一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本申请涉及显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

由于现在市场对柔性显示装置具有卷曲、宽视角、便于携带等特点，在便携产品应用领域广泛，其前景以及良好的市场潜力。

柔性oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)产品由于其更高的色彩饱和度、大视角高对比度和快速的响应时间等优点，现在被广泛应用于手机、notebook等产品中。随着屏幕尺寸增大，多采用双sd(sd1和sd2)设计以降低走线中的压降，由于sd2厚度影响，经常会存在平坦化层平坦度较差等问题，进而导致色偏影响大视角显示效果。

技术实现要素：

本发明至少一实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决由于平坦化层平坦度差造成的色偏问题。

为了达到本发明目的，本发明至少一实施例提供了一种显示基板，包括：基底，设置在所述基底上的包括薄膜晶体管的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的辅助电极层，依次设置在所述辅助电极层上的第一电极和像素界定层，其中，所述辅助电极层包括连接电极、第一辅助走线和第二辅助走线，所述第一电极通过所述连接电极电连接到所述薄膜晶体管的源极或漏极，其中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影的边缘，且在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线的横截面和所述第二辅助走线的横截面以所述像素界定层限定的开口区域的中心线对称。

在一实施例中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影的边缘包括：

所述第一辅助走线部分位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影内，部分位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影外，所述第二辅助走线部分位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影内，部分位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影外。

在一实施例中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的厚度相同。

在一实施例中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的厚度位于6930埃(6300*1.1)至8190埃(6300*1.3)之间。

在一实施例中，所述辅助电极层和所述第一电极之间设置有平坦化层，所述平坦化层覆盖所述辅助电极层，所述平坦化层的厚度满足：在垂直于所述显示基板的方向上，所述平坦化层对应于所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的位置形成凸起。

在一实施例中，所述第一电极为阳极。

在一实施例中，所述显示基板还包括：依次设置在所述像素界定层上的有机发光层、第二电极。

本发明至少一实施例提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。

本发明至少一实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

形成基底；

在所述基底上形成包括薄膜晶体管的驱动结构层；

在所述驱动结构层上形成包括连接电极、第一辅助走线和第二辅助走线的辅助电极层；

依次形成设置在所述辅助电极层上的第一电极和像素界定层，且所述第一电极通过所述连接电极电连接到所述薄膜晶体管的源极或漏极，且使得所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域正投影的边缘，在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线的截面和所述第二辅助走线的截面以所述像素界定层限定的开口区域的中心线对称。

在一实施例中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的厚度为6930埃至8190埃。

与相关技术相比，本发明一实施例包括一种显示基板，包括：基底，设置在所述基底上的包括薄膜晶体管的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的辅助电极层，依次设置在所述辅助电极层上的第一电极和像素界定层，其中，所述辅助电极层包括连接电极、第一辅助走线和第二辅助走线，所述第一电极通过所述连接电极电连接到所述薄膜晶体管的源极或漏极，其中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影的边缘，且在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线的横截面和所述第二辅助走线的横截面以所述像素界定层限定的开口区域的中心线对称。本实施例提供的显示基板，通过设置对称的辅助走线，使得第一电极对称凸出，从而改善色偏。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明一实施例提供的显示基板框图；

图2为本发明一实施例提供的阳极光线反射示意图；

图3为本发明一实施例形成基底图案后的示意图；

图4为本发明一实施例形成有源层、栅电极图案后的示意图；

图5为本发明一实施例形成介电层图案后的示意图；

图6为本发明一实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图；

图7为本发明一实施例形成辅助电极层图案后的示意图；

图8为本发明一实施例形成阳极图案后的示意图；

图9为本发明一实施例形成像素定义层图案后的示意图；

图10为本发明一实施例提供的显示基板制备方法流程图。

附图标记说明:

1—基底；2—有源层；3—第一栅绝缘层；

4—栅极；5—第二栅绝缘层；6—介电层；

7—源极；8—漏极；9—钝化层；

10—第一平坦化层；11—第一辅助走线；12—第二辅助走线；

13—连接电极；14—第二平坦化层；15—阳极；

16—像素界定层；101—薄膜晶体管；102—玻璃载板。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

相关技术中阳极均采用平面设计，但由于工艺条件和sd走线设计缺陷，sd2走线容易造成平坦化层表面不平坦，从而导致阳极平坦度降低，大视角观察时出现严重色偏，显示效果不良。本申请实施例中，通过左右对称的走线设计，使得阳极相应的形成对称的凸起，从而可以改善由于阳极左右不对称导致的产品色偏问题。

