显示装置的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月27日提交的韩国专利申请no.10-2018-0170527的权益，通过引用将该专利申请结合在此，如同在此完全阐述一样。

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种其中设置有相机的显示装置。

背景技术：

显示设备在显示区域中包括各种显示装置，比如液晶显示装置或有机发光装置。在这些显示装置中，已研究了通过使用设置在显示装置内部且配置成与显示区域相配合工作的相机来适用各种应用的方法。

为了在显示装置内部设置相机，必须在显示装置中设置用于放置相机的相机孔。通常，通过激光束照射从显示装置去除部分区域的工艺来获得相机孔。

然而，对于通过激光束照射从显示装置去除部分区域的工艺，可产生诸如裂纹之类的损坏。此外，裂纹可延伸至显示区域，使得可导致诸如画面质量劣化和显示装置劣化之类的问题。

技术实现要素：

鉴于上述问题研究了本发明，本发明的一个目的是提供一种显示装置，能够防止当形成相机孔时可能产生的诸如裂纹之类的损坏延伸至显示区域。

根据本发明的一个方面，可通过提供一种显示装置实现上述和其他目的，所述显示装置包括：孔区域；配置成围绕所述孔区域的缓冲区域；和配置成围绕所述缓冲区域的显示区域，其中所述显示区域设置有包括栅极电极、源极电极和漏极电极的薄膜晶体管，所述缓冲区域设置有损坏防止部，所述损坏防止部配置成防止在用于形成所述孔区域的工艺过程中产生的损坏延伸至所述显示区域，并且所述损坏防止部由与所述源极电极和所述漏极电极相同的材料形成。

根据本发明的另一个方面，提供了一种显示装置，包括基板和所述基板上的电路器件层，其中所述显示装置包括配置成穿透所述基板和所述电路器件层的孔区域、以及配置成围绕所述孔区域的缓冲区域，在所述缓冲区域中设置有损坏防止部，并且所述损坏防止部的面对所述孔区域的一个侧表面设置成朝向远离所述孔区域的方向凹入的凹槽结构。

根据本发明的一个实施方式，设置缓冲区域来围绕孔区域，并且在缓冲区域中设置损坏防止部，使得可防止当形成孔区域时可能产生的损坏延伸至显示区域。尤其是，根据本发明的一个实施方式，损坏防止部由与显示区域中的源极电极和漏极电极相同的材料形成，并且通过与显示区域中的源极电极和漏极电极相同的图案化工艺制造，由此不必执行用于形成损坏防止部的附加工艺，因而实现简化的制造工艺并且将制造成本的增加最小化。

此外，根据本发明的一个实施方式，相机区域和缓冲区域被显示区域围绕，由此与相机区域和缓冲区域被非显示区域围绕并设置在显示区域的外围中的情形相比，可增加显示区域的尺寸。

附图说明

将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本发明的上述和其他的目的、特征和其他优点，其中：

图1是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的大致平面图；

图2是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的大致剖面图，其对应于沿图1的a-b的剖面；

图3是图解根据本发明一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图4是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图5是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置的大致剖面图，其中通过对图2的显示装置应用激光切割工艺来形成相机孔，并且在相机孔中放置相机；

图6是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图7是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图8是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图9是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图；

图10是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置的大致剖面图；

图11至图13是图解根据本发明各实施方式的显示装置的大致平面图；

图14和图15是图解根据本发明各实施方式的显示装置的大致平面图。

具体实施方式

将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。

为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。

在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”描述的情况下，可添加另外的部分，除非使用了“仅”。

在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在这两部分之间布置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。

将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅仅是用来将要素彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，相似地，第二要素可能被称为第一要素。

应当理解，术语“至少一个”包括与任一个项目相关的所有组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素中的至少一个”可包括选自第一要素、第二要素和第三要素中的两个或更多个要素的所有组合以及第一要素、第二要素和第三要素的每一个。

如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。

下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。

如图1中所示，根据本发明一个实施方式的显示装置包括显示区域da、非显示区域nda、孔区域ca和缓冲区域ba。

显示区域da设置在显示装置的中部，并且在显示区域da上显示图像。在显示区域da中，可设置有所属领域技术人员通常已知的各种显示装置，例如，有机发光装置或液晶显示装置。这种图像显示装置包括多个像素，其中多个像素包括多条信号线和多个薄膜晶体管。

