1.一种高可靠IGBT功率模块，包括管壳（1）和氮化铝覆铜基板（5），其特征在于：所述管壳（1）包括管壳底座（2）、侧壁（3）和外引线（4），所述氮化铝覆铜基板（5）通过高温焊接安置于所述管壳底座（2）上，且氮化铝覆铜基板（5）上通过软焊料真空共晶焊接有IGBT芯片（6）和软恢复二极管芯片（7），所述氮化铝覆铜基板上设有焊盘（9），且焊盘（9）之间、焊盘（9）与外引线（4）之间、元器件与外引线（4）之间均通过硅铝丝（8）构成电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述IGBT芯片（6）包括电阻Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6，所述软恢复二极管芯片（7）包括电阻D1、D2、D3、D4、D5、D6，且IGBT芯片（6）和软恢复二极管芯片（7）配对使用。
3.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D1的负极与Q1的集电极连接后与输入C极连接，所述D1的正极与Q1的发射极连接后与输出U极连接，且Q1的栅极与输出端G1相连接，Q1的发射极与输出端E1相连接。
4.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D2的负极与Q2的集电极连接后与输出端U极连接，所述D2的正极与Q2的发射极连接后与输入端E极连接，且Q2的栅极与输出端G2相连接，Q2的发射极与输出端E2相连接。
5.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D3的负极与Q3的集电极连接后与输入端C极连接，所述D3的正极与Q3的发射极连接后与输出端V极连接，且Q3的栅极与输出端G3相连接，Q3的发射极与输出端E3相连接。
6.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D4的负极与Q4的集电极连接后与输出端V极连接，所述D4的正极与Q4的发射极连接后与输入端E极连接，且Q4的栅极与输出端G4相连接，Q4的发射极与输出端E4相连接。
7.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D5的负极与Q5的集电极连接后与输入端C极连接，所述D5的正极与Q5的发射极连接后与输出端W极连接，且Q5的栅极与输出端G5相连接，Q5的发射极与输出端E5相连接。
8.根据权利要求2所述的一种高可靠IGBT功率模块，其特征在于：所述D6的负极与Q6的集电极连接后与输出端W极连接，所述D6的正极与Q6的发射极连接后与输入端E极连接，且Q6的栅极与输出端G6相连接，Q6的发射极与输出端E6相连接。