本发明涉及芯片硅加工技术领域，尤其涉及一种芯片硅的加工方法。
背景技术：
集成电路英语：integratedcircuit，缩写作ic；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上，将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybridintegratedcircuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路，元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，仅次于氧元素含量排行第二，硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，硅属于半导体材料，其自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率。制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片(wafer)。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间，这取决于很多因素，包括大小、质量和终端用户要求。超过75%的单晶硅晶圆片都是通过czochralski(cz，也叫提拉法)方法生长的。
现有的芯片硅在生产出来之后不便于对元器件进行精准连接，因此我们提出了一种芯片硅的加工方法，用来解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中存在芯片硅在生产出来之后不便于对元器件进行精准连接的缺点，而提出的一种芯片硅的加工方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种芯片硅的加工方法，包括以下步骤：
s1：使用石英沙对硅进行精炼，对硅进行纯化；
s2：将纯化后的硅制成硅晶棒，对硅晶棒进行切片，制得晶圆；
s3：晶圆经涂膜、光刻显影、蚀刻、搀加杂质，制得硅片；
s4：将制得的硅片的尺寸信息扫描到电脑进行建模，对需要在硅片安装的零部件的位置进行标注，并对零部件的位置的合理化进行分析；
s5：位置数据满足要求对，对标注的数据进行记录，将标注的数据输入到标注设备内，标注设备对硅片零部件的安装位置进行标识。
优选的，所述s4中，使用扫描设备将硅片扫描到电脑上，对硅片的尺寸进行标注，对零部件的尺寸进行收集。
优选的，所述s4中，将安装的零部件的尺寸标注在硅片上，对零部件的安装位置进行调试，使零部件的布局合理。
优选的，所述s5中，对硅片零部件的位置标注过程进行模拟，并对模拟过程的数据进行收集，通过输入设置将数据输入到标注设备的控制终端。
优选的，所述s5中，将硅片放置到标注设备的工作台上，通过夹具对硅片进行固定，控制终端根据接收的数据驱动标注器进行移动，标注器对零件的引脚安装位置进行标识，以便零部件的精准安装。
优选的，所述s5中，标注设备对硅片零部件的安装位置进行标识完成后，将标识好的硅片扫描到电脑，与建模的硅片进行对比，确保没有误差。
优选的，所述s3中，光刻显影、蚀刻过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软，通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形，在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。
优选的，所述s3中，搀加杂质的过程如下：从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。
优选的，所述s3中，搀加杂质后通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
优选的，所述s2中，对硅晶棒进行切片，切片后对硅片进行清洗，去除硅片表面的机械损伤。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
（1）本方案通过将制得的硅片的尺寸信息扫描到电脑进行建模，对需要在硅片安装的零部件的位置进行标注，确保零部件的位置的精准度；
（2）本方案通过对硅片零部件的位置标注过程进行模拟，并对模拟过程的数据进行收集，通过输入设置将数据输入到标注设备的控制终端，能够保证加工的精准度；
（3）本发明能够保证芯片硅在使用时布局合理，能够实现与元器件的精准连接，制备方式简单。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
一种芯片硅的加工方法，包括以下步骤：
s1：使用石英沙对硅进行精炼，对硅进行纯化；
s2：将纯化后的硅制成硅晶棒，对硅晶棒进行切片，对硅晶棒进行切片，切片后对硅片进行清洗，去除硅片表面的机械损伤，制得晶圆；
s3：晶圆经涂膜、光刻显影、蚀刻、搀加杂质，制得硅片，光刻显影、蚀刻过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软，通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形，在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，搀加杂质的过程如下：从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中，这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据，简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来，这一点类似多层pcb板的制作原理，更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构，搀加杂质后通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，光刻工艺的基本流程：首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干，烘干后的晶圆被传送到光刻机里面，光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应，对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤是的光化学反应更充分，最后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影，显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上，涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的，匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响；
s4：使用扫描设备将硅片扫描到电脑上，对硅片的尺寸进行标注，对零部件的尺寸进行收集，然后进行建模，对需要在硅片安装的零部件的位置进行标注，对零部件的安装位置进行调试，使零部件的布局合理，并对零部件的位置的合理化进行分析；
s5：位置数据满足要求对，对标注的数据进行记录，将标注的数据输入到标注设备内，标注设备对硅片零部件的安装位置进行标识，对硅片零部件的位置标注过程进行模拟，并对模拟过程的数据进行收集，通过输入设置将数据输入到标注设备的控制终端，将硅片放置到标注设备的工作台上，通过夹具对硅片进行固定，控制终端根据接收的数据驱动标注器进行移动，标注器对零件的引脚安装位置进行标识，以便零部件的精准安装，标注设备对硅片零部件的安装位置进行标识完成后，将标识好的硅片扫描到电脑，与建模的硅片进行对比，确保没有误差，通过将制得的硅片的尺寸信息扫描到电脑进行建模，对需要在硅片安装的零部件的位置进行标注，确保零部件的位置的精准度，通过对硅片零部件的位置标注过程进行模拟，并对模拟过程的数据进行收集，通过输入设置将数据输入到标注设备的控制终端，能够保证加工的精准度，本发明能够保证芯片硅在使用时布局合理，能够实现与元器件的精准连接，制备方式简单。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。