非显示区域nda设置在显示区域da的外围。在非显示区域nda中，存在驱动器和连线部(linkportion)，驱动器配置成向显示区域da中的多条信号线提供各种信号，连线部配置成将驱动器与多条信号线连接。驱动器包括配置成向栅极线提供栅极信号的栅极驱动器和配置成向数据线提供数据信号的数据驱动器。

孔区域ca设置在显示区域da的内部。孔区域ca对应于要设置相机的区域，在孔区域ca上不显示图像。孔区域ca可形成为圆形形状。

缓冲区域ba设置在孔区域ca与显示区域da之间。尤其是，缓冲区域ba设置成围绕孔区域ca的外围区域，使得缓冲区域ba可形成为与孔区域ca的形状对应的形状。例如，孔区域ca形成为圆形形状，缓冲区域ba可形成为圆形多纳圈(doughnut)或管形状。

由于缓冲区域ba将孔区域ca和显示区域da彼此分离，所以可防止孔区域ca受显示区域da影响，并且还可防止显示区域da受孔区域ca影响。详细地说，缓冲区域ba防止形成在显示区域da中的有机封装层渗透到孔区域ca中，并且还防止在形成孔区域ca的工艺过程中可能产生的诸如裂纹之类的损坏传递至显示区域da。

在平面图上，孔区域ca和缓冲区域ba可相对于显示区域da的第一轴(例如，x轴)来说位于中心，或者可相对于显示区域da的第二轴(例如，y轴)来说位于中心与一端(例如，上端或下端)之间，尤其是，可与一端相邻设置，但不是必须的，其中第二轴垂直于第一轴。

缓冲区域ba和孔区域ca可在与非显示区域nda分隔开的同时设置在显示区域da的内部。就是说，缓冲区域ba被显示区域da围绕，并且在孔区域ca与显示区域da之间插置有缓冲区域ba的同时孔区域ca被显示区域da围绕。

当孔区域ca和缓冲区域ba设置在非显示区域nda中时，非显示区域nda的尺寸在y轴方向上增加，由此显示区域da的尺寸减小了非显示区域nda所增加的尺寸。

然而，根据本发明的一个实施方式，孔区域ca和缓冲区域ba被显示区域da围绕，使得显示区域da的尺寸在y轴方向上不会减小。

在本发明中，孔区域ca对应于形成用于在其中放置相机的孔的区域。下文中，将假设孔区域ca是其中放置相机的相机区域ca来进行解释。

下文中，将参照剖面结构详细描述根据本发明一个实施方式的显示装置。

图2是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的大致剖面图，其对应于沿图1的a-b的剖面。图2图解了包括有机发光装置的显示装置。此外，图2显示了通过激光切割工艺形成相机孔之前的状态。

如图2中所示，根据本发明一个实施方式的显示装置包括显示区域da、缓冲区域ba和相机区域ca。

首先，将描述显示区域da。在基板100的显示区域da上，存在电路器件层200、第一电极300、堤部400、发光层500、第二电极600、以及封装层710，720和730。

基板100可由透明玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。当根据本发明一个实施方式的显示装置包括顶部发光型有机发光装置时，基板100可由不透明材料形成。

电路器件层200设置在基板100上。在电路器件层200中，针对每个像素设置有包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件。多条信号线可包括栅极线、数据线、电源线和基准线。多个薄膜晶体管可包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。在图2中，在电路器件层200中仅示出了驱动薄膜晶体管。

电路器件层200包括有源层210、栅极绝缘层220、栅极电极230、层间绝缘层240、源极电极251、漏极电极252、钝化层260和平坦化层270。

有源层210被图案化在基板100上。栅极绝缘层220形成在有源层210与栅极电极230之间。栅极电极230在形成在栅极绝缘层220上的同时与有源层210交叠。层间绝缘层240设置在栅极电极230与源极电极251之间，并且还设置在栅极电极230与漏极电极252之间。源极电极251和漏极电极252在层间绝缘层240上彼此相对。此外，源极电极251和漏极电极252分别通过设置在层间绝缘层240和栅极绝缘层220中的接触孔与有源层210连接。钝化层260形成在源极电极251和漏极电极252上，并且平坦化层270形成在钝化层260上。栅极绝缘层220、层间绝缘层240和钝化层260的每一个由具有相对较小厚度的无机绝缘层形成，并且平坦化层270由具有相对较大厚度的有机绝缘层形成。驱动薄膜晶体管的这种结构可以以所属领域技术人员通常已知的各种方式进行变化。

