本实用新型涉及射频滤波器，具体地，涉及一种共振腔型射频滤波器。
背景技术：
：：共振腔型射频滤波器(以下简称为“滤波器”)具有在一般金属材料外壳内部形成的立方体等形状的多个收容空间，即共振腔(cavity)。在各共振腔内部分别具有共振元件并产生高频共振，所述共振元件由如电介质共振元件(DR：DielectricResonanceelement)或者金属共振棒构成。根据情况，还可以具有无电介质共振元件而基于共振腔自身的形状产生共振的结构。此外，在如上所述的共振腔型射频滤波器中，一般共振腔结构的上部具有用于遮蔽所述共振腔的开放面的盖子，盖子上作为用于调谐所述射频滤波器的过滤特性的调谐结构、可设置有多个调谐螺栓及用于固定所述调谐螺栓的螺母。作为共振腔型射频滤波器的一例，可例举本实用新型申请人在先申请的国内公开专利公报第10-2004-100084号(名称：“射频滤波器”，公开日：2004年12月02日，发明人：朴钟圭以外2名)中记载的内容。这种共振腔型射频滤波器在无线通信系统中用于处理无线收发信号，尤其，具有代表性的是在移动通信系统的基站或者中继机等中的应用。近来，基于移动通信系统中对增大数据处理容量的需求，为了解除无线数据通信量激增的问题，提出了安装大量(超)小型基站的方案。与此同时，为了轻量化及小型化安装在基站内的无线信号处理装备，正在不断地进行相关的技术研发。特别地，共振腔型滤波器由于具有共振腔的结构特性，要求较大的尺寸。这种共振腔型滤波器的小型化、轻量化逐渐成为主要考虑事项。另外，射频滤波器的重要特征还包括插入损失和裙边特性(skirtproperty)。插入损伤是指信号通过滤波器时损伤的功率，裙边特性是指滤波器的通频带和抑制频带的倾斜度。插入损伤和裙边特性基于滤波器的级数(次数)存在相互权衡(TradeOff)的关系。随着滤波器级数的增加裙边特性变优而插入损伤变劣的关系成立。在不提高滤波器的级数的同时为了改善滤波器的裙边特性，主要使用形成陷波(衰减极)的方法。形成陷波的方法中最普遍的是交叉耦合方法。交叉耦合方式的陷波结构具有使位于一般电路学上非连续的两个共振腔内部的共振元件之间的金属加工物例如金属棒贯穿共振腔之间的分隔壁并形成共振元件间的电容耦合的结构。这种金属棒以贯穿用于区分两个共振腔之间的内壁的形式设置。此时，为了将金属棒与内壁电性隔离，金属棒的外部利用如铁氟龙的电介质材料(未图示)的支架材料包裹之后结合在内壁上。此时，内壁中用于设置金属棒的部位也可以以贯穿孔的结构形成。但是，由于在内壁上形成贯穿孔的作业十分困难，因此一般的作业是，通过部分地去除内壁上端，在所述去除后的部位上设置利用所述支架材料包裹的金属棒。这种支架材料不仅使金属棒具有绝缘作用，而且具有与所述内壁中去除后的部位的形状相吻合的形态，通过在所述设置位置上固定，最终以固定的形式支撑金属棒。作为利用这种交叉耦合方法的形成陷波有关的技术，可例举如'K&LMicrowave'公司的美国专利号码第6，342，825号(名称：“Bandpassfilterhavingtri-section”，发明人：RafiHershtig，授权日：2002年1月29日)，或者”RADIOFREQUENCYSYSTEMS”公司的美国专利号码第6，836，198号(名称：“Adjustablecapacitivecouplingstructure”，发明人：BillEngst，授权日：2004年12月28日)中的记载。在构建应用于(超)小型基站中的(超)小型的共振腔型滤波器时，也几乎必须用到利用这种交叉耦合方式的陷波结构。此时，由于小型滤波器的特性，受到空间及尺寸的制约，为了在使用交叉耦合方式的陷波结构中获得所需的耦合量，需要将共振元件与金属棒间的距离设计为十分接近。然而，利用金属加工中通常使用的例如，约+/-0.03～0.05mm程度的加工公差，很难准确地构建以使共振元件与金属棒间的距离对应于所要求的耦合量，由此，产品间的交叉耦合量发生严重的偏差。