1.一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，包括自下而上依次设置的绝缘衬底、电荷束缚石墨炔层和电荷传输二硫化钼层；所述电荷传输二硫化钼层上相对设置有源极和漏极。
2.如权利要求1所述的石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，所述电荷束缚石墨炔层为石墨炔纳米薄膜，通过等离子刻蚀、机械剥离、超声分散或化学气相沉积获得；所述石墨炔纳米薄膜的厚度为0.7-200纳米。
3.如权利要求1所述的石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，所述电荷传输二硫化钼层为二硫化钼纳米片，通过化学气相沉积法或者机械剥离获得，所述二硫化钼纳米片厚度为0.7-100纳米。
4.如权利要求1所述的石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，所述源极和漏极的材质为铬、钯、铂、金、石墨烯，或为有机电极；所述源极和漏极的厚度为0.7-100纳米。
5.如权利要求1所述的石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，所述绝缘衬底的材质为二氧化硅、蓝宝石、氮化铝或柔性绝缘衬底。
6.如权利要求1-5任一种所述的石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
s1、清洗绝缘衬底，吹干；
s2、将石墨炔转移到所述绝缘衬底上，制备电荷束缚石墨炔层；
s3、将二硫化钼转移至步骤s2中得到的所述电荷束缚石墨炔层上，制备电荷传输二硫化钼层；
s4、利用热蒸镀或电子束蒸镀在步骤s3中得到的所述电荷传输二硫化钼层上蒸镀源极和漏极，即得到所述石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，将绝缘衬底依次放入丙酮、乙醇、去离子水三种溶液中超声清洗15分钟，取出，吹干。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述电荷束缚石墨炔层为石墨炔纳米薄膜，通过等离子刻蚀、机械剥离、超声分散或化学气相沉积获得；所述石墨炔纳米薄膜的厚度为0.7-200纳米；步骤s3中，所述电荷传输二硫化钼层为二硫化钼纳米片，通过化学气相沉积法或者机械剥离获得，所述二硫化钼纳米片厚度为0.7-100纳米。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述石墨炔纳米薄膜利用湿法转移法转移到所述绝缘衬底上。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述二硫化钼纳米片为化学气相沉积法生长二硫化钼，利用湿法转移到含有所述石墨炔纳米薄膜的绝缘衬底上。