第一电极300在设置在电路器件层200上的同时针对每个像素被图案化。第一电极300可用作有机发光装置的阳极电极。第一电极300通过设置在钝化层260和平坦化层270中的接触孔与驱动薄膜晶体管的漏极电极252连接。需要的话，第一电极300可通过设置在钝化层260和平坦化层270中的接触孔与驱动薄膜晶体管的源极电极251连接。

堤部400在设置在电路器件层200上并且配置成覆盖第一电极300的边缘的同时形成在每个像素之间的边界中。第一电极300的未被堤部400覆盖而暴露的暴露部分形成发光区域。

发光层500形成在第一电极300上。发光层500可设置成发射白色光。为此，发光层500可包括用于发射不同颜色光的多个叠层。例如，发光层500可包括用于发射蓝色光的第一叠层、用于发射黄绿色光的第二叠层、以及设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷生成层。发射白色光的发光层500可在多个像素中彼此连接。同时，发光层500可包括在多个像素中彼此分离的同时被图案化的蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。

第二电极600设置在发光层500上。第二电极600可用作有机发光装置的阴极。第二电极600可在多个像素中彼此连接。

封装层710，720和730设置在第二电极600上。封装层710，720和730可包括第一封装层710、第二封装层720和第三封装层730。第一封装层710设置在第二电极600上，第二封装层720设置在第一封装层710上，并且第三封装层730设置在第二封装层720上。第一封装层710和第三封装层730由无机绝缘层形成并且防止外部湿气渗透到发光层500中。第二封装层720由有机绝缘材料形成并且吸收外部渗透的湿气，从而防止湿气渗透到发光层500中。此外，第二封装层720覆盖外部粒子并且还吸收外部冲击。

下文将描述缓冲区域ba。在基板100的缓冲区域ba上，存在栅极绝缘层220、层间绝缘层240、钝化层260、平坦化层270、堰(dam)结构450、第二电极600、封装层710，720和730、以及损坏防止部800。

在缓冲区域ba中可形成有无机绝缘层或有机绝缘层，比如构成电路器件层200的栅极绝缘层220、层间绝缘层240、钝化层260和平坦化层270，并且未形成前述的薄膜晶体管。并且，在缓冲区域ba中可不设置其他电路器件。

栅极绝缘层220和层间绝缘层240可设置在整个缓冲区域ba中。然而，钝化层260和平坦化层270可仅设置在缓冲区域ba的部分区域中，而不设置在缓冲区域ba的其余区域中。因此，缓冲区域ba中的层间绝缘层240的第一上表面240a被钝化层260和平坦化层270覆盖，并且缓冲区域ba中的层间绝缘层240的第二上表面240b未被钝化层260和平坦化层270覆盖而暴露。

堰结构450设置在平坦化层270上。就是说，堰结构450与层间绝缘层240的第一上表面240a交叠。堰结构450防止有机材料的第二封装层720流入相机区域ca。可将液体形式的第二封装层720涂布到第一封装层710上。在这种情形中，当液体形式的第二封装层720流入相机区域ca时，稍后要在相机区域ca中执行的激光切割工艺可能较困难。

因而，根据本发明的一个实施方式，在缓冲区域ba中形成堰结构450，使得可防止第二封装层720流入相机区域ca。最终，由于自与堰结构450交叠的区域到与损坏防止部800交叠的区域中的相应区域中未设置第二封装层720，所以在未设置第二封装层720的相应区域中，第三封装层730的下表面与第一封装层710的上表面接触。

堰结构450可包括第一堰结构451和第二堰结构452。第一堰结构451和堤部400可由相同材料形成并且可以以相同高度图案化。第二堰结构452设置在第一堰结构451上，使得可增加堰结构450的整体高度。第二堰结构452的下表面的宽度可小于第一堰结构451的上表面的宽度，但不限于这种结构。