由此，在(超)小型滤波器上应用的交叉耦合方式的陷波结构中，想要将设计的结构实施为实际产品时，在制作及设置交叉耦合结构的金属棒(及共振元件)时，需要十分高的加工精度。例如，对于金属棒和共振元件之间的间隔，要求约0.01mm以下的加工公差。但是，对加工公差要求十分精密时，将会加重加工作业的难度，将会增加加工时间，这最终导致加工比上升，生产良率下降，导致不易进行批量生产。技术实现要素：(一)要解决的技术问题由此，本揭示中想要解决的技术问题是，提供一种即使存在加工公差也容易地进行微调谐的射频滤波器。此外，本揭示中想要解决的另一技术问题是，提供一种具有可更加小型化和轻量化的交叉耦合陷波结构的共振腔型射频滤波器。此外，本揭示中想要解决的又一技术问题是，提供一种具有更加简单、制造容易、具有稳定的结构且具有可提供稳定的陷波特性的交叉耦合陷波结构的共振腔型射频滤波器。本实用新型想要解决的技术问题不限于以上所述，没有提及的另外的技术问题通过以下记载也能够被本
技术领域：
：的技术人员所明确理解。(二)技术方案为了解决所述技术问题，本实用新型的一方面涉及的射频滤波器包括中空型外壳，其具有形成多个共振腔(cavity)的多个分隔壁及一侧具有开放面；盖子，其用于遮蔽所述外壳的开放面；多个共振元件，其位于所述外壳的所述共振腔内；耦合基板，其横跨所述多个共振元件中至少两个共振元件之间的分隔壁；以及调谐螺栓，其贯穿所述盖子并穿入所述外壳内部。另外，还包括支撑窗和调谐窗，所述耦合基板贯穿所述支撑窗且所述耦合基板横跨的分隔壁基于所述开放面以第一深度形成；所述调谐窗基于所述开放面以大于所述第一深度的第二深度形成且其中穿入有所述调谐螺栓。另外，支撑窗及调谐窗在所述耦合基板横跨的分隔壁上形成'┑'形状的窗结构。另外，所述多个共振元件中至少两个共振元件之间的感应系数随着射频滤波器随着调谐螺栓向所述调谐窗内部穿入的深度的深入而增肌。另外，耦合基板包括基座基板及所述基座基板的至少一面上形成的导电图案层，其中，所述导电图案层包括接近所述两个共振元件布置的多个电容性垫块部及连接所述电容性垫块部的连接线路部。另外，所述基座基板及所述导电图案层中一个以上具有哑铃形状。另外，所述基座基板具有矩形形状，而且还包括可供所述调谐螺栓贯穿的螺栓贯穿孔。另外，所述耦合基板沿着所述外壳的高度方向布置，所述电容性垫块部以与所述两个共振元件的共振棒并排且接近的形式布置。另外，所述基座基板的另一面附着在形成所述支撑窗的一侧的所述分隔壁的一侧壁上。另外，通过去掉所述耦合基板横跨的分隔壁的一部形成所述支撑窗，所述耦合基板布置在形成所述支撑窗下部的分隔壁的支撑坎上。另外，所述耦合基板通过焊接粘贴在所述支撑坎上。另外，还包括形成在所述支撑坎上且与连接所述两个共振元件的直线平行且延长的安置槽，所述耦合基板的至少一部分布置在所述安置槽的内部。本实用新型的其它具体思想包含在详细说明及附图中。附图说明图1是本实用新型一实施例涉及的共振腔型射频滤波器的分解透视图。图2是图1的射频滤波器中以虚线方框表示的A部分的截面图。图3是图2的Ⅲ-Ⅲ'部分的截面图。图4是耦合基板的俯视图。图5是图示本实用新型另一实施例涉及的耦合基板支撑结构的部分截面图。图6是图示在本实用新型另一实施例涉及的耦合支撑结构中布置耦合基板的模样的部分截面图。图7是本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的四边形耦合基板的俯视图。图8是图示图7所示的本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的四边形耦合基板支撑在分隔壁上的模样的部分截面图。图9是本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的部分分解透视图。图10是图9所示的实施例的部分横截面图。图11是图9所示的实施例的部分纵截面图。具体实施方式以下参照附图对本实用新型的实施例进行详细说明如下。标注附图标记时，即使相同技术特征在不同的附图中出现，也尽可能使用了相同的附图标记。