技术总结
本发明公开了一种基于MOS管的忆容器及其制备方法。该忆容器的结构为：在衬底上依次生长有第一氧化物介质层、CuOx纳米晶层、第二氧化物介质层以及顶电极。通过在氧化物介质层中掺入具有忆阻特性的CuOx纳米晶，构成介电常数可调的复合介质层，从而使器件具有电容可调的功能。本发明的忆容器具有结构简单、环境友好、电容调节方便、可调范围大(可调率超过3000％)和可重构等优点。
技术研发人员：商尚炀;夏奕东
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2019.12.16
技术公布日：2020.04.03