第二电极600可形成在整个缓冲区域ba中。详细地说，第二电极600可沿着堰结构450和平坦化层270的上表面和侧表面，从平坦化层270的上表面上方的区域延伸至层间绝缘层240的第二上表面240b和损坏防止部800的上表面上方的区域。

在封装层710，720和730中，第二封装层720被堰结构450阻挡，由此第二封装层720可仅延伸至堰结构450的前方，更具体地，延伸至堰结构450中的与相机区域ca相反的区域对应的前方。同时，第一封装层710和第三封装层730可设置在整个缓冲区域ba中。因此，第一封装层710在第二电极600的上表面上沿着第二电极600的上表面延伸，并且第三封装层730在第一封装层710的上表面上沿着第一封装层710的上表面延伸。因而，第一封装层710和第三封装层730的每一个可与平坦化层270、堰结构450、层间绝缘层240的第二上表面240b和损坏防止部800交叠。

损坏防止部800在与层间绝缘层240的第二上表面240b接触的同时进行设置。因而，损坏防止部800不与具有较大厚度的有机绝缘层的平坦化层270交叠。

以与显示区域da的上述源极电极251和漏极电极252相同的方式，将损坏防止部800设置在层间绝缘层240上。因而，损坏防止部800可由与源极电极251和漏极电极252相同的材料形成，并且可通过与源极电极251和漏极电极252相同的工艺被图案化。根据本发明的一个实施方式，损坏防止部800由与源极电极251和漏极电极252相同的材料形成，并且通过与源极电极251和漏极电极252相同的工艺被图案化，由此不必执行用于形成损坏防止部800的附加工艺，因而实现简化的制造工艺并且将制造成本的增加最小化。

损坏防止部800形成为与缓冲区域ba和相机区域ca之间的边界接触。由于损坏防止部800，可防止在相机区域ca中可能产生的诸如裂纹之类的损坏通过缓冲区域ba延伸至显示区域da。更详细地说，当通过激光切割工艺在相机区域ca中形成相机孔时，在激光切割工艺过程中在形成于相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的至少一个中可能产生诸如裂纹之类的损坏，并且诸如裂纹之类的损坏可能通过缓冲区域ba延伸至显示区域da。当形成在第二电极600中的裂纹延伸至显示区域da时，在发光层500中不会平稳地产生发光。此外，当形成在第一封装层710和第三封装层730中的裂纹延伸至显示区域da时，外部湿气可通过产生的裂纹渗透，由此加速发光层500的劣化。因而，根据本发明的一个实施方式，在缓冲区域ba中形成损坏防止部800，从而可防止在激光切割工艺过程中在相机区域ca中可能产生的裂纹延伸至显示区域da。

损坏防止部800配置成将在缓冲区域ba中的第二电极600及形成在其上的第一封装层710和第三封装层730与在相机区域ca中的第二电极600及形成在其上的第一封装层710和第三封装层730断开(或分离)。就是说，通过使用损坏防止部800将形成在缓冲区域ba中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730与形成在相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730断开。即使在形成于相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的至少一个中可产生诸如裂纹之类的损坏，这种损坏也很难延伸至缓冲区域ba。

下文中，将参照图3和图4描述根据本发明各实施方式的配置成将形成在缓冲区域ba中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730与形成在相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730断开的损坏防止部800的结构。

下文将描述相机区域ca。在基板100的相机区域ca上，存在栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730。

在相机区域ca中，未形成钝化层260和平坦化层270，使得有利于通过稍后执行的激光切割工艺形成相机孔。形成在相机区域ca中的栅极绝缘层220和层间绝缘层240分别与形成在缓冲区域ba和显示区域da中的栅极绝缘层220和层间绝缘层240连接。然而，形成在相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730不与形成在缓冲区域ba和显示区域da中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730连接。

图3是图解根据本发明一个实施方式的显示装置中的缓冲区域ba和相机区域ca的大致剖面图，其显示了根据本发明一个实施方式的损坏防止部800的剖面结构。图3显示了通过激光切割工艺形成相机孔之前的状态。