本发明一实施例提供一种显示基板，包括：基底，设置在所述基底上的包括薄膜晶体管的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的辅助电极层，依次设置在所述辅助电极层上的第一电极和像素界定层，其中，所述辅助电极层包括连接电极、第一辅助走线和第二辅助走线，所述第一电极通过所述连接电极电连接到所述薄膜晶体管的源极或漏极，其中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影的边缘，且在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线的横截面和所述第二辅助走线的横截面以所述像素界定层限定的开口区域的中心线对称。本实施例提供的显示基板，通过设置对称的辅助走线，使得第一电极在相应的位置对称凸出，即使得第一电极形成相应的对称的凸起，从而改善色偏。

图1为本发明一实施例提供的显示基板结构示意图，示意了在垂直于显示基板的平面上显示基板的结构。如图1所示，在垂直于显示基板的平面上，该显示基板包括设置在基底1上的驱动结构层和发光结构层，驱动结构层包括多个薄膜晶体管，图1中仅以一个发光单元和一个薄膜晶体管为例进行示意。具体的，驱动结构层主要包括设置在基底1上的薄膜晶体管101。发光结构层主要包括与薄膜晶体管101的漏电极连接的第一电极(比如为阳极)、限定像素开口区域的像素界定层、设置在像素开口区域内的有机发光层(图中未示出)、设置在有机发光层上的第二电极(比如为阴极，图中未示出)。

如图1所示，该显示基板包括基底1、设置于基底1上的有源层2、设置在有源层2上的第一栅绝缘层3，设置在第一栅绝缘层3上的栅极4、设置在栅极4上的第二栅绝缘层5，设置在第二栅绝缘层5上的介电层6、设置在介电层6上的源极7、漏极8，设置在源极7和漏极8上的钝化层9，设置在钝化层9上第一平坦化层10，设置在第一平坦化层10上的辅助电极层(包括第一辅助走线11、第二辅助走线12、连接电极13)，设置在辅助电极层上的第二平坦化层14，设置在第二平坦化层14上的阳极15，设置在阳极15上的像素界定层16。其中，所述第一辅助走线11和第二辅助走线12以像素界定层16限定的开口区域的中心线a对称。本实施例提供的方案，由于存在对称的第一辅助走线11和第二辅助走线12，阳极15上与第一辅助走线11和第二辅助走线12对应的位置上存在对称的两个凸起：b和c，相对于相关技术中阳极只存在一个凸起的形状，能够改善色偏。另外，如图2所示，u形阳极能改善微腔内光线的反射，增强出光率，提高产品亮度和寿命。

下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

图3～9为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括：

1)形成基底1；

先在玻璃载板102上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底。随后，在第一基底上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第一基底的缓冲层图案。最后，在缓冲层上一层涂布柔性材料，固化成膜，形成第二基底。其中，柔性材料可以采用聚酰亚胺pi、聚对苯二甲酸乙二酯pet或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底。缓冲薄膜可以采用氮化硅sinx或氧化硅siox等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。本实施例中，第一基底、缓冲层和第二基底构成基底1，如图3所示。

(2)在基底上形成有源层、栅电极图案。如图4所示，在基底上形成有源层、栅电极图案包括：

a、在形成上述结构的基础上，沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在基底1上的有源层2图案；

b、随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层2的第一栅绝缘层3、设置在第一栅绝缘层3上的栅电极4。

c、随后，沉积第二绝缘薄膜，形成第二栅绝缘层5。

(3)形成开设有过孔的介电层图案。

形成开设有过孔的介电层图案包括：在形成上述结构的基础上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成开设有两个第一过孔的介电层6图案，两个第一过孔中的介电层6、第二栅绝缘层5和第一栅绝缘层3被刻蚀掉，暴露出有源层2，如图5所示。

(4)形成源电极和漏电极图案。形成源电极和漏电极图案包括：在形成上述结构的基础上，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在显示区域形成源电极7、漏电极8和数据线(未示出)图案，源电极7和漏电极8分别通过两个第一过孔与有源层2连接，如图6所示。

通过上述过程，在基底上完成了驱动结构层制备。

(5)形成辅助电极层图案。

形成辅助电极层图案包括：在形成上述结构的基础上，先涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺在显示区域形成覆盖源电极7和漏电极8的钝化层9图案；

