1.一种晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供表面具有膜层的基底，所述膜层上表面具有造成所述膜层表面异常的超小尺寸缺陷；
步骤二、在所述膜层上表面形成光阻层，之后对该光阻层进行曝光和显影，形成带有图形缺陷的光阻图形；
步骤三、按照所述光阻图形刻蚀所述膜层，形成带有放大缺陷的膜层图形；
步骤四、使用缺陷扫描机扫描所述膜层图形，捕捉所述放大缺陷。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤一中所述超小尺寸缺陷的尺寸为0.01μm～0.2μm。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤二中对所述光阻层曝光采用显影失焦原理形成放大的所述图形缺陷。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤二中对所述光阻层曝光使用重复单元的光罩图形。
5.根据权利要求4所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：曝光所用光罩中的重复单元包括宽度和间隔相同的数个条形图形。
6.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤二中在所述膜层上表面形成的光阻层为正胶。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤二中在所述膜层上表面形成的光阻层为负胶。
8.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：步骤三中对所述膜层进行刻蚀后还包括去除所述膜层表面的剩余光阻。
9.根据权利要求8所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：去除所述膜层表面的剩余光阻的方法为湿法去除。
10.根据权利要求8所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：去除所述膜层表面的剩余光阻的方法为干法去除。
11.根据权利要求1所述的晶圆表面超小尺寸缺陷检测方法，其特征在于：放大缺陷的尺寸为所述超小尺寸缺陷的3倍。