如图3中所示，根据本发明的一个实施方式，损坏防止部800可包括第一层810、第二层820和第三层830。第二层820设置在第一层810上，并且第三层830设置在第二层820上。

损坏防止部800可由与前述显示区域da的源极电极251和漏极电极252相同的材料形成，并且可设置在与前述显示区域da的源极电极251和漏极电极252相同的层中，由此源极电极251和漏极电极252的每一个可以以与损坏防止部800相同的方式具有三层结构。当损坏防止部800由与源极电极251和漏极电极252相同的材料形成时，第一层810、第二层820和第三层830可由导电材料形成。在这种情形中，第一层810和第三层830分别覆盖第二层820的下表面和上表面，使得可防止第二层820的腐蚀。为此，第一层810和第三层830可由与第二层820相比具有相对较低氧化度和相对较高抗腐蚀性的材料形成。此外，第二层820可由与第一层810和第三层830相比具有相对较低电阻的材料形成。为了降低三层结构中的总电阻，第二层820的厚度相对大于第一层810和第三层830的每一个的厚度。

由于损坏防止部800，设置在缓冲区域ba中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730与设置在相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730断开。详细地说，设置在缓冲区域ba中的损坏防止部800上的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730与设置在相机区域ca中的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730断开。

为此，第二层820的与相机区域ca面对的第一侧表面820a设置成朝向内方向，更具体地，朝向逐渐远离相机区域ca的方向凹入的凹槽结构。尤其是，在第二层820的第一侧表面820a中凹槽结构设置有具有预定倾斜度的曲线结构。

当第二层820的第一侧表面820a设置成凹槽结构时，第二电极600、第一封装层710和第三封装层730不会顺序地沉积在第二层820的第一侧表面820a的凹槽结构上，可设置成断开的结构。

同时，第二层820的宽度(w)，更具体地，第二层820的与相机区域ca相对的第一侧表面820a和与第一侧表面820a相反的第二侧表面820b之间的宽度(w)从第二层820的上部到第二层820的中部逐渐减小，然后从第二层820的中部到第二层820的下部逐渐增加，由此可在分别设置于第二层820下方和上方的第一层810和第三层830中实现稳定的沉积结构。

图4是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域ba和相机区域ca的大致剖面图，其显示了根据本发明另一个实施方式的损坏防止部800的剖面结构。图4显示了通过激光切割工艺形成相机孔之前的状态。

在图4的损坏防止部800的情形中，第二层820中的第一侧表面820a和第二侧表面820b都形成为凹槽结构。在这点上，图4的损坏防止部不同于图3的损坏防止部。

参照图4，第二层820的与相机区域ca相对的第一侧表面820a设置成朝向内方向，更具体地，朝向逐渐远离相机区域ca的方向凹入的凹槽结构。此外，第二层820的第二侧表面820b(对应于与第一侧表面820a相反的侧表面)设置成朝向内方向，更具体地，朝向逐渐靠近相机区域ca的方向凹入的凹槽结构。尤其是，在第二层820的第一侧表面820a和第二侧表面820b中凹槽结构设置有具有预定倾斜度的曲线结构。

因而，根据本发明的另一个实施方式，第二层820的第二侧表面820b形成为凹槽结构，由此设置在损坏防止部800的上表面上的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730与设置在缓冲区域ba的不与损坏防止部800交叠的部分区域上的，更具体地，设置在缓冲区域ba中的层间绝缘层240的第二上表面240b上的第二电极600、第一封装层710和第三封装层730断开。因而，可防止在相机区域ca中可能产生的诸如裂纹之类的损坏经由缓冲区域ba延伸至显示区域da。

同时，在图3和图4的结构中，损坏防止部800可形成为仅具有第二层820而不具有第一层810和第三层830的单层结构。

图5是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置的大致剖面图，其中通过对图2的显示装置应用激光切割工艺来形成相机孔，并且在相机孔中放置相机。因此，将在整个附图中使用相同的参考标记指代相同或相似的部分，并且将仅详细描述不同的结构。

如图5中所示，在基板100上的显示区域da和缓冲区域ba与图2的相同。然而，基板上的相机区域ca与图2的不同。详细地说，通过激光切割工艺去除了设置在相机区域ca中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730。

