生长缓冲层、n型砷化镓层、dbr层、n型限制层、mqw量子阱层、p型限制层、p型gap、gap窗口层，得到晶片的外延层(1)；2)p电极保护层(2)的制备：取步骤1)制备带有外延层(1)的晶片，在gap窗口层上生长二氧化硅层，光刻，湿法腐蚀掉p面电极(5)区域外的二氧化硅层，得到p电极保护层(2)；3)制备腐蚀溶胶；取光刻胶、粗化腐蚀液和表面活性剂，按比例混合均匀，制备得到腐蚀溶胶；4)甩胶粗化，形成腐蚀膜层(3)：取步骤2)处理后的晶片，n面向下吸附在匀胶机吸盘上，通过匀胶机涂覆腐蚀溶胶，形成腐蚀膜层(3)，再放入烘箱内，恒温烘烤，完成粗化腐蚀；5)去除腐蚀膜层(3)：取带有腐蚀膜层(3)的晶片，去除外延层(1)表面的腐蚀溶胶；6)去除p电极保护层(2)：再取步骤5)处理后的晶片，使用氢氟酸腐蚀掉晶片表面的p电极保护层(2)；7)制备管芯：依次在晶片的gap窗口层上完成电流扩展层(4)、p面电极(5)制作，再在晶片背面进行减薄，并完成n面电极(6)制作，再通过锯片机进行切割，形成独立的管芯；8)结束操作。3.根据权利要求2所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)外延层(1)生长：a)准备外延层(1)生长材料，并检查各装置运行情况；b)取gaas衬底(7)，并在gaas衬底(7)上自下而上依次生长缓冲层、n型砷化镓层、dbr层、n型限制层、mqw量子阱层、p型限制层、p型gap、gap窗口层，得到晶片的外延层(1)；2)p电极保护层(2)的制备：取步骤1)制备的带有外延层(1)的晶片，在gap窗口层上生长二氧化硅层，光刻，湿法腐蚀掉p面电极(5)区域外的二氧化硅层，得到p电极保护层(2)；其中二氧化硅层的厚度为生长温度为200-250℃；3)制备腐蚀溶胶；取光刻胶、粗化腐蚀液和表面活性剂，按比例混合均匀，制备得到腐蚀溶胶；其中腐蚀溶胶的各组分百分比包括：光刻胶80-85％、粗化腐蚀液15-20％、表面活性剂0.5-1％；
4)甩胶粗化，形成腐蚀膜层(3)：取步骤2)处理后的晶片，n面向下吸附在匀胶机吸盘上，通过匀胶机涂覆腐蚀溶胶，形成腐蚀膜层(3)，其中腐蚀膜层(3)的厚度为2-4μm；再平放在烘箱内恒温烘烤，完成粗化腐蚀；5)去除腐蚀膜层(3)：取带有腐蚀膜层(3)的晶片，将晶片放入丙酮溶液中清洗，丙酮温度为50-52℃，清洗时间为5-7min；接着将晶片放入乙醇中，乙醇温度为70-73℃，清洗时间为5-7min；再通过纯水清洗，氮气烘干；6)去除p电极保护层(2)：再取步骤5)处理后的晶片，使用氢氟酸腐蚀掉晶片表面的p电极保护层(2)，腐蚀时间为1-3min；7)制备管芯：依次在晶片的gap窗口层上完成电流扩展层(4)、p面电极(5)制作，再在晶片背面进行减薄，并完成n面电极(6)制作，再通过锯片机进行切割，形成独立的管芯；8)结束操作。4.根据权利要求3所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中，粗化腐蚀液为碘、醋酸、硝酸、磷酸的混合物，其中所述碘、醋酸、硝酸、磷酸的质量比为1：100：20：30。5.根据权利要求3所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中，表面活性剂为扩散剂nno、月桂醇硫酸钠、无水乙醇的混合物，其中所述扩散剂nno、月桂醇硫酸钠、无水乙醇的质量比为5：30：1。6.根据权利要求3所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：所述步骤4)中，恒温烘烤操作时，烘烤温度为40-60℃，烘烤时间为30-60min。7.根据权利要求3所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：所述步骤1)中，光刻胶为负性光刻胶，光刻胶粘度为30-40cp。8.根据权利要求3所述的一种gaas基led晶片gap粗糙表面的制作方法，其特征在于：所述电流扩展层(4)为氧化铟锡层。