而且，还要注意，在通篇说明书中，如果认为对相关已知的技术特征和功能的具体说明可能会导致本实用新型主题不清楚，则省略其详细说明。以下参照附图，对本实用新型涉及的实施例进行详细说明。图1是本实用新型一实施例涉及的共振腔型射频滤波器的分解透视图。参照图1，本实用新型一实施例涉及的共振腔型射频滤波器包括中空型外壳20、盖子10、多个共振元件31～37、耦合基板51及调谐螺栓61。一实施例中，共振腔型射频滤波器具有盒体，所述盒体具有多个内部为中空，且与外部阻断的共振腔(例如，如图1所示为7个)。一实施例中，盒体包括形成有共振腔(例如7个)，且一侧(例如，上侧)可形成开放面的外壳20及用于遮蔽所述外壳20的开放面的盖子10。盖子10和外壳20也可以具有基于激光焊接或者锡焊等结合的结构，除此之外，还可以基于固定螺栓(未图示)以螺栓结合方式进行结合。所述外壳20和盖子10可由金属例如铝或者金属合金等的材料构成，为了改善电学特性，至少在形成共振腔的面可通过银或者铜材料进行镀金。所述共振元件也可以由铝(合金)或者铁(合金)等的材料构成，可利用银或者铜材料进行镀金。图1中图示的实施例中例举了在外壳20内部以多级连接例如7个共振腔的结构。即，可图示7个共振腔结构依次连接的结构。外壳20的各共振腔的中心部上分别具有共振元件31、32、33、34、35、36及37。此外，为了在外壳20中使各共振腔结构形成依次相互耦合结构，依次相互连接结构的共振腔结构之间形成有耦合窗口以作为连接通路结构。这种耦合窗口可通过在相当于共振腔结构的相互间的分隔壁201、202、203、204及205的部位，以预先设定的尺寸，以去除一定部分的形态形成。在所述图1图示的结构中，各共振元件31、32、33、34、34、35、36及37中至少一部分可具有相同的结构。只是，在图1图示的实施例中，为了便于说明，例举的所有共振元件都具有相同的结构。例如，第一共振元件至第七共振元件31～37分别可由具有圆形平板形状的平板部，以及用于固定及支撑平板部的支撑台的结构构成，各支撑台设置在对应共振腔的内部底面，即外壳20上。各共振元件31～37中平板部及支撑台的更加详细的结构基于对应滤波器的设计条件可具有各种结构，也可以以具体结构相互不同的共振元件混用的形式构成。盖子10上可形成有与各共振腔结构的共振元件31～37对应且用于频率调谐的第一凹陷结构至第七凹陷结构101、102、103、104、105、106及107。此外，除此之外，在盖子10上与耦合窗口对应的部位上形成有多个耦合调谐螺栓孔111，所述耦合窗口在外壳20上作为各共振腔结构的连接通路结构。耦合调谐螺栓孔111中以适当的深度插入有用于耦合调谐的耦合调谐螺栓41，从而还可执行耦合调谐作业。此时，耦合调谐螺栓41可额外利用如环氧树脂等的其他粘合剂进行固定。此外，所述射频滤波器的输入端子21和输出端子22可通过形成在外壳20一侧面的贯穿孔等进行设置。图1的示例中，例举了输入端子21与第一共振元件31连接，输出端子22与第七共振元件37连接的形态。此时，例如，输入端子21的延长线路(未图示)与第一共振元件31的支撑台的构成可通过直接连接的方式连接，或者以非接触耦合方式进行连接。上述中，盖子10的结构与在具有通常共振腔结构的射频滤波器上应用时的方式具有相类似的结构。但是，例如可具有基于本实用新型申请人国内在先申请的国内专利公报第10-2014-0026235号(名称：“具有共振腔结构的射频滤波器”，公开日：2014年03月05日，发明人：朴南信以外2名)中记载的结构相类似的结构。所述公开专利公报第10-2014-0026235号提案了一种滤波器结构，该滤波器结构不采用具有更为一般化结构的调谐螺栓及固定用螺母的结合结构便可简便地进行频率调谐，且其结构简单。本实用新型的实施例涉及的盖子10如同所述公开专利公报第10-2014-0026235号中所揭示，在与共振元件31～37对应的位置上形成有一个或者多个凹陷结构102～107。