因此，相机区域ca设置有穿透从基板100到第三封装层730的区域的相机孔ch，并且相机910放置在相机孔ch中。因而，相机910在与缓冲区域ba中的基板100相同的平面上在与基板100相对的同时进行设置。

此外，在基板100的下方设置用于支撑相机910的支撑部900。支撑部900可设置在显示区域da、缓冲区域ba和相机区域ca的整个区域中。支撑部900可用作外部壳体。

图6是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图，其显示了对图3的具有损坏防止部800的显示装置应用激光切割工艺形成相机孔ch，并且在相机孔中放置相机910的一种情形。

图7是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图，其显示了对图3的具有损坏防止部800的显示装置应用激光切割工艺形成相机孔ch，并且在相机孔中放置相机910的另一种情形。

在图6的情形中，在图3的具有损坏防止部800的显示装置中，相机孔ch配置成穿透包括设置在相机区域ca中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730在内的整个区域。

因而，参照图6，相机孔ch形成在整个相机区域ca中，相机910放置在相机孔ch中，并且在基板100下方设置用于支撑相机910的支撑部900。因此，设置在缓冲区域ba中的损坏防止部800与相机孔ch接触。此外，相机910与缓冲区域ba的基板100相对。

同时，参照图7，在图3的具有损坏防止部800的显示装置中，相机孔ch配置成穿透设置在相机区域ca中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的部分区域。

因而，在图7的情形中，设置在缓冲区域ba中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的每一个延伸至相机区域ca。就是说，上述延伸至相机区域ca的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730未被激光切割工艺去除而是保留下来。

参照图7，相机孔ch设置在相机区域ca的部分区域中，相机910放置在相机孔ch中，并且在基板100下方设置用于支撑相机910的支撑部900。因此，设置在缓冲区域ba中的损坏防止部800不与相机孔ch接触，在损坏防止部800与相机孔ch之间设置有基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730。此外，相机910与延伸至相机区域ca的基板100相对。

若在如上面图6中所述的整个相机区域ca中形成相机孔ch的条件下产生加工误差时，则相机孔ch可侵入(invade)缓冲区域ba。因而，在图7的情形中，考虑到加工裕度，相机区域ca被设计为大于相机孔ch，使得可防止相机孔ch对缓冲区域ba的侵入。

图8是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图，其显示了对图4的具有损坏防止部800的显示装置应用激光切割工艺形成相机孔ch，并且在相机孔中放置相机910的一种情形。

图9是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置中的缓冲区域和相机区域的大致剖面图，其显示了对图4的具有损坏防止部800的显示装置应用激光切割工艺形成相机孔ch，并且在相机孔中放置相机910的另一种情形。

在图8的情形中，在图4的上述具有损坏防止部800的显示装置中，相机孔ch配置成穿透设置在相机区域ca中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的整个区域。

因而，参照图8，相机孔ch形成在整个相机区域ca中，相机910放置在相机孔ch中，并且在基板100的下方设置用于支撑相机910的支撑部900。因此，设置在缓冲区域ba中的损坏防止部800与相机孔ch接触。此外，相机910与缓冲区域ba的基板100相对。

同时，参照图9，在图4的具有损坏防止部800的显示装置中，相机孔ch配置成穿透设置在相机区域ca中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的部分区域。

因而，在图9的情形中，设置在缓冲区域ba中的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730的每一个延伸至相机区域ca。就是说，上述延伸至相机区域ca的基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730未被激光切割工艺去除而是保留下来。

参照图9，相机孔ch设置在相机区域ca的部分区域中，相机910放置在相机孔ch中，并且在基板100的下方设置用于支撑相机910的支撑部900。因此，设置在缓冲区域ba中的损坏防止部800不与相机孔ch接触，在损坏防止部800与相机孔ch之间设置有基板100、栅极绝缘层220、层间绝缘层240、第二电极600、第一封装层710和第三封装层730。此外，相机910与延伸至相机区域ca的基板100相对。

若在如上面图8中所述的整个相机区域ca中形成相机孔ch的条件下产生加工误差时，则相机孔ch可侵入缓冲区域ba。因而，在图9的情形中，考虑到加工裕度，相机区域ca被设计为大于相机孔ch，使得可防止相机孔ch对缓冲区域ba的侵入。

