1.一种背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干光电掺杂区，且所述第一面暴露出所述光电掺杂区表面；
位于所述第一面上的电路器件层；
位于第二面上的抗反射增透层，且所述抗反射增透层覆盖若干所述光电掺杂区。
2.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述抗反射增透层的材料包括：氟化物、氧化物或者氮化物；所述氟化物包括：氟化镁或者氟化钡；所述氧化物包括：氧化铪、氧化锆、氧化钽或者三氧化二铝；所述氮化物包括：氮化硅或者氮氧硅化物。
3.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述抗反射增透层的厚度范围为：200埃～1500埃。
4.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述电路器件层包括：位于所述基底上的介质层；位于所述介质层内的若干栅极结构，所述若干栅极结构位于各个所述光电掺杂区表面，且若干所述栅极结构位于所述第一面上；位于所述介质层内的互连结构。
5.如权利要求4所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，若干所述栅极结构沿第一方向平行排列，若干所述栅极结构沿第二方向横跨一个所述光电掺杂区，所述第二方向垂直于所述第一方向。
6.如权利要求4所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述互连结构包括：位于栅极结构上的若干层重叠的导电层；位于相邻两层导电层之间、导电层与基底之间或导电层和栅极结构之间的导电插塞。
7.如权利要求4所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述介质层表面的第一保护层。
8.如权利要求7所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，还包括：位于第二面表面的第二保护层，且所述第二保护层位于所述抗反射增透层和基底之间。
10.如权利要求9所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述第二保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。
11.如权利要求4所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述栅极结构包括：位于第一面表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅电极层。
12.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述基底还包括：若干隔离区，所述隔离区位于相邻光电掺杂区之间；所述隔离区内具有隔离结构。
13.如权利要求1所述的背照式时间延迟积分图像传感器，其特征在于，所述基底掺杂有第一离子；所述光电掺杂区内掺杂有第二离子，且所述第一离子和第二离子的导电类型相反。
14.如权利要求1至13任一项所述背照式时间延迟积分图像传感器的形成方法，其特征在于，包括:
提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干光电掺杂区，且所述第一面暴露出所述光电掺杂区表面；
在所述第一面上形成电路器件层；
在所述第二面上形成抗反射增透层，且所述抗反射增透层覆盖若干所述光电掺杂区。
15.如权利要求14所述的背照式时间延迟积分图像传感器的形成方法，其特征在于，所述抗反射增透层的形成工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
16.如权利要求14所述的背照式时间延迟积分图像传感器的形成方法，其特征在于，所述电路器件层包括：位于基底上的介质层；位于所述介质层内的若干栅极结构，所述若干栅极结构位于各个所述光电掺杂区表面，且若干所述栅极结构位于第一面上；位于所述介质层内的互连结构；所述图像传感器的形成方法还包括：形成所述介质层之后，形成所述抗反射增透层之前，在所述介质层表面形成第一保护层。
17.如权利要求16所述的背照式时间延迟积分图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一保护层之后，形成所述抗反射增透层之前，在所述第二面表面形成第二保护层。
18.如权利要求17所述的背照式时间延迟积分图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一保护层之后，形成第二保护层之前，对所述基底进行减薄处理。