一种去除硅片玻璃层的方法、太阳能电池片及光伏组件与流程

本申请涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种去除硅片玻璃层的方法、太阳能电池片及光伏组件。

背景技术：

隧穿钝化氧化(tunneloxidepassivatedcontact，topcon)技术是在硅片背面制备一层隧穿氧化层和一层掺杂的多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，可以有效提高电池的效率，成为几年来光伏行业的研究热点。

在硅片背面形成掺杂的多晶硅层后，需要去除硅片正面绕镀的多晶硅层和背面的磷硅玻璃(psg)和正面多晶硅绕镀下的硼硅玻璃(bsg)。目前去除psg或者bsg时，将去绕镀的硅片直接放入配置完成的清洗液药槽中进行清洗，由于清洗液初配完成时，浓度分布不均匀，硅片放入后局部反应剧烈，刻蚀效果不够均匀，psg或者bsg去除不彻底，导致硅片的少子寿命和pl(光致发光)亮度低。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现要素：

本申请的目的是提供一种去除硅片玻璃层的方法、太阳能电池片及光伏组件，以改善刻蚀玻璃层的均匀性，提高硅片的少子寿命。

为解决上述技术问题，本申请提供一种去除硅片玻璃层的方法，包括：

获取与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片，其中，所述玻璃层为磷硅玻璃或者硼硅玻璃；

将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀，并将刻蚀后的激活硅片取出，得到激活刻蚀液；

将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀，得到去除所述玻璃层的硅片。

可选的，在所述得到去除所述玻璃层的硅片之后，还包括：

清洁所述硅片，得到清洁后硅片；

烘干所述清洁后硅片，得到处理后硅片。

可选的，所述hf-hcl混合刻蚀液中hf的体积分数为3％至6％，hcl体积分数为3％至6％，包括端点值。

可选的，所述将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀的刻蚀时间为5分钟至7分钟，包括端点值。

可选的，所述将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀的刻蚀时间为5分钟至7分钟，包括端点值。

可选的，所述清洁所述硅片的清洁时间为4分钟至6分钟，包括端点值。

可选的，所述烘干所述清洁后硅片的烘干温度为80℃至90℃，烘干时间为10分钟至20分钟，包括端点值。

本申请还提供一种太阳能电池片，所述太阳能电池片由上述任一种所述的去除硅片玻璃层的方法获得的硅片制得。

本申请还提供一种光伏组件，所述光伏组件包括由下至上依次层叠的背板、第一胶膜层、电池层、第二胶膜层、基板，其中，所述电池层包括多片上述所述的太阳能电池片。

本申请所提供的去除硅片玻璃层的方法，包括获取与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片，其中，所述玻璃层为磷硅玻璃或者硼硅玻璃，所述待去除玻璃层的硅片为去绕镀后硅片；将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀，并将刻蚀后的激活硅片取出，得到激活刻蚀液；将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀，得到去除所述玻璃层的硅片。

可见，本申请中的去除硅片玻璃层的方法先将与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片放入hf-hcl混合刻蚀液中，激活硅片与hf-hcl混合刻蚀液进行反应，得到的激活刻蚀液的浓度分布更加均匀，同时激活硅片与hf反应的产物还可以作为缓冲剂，当待去除玻璃层的硅片置于激活刻蚀液中后，与激活刻蚀液发生反应时的均匀性、平稳性得到提高，从而提升硅片的少子寿命和pl亮度。此外，本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池片及光伏组件。

附图说明

为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例所提供的一种去除硅片玻璃层的方法的流程图；

图2为本申请实施例所提供的另一种去除硅片玻璃层的方法的流程图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，目前去除psg或者bsg时，将去绕镀的硅片直接放入配置完成的清洗液药槽中进行清洗，psg或者bsg的刻蚀效果不够均匀。

有鉴于此，本申请提供了一种去除硅片玻璃层的方法，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种去除硅片玻璃层的方法的流程图，该方法包括：

步骤s101：获取与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片，其中，所述玻璃层为磷硅玻璃或者硼硅玻璃。

可以理解的是，当待去除玻璃层的硅片为n型硅片时，玻璃层为硼硅玻璃，当待去除玻璃层的硅片为p型硅片时，玻璃层为磷硅玻璃。

一般的，需要去除玻璃层的硅片是去除绕镀后的硅片，可以直接从待去除玻璃层的硅片中取出若干片作为激活硅片。

步骤s102：将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀，并将刻蚀后的激活硅片取出，得到激活刻蚀液。

具体的，hf-hcl混合刻蚀液由hf溶液和hcl溶液混合而成。

优选地，所述hf-hcl混合刻蚀液中hf的体积分数为3％至6％，hcl体积分数为3％至6％，包括端点值，更优选地，hf和hcl的体积分数均为4.8％。

优选地，所述将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀的刻蚀时间为5分钟至7分钟，包括端点值，更优选地，激活硅片的刻蚀时间为6分钟。

需要指出的是，激活硅片的刻蚀温度为室温，能量消耗低。

步骤s103：将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀，得到去除所述玻璃层的硅片。

优选地，所述将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀的刻蚀时间为5分钟至7分钟，包括端点值更优选地，待去除玻璃层的硅片的刻蚀时间为6分钟。

需要指出的是，待去除玻璃层的硅片的刻蚀温度为室温，能量消耗低。

本实施例中的去除硅片玻璃层的方法先将与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片放入hf-hcl混合刻蚀液中，激活硅片与hf-hcl混合刻蚀液进行反应，得到的激活刻蚀液的浓度分布更加均匀，同时激活硅片与hf反应的产物还可以作为缓冲剂，当待去除玻璃层的硅片置于激活刻蚀液中后，与激活刻蚀液发生反应时的均匀性、平稳性得到提高，从而提升硅片的少子寿命和pl亮度。

请参考图2，图2为本申请实施例所提供的一种去除硅片玻璃层的方法的流程图，该方法包括：

步骤s201：获取与待去除玻璃层的硅片相同的激活硅片，其中，所述玻璃层为磷硅玻璃或者硼硅玻璃。

步骤s202：将所述激活硅片置于hf-hcl混合刻蚀液中进行刻蚀，并将刻蚀后的激活硅片取出，得到激活刻蚀液。

步骤s203：将所述待去除玻璃层的硅片置于所述激活刻蚀液中进行刻蚀，得到去除所述玻璃层的硅片。

步骤s204：清洁所述硅片，得到清洁后硅片。

具体的，对硅片进行纯水溢流鼓氮清洗，清洗温度为室温。

优选地，所述清洁所述硅片的清洁时间为4分钟至6分钟，包括端点值，更优地，清洗时间为5分钟。

步骤s205：烘干所述清洁后硅片，得到处理后硅片。

具体的，将清洁后硅片置于烘干槽中进行烘干。

优选地，所述烘干所述清洁后硅片的烘干温度为80℃至90℃，烘干时间为10分钟至20分钟，包括端点值，更优地，烘干温度为90℃，烘干时间为20分钟。

本申请还提供一种太阳能电池片，所述太阳能电池片由上述任一种所述的去除硅片玻璃层的方法获得的硅片制得，在硅片上继续沉积钝化层、印刷电极等，具体制作工艺流程已为本领域技术人员所熟知，此处不再详细赘述。

本申请还提供一种光伏组件，所述光伏组件包括由下至上依次层叠的背板、第一胶膜层、电池层、第二胶膜层、基板，其中，所述电池层包括多片上述的太阳能电池片。其中，第一胶膜层、第二胶膜层可以为eva胶膜。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上对本申请所提供的去除硅片玻璃层的方法、太阳能电池片及光伏组件进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。