在这种凹陷结构102～107中通过形成多个基于外部冲床设备的冲床销(pin)冲孔或者基于冲压的点刻(dotpeen)结构，从而实现频率调谐。另外，在本实用新型另一实施例中，通过在盖子10中采用更加一般化的频率调谐方式，具有频率调谐螺栓及固定用螺母而不形成所述凹陷结构12等的结构。只是，具有所述频率调谐螺栓及固定用螺母的结构将更加复杂，而且很难实现小型化。观察所述结构可知，本实用新型一实施例涉及的射频滤波器中外壳20和盖子10上形成的共振腔结构，以及共振腔内部的共振元件31～37的结构与现有技术相比，除了可以以较小的尺寸实施这一点以外，其结构比较类似。但是本实用新型实施例涉及的可实现微调谐的交叉耦合结构与现有技术相比，将具有改良结构。一实施例中，耦合基板51将以横跨至少两个共振元件之间的分隔壁204的形式布置。图示实施例中，例举了耦合基板51以横跨第四共振元件34和第六共振元件36之间的分隔壁204的形式设置的形态。此时，用于区分第四共振元件34的共振腔和第六共振元件36的共振腔的分隔壁204上设置有所述耦合基板51，内部形成有窗结构，该窗结构用于布置调谐螺栓61且具有适当部位被切除的形态。此外，盖子10上对应耦合基板51的位置上形成有陷波调谐用贯穿孔121，所述陷波调谐用贯穿孔121用于结合调谐螺栓61以调谐陷波特性。陷波调谐用贯穿孔121中插入有以适当长度设定的调谐螺栓61以用于陷波调谐，也可通过与所述耦合基板51进行联动，并执行陷波特性的调谐作业。此时，调谐螺栓61整体上可具有螺栓形态，可具有通过陷波调谐用贯穿孔121与螺栓的结合的结构。这种调谐螺栓61可由如铝(合金)或者黄铜(合金)的导电性金属材料构成，并可以进行镀银。图2是图1的射频滤波器中以虚线方框表示的A部分的截面图，详细地图示了包括耦合基板51在内的、第四共振元件34、第六共振元件36及调谐螺栓61等相关部位。图3是图2的Ⅲ-Ⅲ'部分的截面图。为了便于理解，图2将由共振元件34、36遮挡的耦合基板51的一部分用虚线表示，图3用虚线图示由分隔壁204遮挡的第六共振元件36的一部分。图4是耦合基板51的俯视图。为了便于理解，图4中重叠在耦合基板51上的共振元件34、36用双点划线表示。参照图2至图4，本实用新型一实施例中，分隔壁204上形成的窗结构具有支撑窗213和调谐窗212，所述支撑窗213从分隔壁204的最上端开始，即，从用于布置盖子20的开放面开始以第一深度H1形成；所述调谐窗212从开放面开始以大于第一深度H1的第二深度H2形成。耦合基板51贯穿支撑窗213，并可布置在形成支撑窗213下部的分隔壁的支撑坎214上。一实施例中，支撑窗213和调谐窗212可在分隔壁204上形成'┑'形窗结构。本实用新型一实施例中，在支撑窗213内部的分隔壁的支撑坎214上基于粘接层BL可粘贴耦合基板51。一实施例中，粘接层BL可以是通过焊接而形成的。本实用新型一实施例中，通过加工外壳内已经形成的分隔壁204，可形成支撑窗213。如众所周知，金属研削或者研磨类机械加工，目前可确保十分高的尺寸精度，例如，微米级的尺寸精度。耦合基板51整体上可具有PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)结构。一些实施例中，耦合基板51例如可包括由非导电性材料如铁氟龙(聚四氟乙烯)构成的基座基板510，以及所述基座基板510的至少一面上形成的导电图案层512。所述基座基板510类似于一般的PCB基板，也可由FR(FrameRetardant，阻燃剂)系列或者CEM(CompositeEpoxyMaterial，复合环氧树脂材料)系列的单层或者多层基板构成。导电图案层512可包括两个电容性垫块部514及用于连接电容性垫块部514的连接线路部513，所述两个电容性垫块部514连接至少两个共振元件即，图2至图4的例子中接近第四共振元件34和第六共振元件36的共振圆盘而布置。