一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构的制作方法

文档序号:18956379发布日期:2019-10-28 22:08阅读:219来源:国知局
一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构的制作方法

本实用新型涉及静电防护芯片封装结构技术领域,具体涉及一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构。

背景技术:

天线广泛出现于便携式电子产品中,而天线所接受的信号容易受到电磁、静电干扰,因此静电防护芯片成为了天线常见的搭配器件;考虑到天线所使用的频段,以及不同频段所能够接受的最小寄生电容值,通常使用在天线的上的静电防护芯片的电容值必须小于1pF,甚至更低;再者,便携式电子产品轻薄小巧,对其零部件的体积要求越小越好;于此,有必要提出一种新的超小型超低容值静电防护芯片封装结构。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种结构简单、设计合理、使用方便的超小型超低容值静电防护芯片封装结构,其通过两个静电防护芯片进行串联,保证了结构整体的低电容值,其通过环氧聚酯膜进行封装,使得结构整体体积小巧,便于在便携式电子设备中使用。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:它包含金属引线框架、银胶、一号静电防护芯片、二号静电防护芯片、金属球、金属导线、环氧聚酯膜,其中银胶固定设置在金属引线框架的焊盘上,两个金属引线框架左右对称设置,设置于左侧的金属引线框架上通过银胶固定设置有一号静电防护芯片,设置于右侧的金属引线框架上通过银胶固定设置有二号静电防护芯片,二号静电防护芯片的上表面上固定设置有金属球,一号静电防护芯片的上表面上固定设置有金属导线,金属导线的另一端固定设置在金属球上,金属引线框架、一号静电防护芯片、二号静电防护芯片、金属球、金属导线均密封填设在环氧聚酯膜内。

进一步的,所述的金属球为合金线烧制成型结构。

进一步的,所述的金属导线为合金线。

进一步的,所述的一号静电防护芯片的电容值为0.5pF。

进一步的,所述的二号静电防护芯片的电容值为0.5pF。

进一步的,所述的环氧聚酯膜的长度为0.6mm,宽度为0.3mm,高度为0.3mm。

采用上述结构后,本实用新型有益效果为:本实用新型所述的一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构,其通过两个静电防护芯片进行串联,保证了结构整体的低电容值,其通过环氧聚酯膜进行封装,使得结构整体体积小巧,便于在便携式电子设备中使用,本实用新型具有结构简单,设置合理,制作成本低等优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1的仰视图。

附图标记说明:

金属引线框架1、银胶2、一号静电防护芯片3、二号静电防护芯片4、金属球5、金属导线6、环氧聚酯膜7。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

参看如图1-图2所示,本具体实施方式包含金属引线框架1、银胶2、一号静电防护芯片3、二号静电防护芯片4、金属球5、金属导线6、环氧聚酯膜7,其中银胶2粘设在金属引线框架1的焊盘上,两个金属引线框架1左右对称设置,设置于左侧的金属引线框架1上通过银胶2粘设有一号静电防护芯片3,设置于右侧的金属引线框架1上通过银胶2粘设有二号静电防护芯片4,二号静电防护芯片4的上表面上焊设有金属球5,一号静电防护芯片3的上表面上焊设有金属导线6,金属导线6的另一端焊设在金属球5上,金属引线框架1、一号静电防护芯片3、二号静电防护芯片4、金属球5、金属导线6均密封填设在环氧聚酯膜7内。

进一步的,所述的金属球5为合金线烧制成型结构。

进一步的,所述的金属导线6为合金线。

进一步的,所述的一号静电防护芯片3的电容值为0.5pF、二号静电防护芯片4的电容值为0.5pF,一号静电防护芯片3、二号静电防护芯片4串联后的总电容值为0.25pF。

进一步的,所述的环氧聚酯膜7的长度为0.6mm,宽度为0.3mm,高度为0.3mm。

本具体实施方式的工作原理为:在进行安装连接的时候,将一号静电防护芯片3通过银胶2电性粘接固定在左侧的金属引线框架1上,并使其与金属引线框架1形成电性连接,将二号静电防护芯片4通过银胶2电性粘接固定在右侧的金属引线框架1上,并使其与金属引线框架1形成电性连接,在一号静电防护芯片3的上表面的开窗内焊接固定金属导线6,并使金属导线6与一号静电防护芯片3电性连接,将金属导线6的另一端焊设在二号静电防护芯片4的上表面的开窗内,此过程中,需先在二号静电防护芯片4的上表面的开窗内焊设金属球5,且使得金属球5与二号静电防护芯片4电性连接,再将金属导线6焊接在金属球5上,金属球5的作用为释放焊接金属导线6的时候金属导线6与二号静电防护芯片4产生的压力,最后,在所有部件外部包裹环氧聚酯膜7形成封装,制作完成。

采用上述结构后,本具体实施方式所具有的优点是:将两颗静电防护芯片合封到了一个超小型的封装外形里,其外形尺寸仅为长0.6mm,宽0.3mm,高0.3mm,有效的降低了器件的体积,两颗静电防护芯片串接后电容值仅为0.25pF,符合了便携式电子产品轻薄小巧及其天线信号免受电磁、静电干扰的需求。

以上所述,仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案所做的其它修改或者等同替换,只要不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1