一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法与流程

本发明属于半导体制造的技术领域，具体涉及一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法。

背景技术：

数字隔离器是利用半导体制造技术，在半导体硅衬底上通过光刻、刻蚀金属形成数字隔离器上下相对的2个线圈，上线圈为初级线圈，下面的线圈为次级线圈，在初级和次级线圈之间由聚酰亚胺层隔离。聚酰亚胺通过旋转涂胶的方式形成一层均匀厚度的隔离层，聚酰亚胺材料固有的特性就是表面能量低，表面活性差，聚酰亚胺与无机物和金属材料的粘附性能也相对差。在芯片封装键合时，大部分的铝垫键合拉力不够造成拉力失铝，所以半导体技术制造数字隔离器的最大问题就是要提高铝垫与聚酰亚胺的拉力。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供了一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法。本发明在初级线圈的铝垫下方区域通过光刻和等离子刻蚀在聚酰亚胺上形成榫卯结构的孔，利用金属填充榫卯结构的孔与聚酰亚胺层形成榫卯连接，增加了接触面积和榫卯结构，起到加大铝垫键合拉力的作用，得到的硅基数字隔离器具有铝垫拉力大、封装可靠性高的优点，可应用于航空航天、通信、雷达等要求高的领域。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法，其特征在于，该加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法具有以下特征：

一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法，包括如下步骤：

（a）提供p型高电阻率衬底，在衬底上淀积一层厚度为1.2~2.4μm的sio2层；

（b）在步骤（a）中的sio2层上形成一层厚度为2~4μm的金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出次级线圈；

（c）在sio2层和次级线圈涂布一层聚酰亚胺层并固化，固化温度为300~350℃；

（d）在聚酰亚胺层上通过光刻和等离子刻蚀出榫卯结构的孔；

（e）在聚酰亚胺层上形成一层厚度为4~6μm的金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出初级线圈；

（f）淀积钝化层，在钝化层上光刻和刻蚀出芯片封装键合区域铝垫。

步骤（a）中所述p型高电阻率衬底的电阻率为2000~3000ω·cm。

步骤（b）和步骤（e）中所述金属层通过物理气相沉积法溅射铝硅铜或通过蒸发纯铝形成；

步骤（c）中固化后的聚酰亚胺层的厚度为5~25μm。

步骤（d）中所述聚酰亚胺层上榫卯结构的孔的打孔深度为0.5~1μm，直径或边长为0.5~2μm。

所述初级线圈与次级线圈的设置位置上下相对应，步骤（f）中所述铝垫与步骤（d）中聚酰亚胺层上榫卯结构的孔的打孔位置相对应。

所述钝化层的厚度为600~1200nm，通过等离子增强化学汽相淀积法形成。

所述次级线圈的厚度为2.5~4.0μm，初级线圈的厚度为4.0~6.0μm。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明在初级线圈的铝垫下方区域通过光刻和等离子刻蚀在聚酰亚胺上形成榫卯结构的孔，利用金属填充榫卯结构的孔与聚酰亚胺层形成榫卯连接，增加了接触面积和榫卯结构，起到加大铝垫键合拉力的作用，得到的硅基数字隔离器具有铝垫拉力大，封装可靠性高的优点，可应用于航空航天、通信、雷达等要求高的领域。

附图说明

图1是本发明实施例1在衬底上淀积sio2层的剖视图。

图2是本发明实施例1光刻以及刻蚀金属层后次级线圈的剖视图。

图3是本发明实施例1聚酰亚胺层上光刻和刻蚀打孔形成的剖视图。

图4是本发明实施例1光刻以及刻蚀金属后初级线圈的剖视图。

图5是本发明实施例1淀积钝化层sio2和光刻以及刻蚀sio2露出铝垫的剖视图。

附图标记说明；1-衬底；2-sio2层；3-次级线圈；4-聚酰亚胺层；5-榫卯结构的孔；6-初级线圈；7-钝化层；8-铝垫。

下面结合具体附图和实施例对本发明的技术方案作进一步说明。

具体实施方式

实施例1

一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法，包括如下步骤：

（a）如图1所示，提供的p型高电阻率衬底1，在衬底1上淀积一层厚度为2.4μm的sio2层2；

（b）如图2所示，在步骤（a）中的sio2层2上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出次级线圈3；