图10是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置的大致剖面图。除了损坏防止部800的位置之外，图10的显示装置在结构上与图5的显示装置相同。因此，将在整个附图中使用相同的参考标记指代相同或相似的部分，并且将仅详细描述不同的结构。

参照上面的图5，损坏防止部800与层间绝缘层240的第二上表面240b接触。而在图10的情形中，损坏防止部800与基板100的第二上表面100b接触。

就是说，参照图10，栅极绝缘层220、层间绝缘层240、钝化层260和平坦化层270设置在缓冲区域ba的部分区域中而不设置在缓冲区域ba的其余区域中。因而，缓冲区域ba中的基板100的第一上表面100a被栅极绝缘层220、层间绝缘层240、钝化层260和平坦化层270覆盖，然而，缓冲区域ba中的基板100的第二上表面100b未被栅极绝缘层220、层间绝缘层240、钝化层260和平坦化层270覆盖而是暴露。因此，损坏防止部800形成在基板100的第二上表面100b上。

在图10的结构中，在激光切割工艺之前在相机区域ca中未设置栅极绝缘层220和层间绝缘层240，使得可易于平稳地执行激光切割工艺。

尽管未详细示出，但图6至图8中所示的缓冲区域ba和相机区域ca的结构可等同地应用于图10的结构。

图11至图13是图解根据本发明各实施方式的显示装置的大致平面图。图11至图13中所示的相机区域ca和缓冲区域ba在平面图上的结构与图1的不同。

参照上面的图1，相机区域ca形成为圆形形状，缓冲区域ba形成为圆形多纳圈或管形状，以围绕相机区域ca。

然而，在图11的情形中，相机区域ca形成为矩形形状，并且缓冲区域ba形成为矩形多纳圈或管形状，以围绕相机区域ca。此外，在图12的情形中，相机区域ca形成为椭圆形形状，并且缓冲区域ba形成为椭圆形多纳圈或管形状，以围绕相机区域ca。此外，在图13的情形中，相机区域ca形成为三角形形状，并且缓冲区域ba形成为三角形多纳圈或管形状，以围绕相机区域ca。尽管未示出，但相机区域ca可形成为五边形或多边形形状，并且缓冲区域ba可形成为五边形或多边形多纳圈或者管形状，以围绕相机区域ca。

图14和图15是图解根据本发明各实施方式的显示装置的大致平面图。图14和图15中所示的相机区域ca和缓冲区域ba在平面图上的位置与图1的不同。

在图14的情形中，相机区域ca和缓冲区域ba在平面图上相对于显示区域da的x轴来说设置在显示区域da的中心与显示区域da的左端之间，更具体地，设置成靠近显示区域da的左端。在这点上，图14中所示的相机区域ca和缓冲区域ba的位置与图1的不同。

在图15的情形中，相机区域ca和缓冲区域ba在平面图上相对于显示区域da的x轴来说设置在显示区域da的中心与显示区域da的右端之间，更具体地，设置成靠近显示区域da的右端。在这点上，图15中所示的相机区域ca和缓冲区域ba的位置与图1的不同。

除了上面图14和图15的情形以外，相机区域ca和缓冲区域ba的位置可在被显示区域da围绕的同时以各种方法进行变化。

同时，由于相机区域ca和围绕相机区域ca的缓冲区域ba制备在显示区域da的内部，所以缓冲区域ba和相机区域ca被显示区域da围绕，但不限于这种结构。例如，相机区域ca和围绕相机区域ca的缓冲区域ba可制备在非显示区域nda的内部，由此缓冲区域ba和相机区域ca可被非显示区域nda围绕。

尽管缓冲区域ba和相机区域ca被非显示区域nda围绕，但缓冲区域ba和相机区域ca的每一个中的结构可与前述实施方式相同。

除了如上所述本发明的效果以外，所属领域技术人员还将从本发明上面的描述清楚地理解到本发明的其他优点和特征。对于所属领域的技术人员显而易见的是，上述本发明不受上述实施方式和附图限制，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中做出各种替换、修改和变化。因此，本发明的范围由所附权利要求书限定，从权利要求的含义、范围和等同概念得到的所有变形或修改都旨在落入本发明的范围内。