一实施例中，连接线路部513可具有相对较窄的线宽Wp，以降低与周边结构物，例如分隔壁204或者调谐螺栓61之间的电耦合影响，电容性垫块部514可具有相对较宽的宽度Wc1，以增大与共振元件34、36的电容性耦合。即，一实施例中，导电图案层512及基座基板510可具有哑铃形状或者'I'形状。耦合基板51的基座基板510很容易以一定的厚度进行量产。特别地，可以以微米级小厚度公差制造。而且，基座基板510上形成的导电图案层512同样基于印刷工艺具有较小公差，可以以一定的厚度形成。一实施例中，耦合基板51的基座基板510的另一面可接触在分隔壁204的支撑坎214上。基于绝缘性基座基板510，在分隔壁204的支撑坎214与导电图案层512的连接线路部513之间可提供绝缘。这与现有技术中必须提供围绕耦合陷波且贯穿分隔壁的额外的绝缘部件以维持贯穿分隔壁的耦合陷波与分隔壁之间的绝缘的情况，形成对比。进而，一实施例中，可无公差且精密地形成的耦合基板51可布置(例如粘贴)在通过以无公差且精密的第一深度H1进行精密机械加工而形成的支撑窗213内的支撑坎214上。由此，在支撑坎214上同样可以以无公差且精密地维持耦合基板51的导电图案层512的高度。其技术意义在于，在射频滤波器内部，可以以较小的公差，精密地维持共振元件的圆盘的下面与耦合基板51的导电图案层512之间的间隔。如上所述，随着射频滤波器的小型化，陷波结构的尺寸将受到限制。为了利用受限尺寸的陷波结构并获得适当的交叉耦合量，必须使共振元件和陷波结构物，例如耦合基板51位于十分接近的位置。两个导电性部件之间的距离靠的越近，两个导电性部件之间的电容将成比例地增加。但是，这种情况下，该两个导电性部件之间的距离对电容大小产生的制造公差的影响将大大增加。相反地，如上所述一实施例中，电容性垫块部514与共振元件的圆盘下面之间的间隔dc可维持较小的公差。由此，根据一实施例，通过将电容性垫块部514与共振元件的圆盘下面之间的间隔dc以十分靠近的形式进行设计，从而可提供小型且具有高耦合量的陷波结构。此外，一实施例中，虽然耦合基板51与共振元件可以以较小的公差维持其间隔，但是随着两者间的距离十分靠近，即使具有较小的距离公差也会发生耦合基板51与共振元件之间的电容大小的公差变动。与这种特性有机关联地，本实用新型提供一种可微调衰减极的陷波调谐结构。一实施例中，这种可微调的陷波调谐结构可通过向调谐窗212和调谐窗212内部穿入的调谐螺栓61来实现。调谐窗212以基于开放面以大于第一深度H1的第二深度H2形成。例如，通过机械加工分隔壁204，以第一深度H1去除分隔壁上部的一部分之后，对分隔壁204中去除区域的一部分进一步进行机械加工，从而可形成具有第二深度H2的调谐窗212和具有第一深度H1的支撑窗213。由此，调谐窗212和支撑窗213在分隔壁204上同时形成'┑'形窗结构。如图3所示，调谐窗212可以以接近外壳20的底面的深度形成。调谐螺栓61可穿入分隔壁204的调谐窗212的内部。一实施例中，射频滤波器以随着调谐螺栓61穿入调谐窗212内部的深度的增加两个共振元件34、36之间的感应系数增加的形式构成。这可能是由于调谐螺栓61与上部盖子电连接，能够起到促进两个共振元件34、36之间相互感应系数的媒介体的作用。一实施例中，由于调谐窗212相比于支撑窗213以相当深的深度即，第二深度H2形成，可穿入调谐窗内部的调谐螺栓61的深度相应地以相当深或者按照需要以十分浅的深度进行调整。因此，一实施例中，由于调谐螺栓61的穿入程度可进行大幅度的调整，因此在两个共振元件之间，需要进行调整的感应系数的变动幅度变大，而且通过旋转调谐螺栓61，可对两个共振元件34、36之间的感应系数的变动进行微调。两个共振元件34、36之间的流动性耦合量，即，感应系数的增加应理解为两个共振元件34、36之间的有效耦合量，即，有效电容的减少。如上所述，一实施例中，将耦合基板51与导电图案层512以较小的公差以十分靠近的形式进行布置，可形成具有较大有效耦合结构的陷波结构，由此可提供以相互补充地具有较大的感应系数调整幅度且可进行微调的流动性耦合结构，即第二深度H2的调谐窗212和调谐螺栓结构。