（c）如图3所示，在sio2层2和次级线圈3涂布一层聚酰亚胺层4并固化，固化温度为350℃；

（d）在聚酰亚胺层4上通过光刻和等离子刻蚀出榫卯结构的圆形孔5；

（e）如图4所示，在聚酰亚胺层4上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出初级线圈6；

（f）如图5所示，淀积钝化层sio2，在钝化层sio2上光刻和刻蚀出芯片封装键合区域铝垫8。

步骤（a）中所述p型高电阻率衬底1的电阻率为2000ω·cm。

步骤（b）和步骤（e）中所述金属层通过物理气相沉积法溅射铝硅铜或通过蒸发纯铝形成；

步骤（c）中固化后的聚酰亚胺层4的厚度为20μm。

步骤（d）中所述聚酰亚胺层上榫卯结构的圆形孔5的打孔深度为1μm，直径为1μm。

所述初级线圈6与次级线圈3的设置位置上下相对应，步骤（f）中所述铝垫8与步骤（d）中聚酰亚胺层上榫卯结构的圆形孔5的打孔位置相对应。

所述钝化层sio2的厚度为1200nm，通过等离子增强化学汽相淀积法形成。

所述次级线圈3的厚度为2.5μm，初级线圈6的厚度为4.0μm。

实施例2

一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法，包括如下步骤：

（a）提供的p型高电阻率衬底1，在衬底1上淀积一层厚度为2.4μm的sio2层2；

（b）在步骤（a）中的sio2层2上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出次级线圈3；

（c）在sio2层2和次级线圈3涂布一层聚酰亚胺层4并固化，固化温度为350℃；

（d）在聚酰亚胺层4上通过光刻和等离子刻蚀出榫卯结构的正方形孔5；

（e）在聚酰亚胺层4上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出初级线圈6；

（f）淀积钝化层sio2，在钝化层sio2上光刻和刻蚀出芯片封装键合区域铝垫8。

步骤（a）中所述p型高电阻率衬底1的电阻率为3000ω·cm。

步骤（b）和步骤（e）中所述金属层通过物理气相沉积法溅射铝硅铜或通过蒸发纯铝形成；

步骤（c）中固化后的聚酰亚胺层4的厚度为25μm。

步骤（d）中所述聚酰亚胺层上榫卯结构的正方形孔5的打孔深度为1μm，边长为1μm。

所述初级线圈6与次级线圈3的设置位置上下相对应，步骤（f）中所述铝垫8与步骤（d）中聚酰亚胺层上榫卯结构的正方形孔5的打孔位置相对应。

所述钝化层sio2的厚度为1200nm，通过等离子增强化学汽相淀积法形成。

所述次级线圈3的厚度为4.0μm，初级线圈6的厚度为6.0μm。

实施例3

一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法，包括如下步骤：

（a）提供的p型高电阻率衬底1，在衬底1上淀积一层厚度为1.2μm的sio2层2；

（b）在步骤（a）中的sio2层2上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出次级线圈3；

（c）在sio2层2和次级线圈3涂布一层聚酰亚胺层4并固化，固化温度为350℃；

（d）在聚酰亚胺层4上通过光刻和等离子刻蚀出榫卯结构的圆形孔5；

（e）在聚酰亚胺层4上形成一层金属层，在金属层上光刻和等离子刻蚀出初级线圈6；

（f）淀积钝化层sio2，在钝化层sio2上光刻和刻蚀出芯片封装键合区域铝垫8。

步骤（a）中所述p型高电阻率衬底1的电阻率为2000ω·cm。

步骤（b）和步骤（e）中所述金属层通过物理气相沉积法溅射铝硅铜或通过蒸发纯铝形成；

步骤（c）中固化后的聚酰亚胺层4的厚度为6μm。

步骤（d）中所述聚酰亚胺层上榫卯结构的圆形孔5的打孔深度为0.5μm，直径为1μm。

所述初级线圈6与次级线圈3的设置位置上下相对应，步骤（f）中所述铝垫8与步骤（d）中聚酰亚胺层上榫卯结构的圆形孔5的打孔位置相对应。

所述钝化层sio2的厚度为1200nm，通过等离子增强化学汽相淀积法形成。

所述次级线圈3的厚度为4.0μm，初级线圈6的厚度为6.0μm。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据本发明实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。