沉积第五绝缘层薄膜，通过构图工艺对第五绝缘薄膜进行构图，形成开设有第二过孔的第一平坦化层10图案，所述第二过孔暴露出漏极8；

随后沉积辅助电极材料，通过构图工艺形成第一辅助走线11、第二辅助走线12和连接电极13，如图7所示。其中，在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线11和所述第二辅助走线12相对于开口区域的中心线对称。辅助电极比如由ti(钛))/al(铝)/ti三层构成，常规厚度依次为500/5500/300埃，可以通过增大al层的厚度，达到增大第一辅助走线11和第二辅助走线12厚度的目的。

第一辅助走线11和第二辅助走线12可以在阳极15上形成对称的凸起，从而改善色偏现象。另外，两个凸起的存在使得阳极15形成u形结构，能改善微腔内光线的反射，增强出光率，提高产品亮度。第一辅助走线11和第二辅助走线12位于子像素的开口区域的正投影的边缘，具体的，第一辅助走线11的部分位于开口区域的正投影内，另一部分位于开口区域的正投影外，第二辅助走线12部分位于开口区域的正投影内，另一部分位于开口区域的正投影外。当然，在其他实施例中，第一辅助走线11和第二辅助走线12也可以缩短一些。第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度相同。在一实施例中，第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度相同，且比常规厚度(6300埃)大10％～30％。需要说明的是，在其他实施例中，第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度也可以不变。增大第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度，如果其他位置的第二平坦化层14的厚度不变，则相当于第一辅助走线11和第二辅助走线12处的第二平坦化层14的厚度变薄，第二平坦化层14的坡度变大，从而形成了u形阳极，有利于提高oled器件出光率，增大亮度。另外，第一辅助走线11和第二辅助走线12厚度变大后，其电阻变小，因此，可以改善vdd在有效显示区域内的irdrop(ir压降)，从而提高产品亮度均一性。

(6)形成阳极图案

形成阳极图案包括：在形成上述结构的基础上，先涂覆第六绝缘薄膜，通过构图工艺对第六绝缘薄膜进行构图，形成开设有第三过孔的第二平坦化层14图案，第三过孔暴露出连接电极13。随后沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极15图案，阳极15通过第三过孔与连接电极13连接，如图8所示。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ito或氧化铟锌izo。所述第二平坦化层14的厚度满足：在垂直于所述显示基板的方向上，所述第二平坦化层14对应于所述第一辅助走线11和所述第二辅助走线12的位置形成凸起，即第二平坦化层14覆盖第一辅助走线11和覆盖第二辅助走线12的位置形成凸起。

(7)形成像素定义层图案。

形成像素定义层包括：在形成前述图案的基础上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺在显示区域形成像素定义层(pixeldefinelayer，pdl)16图案，如图9所示。其中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

之后形成有机发光层、阴极图案和封装层图案。之后，剥离玻璃载板102，完成显示基板的制备。第一辅助走线11和第二辅助走线12用于连接阴极。

本实施例中，由于将一条辅助走线变成对称的两条辅助走线，使得第二平坦化层14上的凸起变成两个，相应的，阳极15在相应的位置对称凸出，改善了由于阳极不对称造成的色偏问题。另外，第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度增大，一方面可以减小走线电阻降低vdd在aa区的压降，另一方面，第一辅助走线11和第二辅助走线12的厚度增大，提高了阳极的凸起，形成u形阳极，可以改善微腔内光线的反射，增强出光率。此外，本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。另外，本实施例解决了由于平坦度不够造成的色偏问题，具有实际应用价值，具有良好的应用前景。

需要说明的是，本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-si)薄膜晶体管、低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管或氧化物(oxide)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层。

基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法。如图10所示，包括：

步骤1001，形成基底，在所述基底上形成包括薄膜晶体管的驱动结构层；

步骤1002，在所述驱动结构层上形成包括连接电极、第一辅助走线和第二辅助走线辅助电极层；

步骤1003，依次形成设置在所述辅助电极层上的第一电极和像素界定层，且所述第一电极通过所述连接电极电连接到所述薄膜晶体管的源极或漏极，且使得所述第一辅助走线和所述第二辅助走线位于所述像素界定层限定的开口区域的正投影的边缘，在垂直于所述显示基板的平面上，所述第一辅助走线的截面和所述第二辅助走线的截面以所述像素界定层限定的开口区域的中心线对称。

本实施例中，各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本实施例提供一种显示基板的制备方法，通过设置对称的辅助走线，使得第一电极在相应的位置对称凸出，改善了由于第一电极不对称造成的色偏问题。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。本实施例有效解决了平坦化层不平坦造成的色偏问题，具有实际应用价值，具有良好的应用前景。

基于本发明实施例的技术构思，本发明一实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。所示显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

有以下几点需要说明：

(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。