由此，即使小型化射频滤波器，也能提供即具有适当有效耦合量，又具有能顺畅地调整传输零点的陷波结构的射频滤波器。图5是图示本实用新型另一实施例涉及的耦合基板51支撑结构的部分截面图。图6是图示在本实用新型另一实施例涉及的耦合基板51的支撑结构中布置耦合基板51的模样的部分截面图。参照图5和图6，本实用新型另一实施例中，分隔壁204还包括在支撑坎214上形成的安置槽216。安置槽216可具有与耦合基板51尤其与连接线路部513的宽度相应的宽度。安置槽216可在分隔壁204上垂直地，即与连接两个共振元件的直线平行的方向延伸。耦合基板51的至少一部分可在安置槽216内进行布置，例如可基于粘接层BL进行粘贴。由此，耦合基板51无需额外的排列过程，以与连接两个共振元件的直线相平行的方向，可在规定的位置中进行排列。图7是本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的四边形耦合基板52的俯视图。为了便于理解，图6中将重叠在四边形耦合基板51上的共振元件34、36以双点划线表示。图8是图示图7所示的本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的四边形耦合基板51支撑在分隔壁上的模样的部分截面图。参照图7和图8，本实用新型又一实施例，耦合基板51包括四边形基座基板520，这一点上与参照图1至图4说明的本实用新型一实施例存在差异。以下以本实用新型又一实施例的差异点为主进行说明，对于与前面所述的本实用新型一实施例具有实质上相同的组成要素，将省略其说明。四边形耦合基板52包括四边形例如矩形的基座基板520。基座基板520上形成的导电图案层522可包括位于基座基板520的中心一侧的连接线路部523及连接在连接线路部523的两端的电容性垫块部524。基座基板520可包括位于其中心另一侧的螺栓贯穿孔521。调谐螺栓61通过螺栓贯穿孔521在调谐窗212内部可调节其深度。本实用新型的又一实施例中，四边形耦合的基座基板520为四边形，具有通过切开PCB的简单工艺便可制造的优点。此外，基于变宽的基座基板520的宽度可以以相应的第二宽度Wc2形成电容性垫块部524，还可增加共振元件34、36与有效垫片之间的电容。图9是本实用新型又一实施例涉及的射频滤波器的部分分解透视图。图10是图9所示的实施例的部分横截面图。图11是图9所示的实施例的部分纵截面图。参照图9至图11，本实用新型又一实施例中，耦合基板53在分隔壁204的支撑坎214上沿着外壳的高度方向垂直布置，这一点与参照图1至图4说明的本实用新型一实施例存在差异。以下以本实用新型的又一实施例的差异点为主进行说明，对于与前面所述的本实用新型一实施例中实质上相同的组成要素，将省略其说明。图示的实施例中，耦合基板53可包括'H'形状的导电图案层532及与其相应形状的基座基板530。耦合基板53在分隔壁204的支撑坎214上沿着外壳的高度方向垂直布置，导电图案层532的有效垫块可与共振元件34、36的共振棒342、362并排且接近地布置。本实施例中，导电图案层532可与共振棒342、362有效地耦合。基座基板530竖立在支撑坎214上的状态下，可粘贴BL在形成支撑窗213'一侧的分隔壁的一侧壁上。本实施例中，由于竖立地布置耦合基板53，可减小支撑窗213'的尺寸。在进一步实现射频滤波器的小型化时，这在确保空间的方面可提供优点。以上说明仅用于举例说明本实施例的技术思想，对于本实施例所属
技术领域：
：具有一般知识的技术人员而已，在不超出本实施例的本质特征的范围内，可进行各种修改及变更。因此，本实施例并非用于限定本实施例的技术思想而是用于说明，本实施例的技术思想的范围并不限于所述实施例。本实施例的保护范围应基于以下权利要求书而进行解释，与其等同的范围内的所有技术思想应解释为属于本实施例的权利范围。当前第1页1 2 3 当前第1页1 2 3