一种低内阻MOS封装结构的制作方法

本实用新型涉及集成电路封装领域，特别涉及一种低内阻mos封装结构。

背景技术：

mos管的英文全称叫mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，mos管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，mos管通常被用于放大电路或开关电路。

mosfet芯片在制作完成之后，需要给mosfet芯片加上一个外壳，即mos管封装。mosfet芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便mosfet器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在pcb方式来区分，mos管封装主要有两大类：插入式(throughhole)和表面贴装式(surfacemount)。插入式就是mosfet的管脚穿过pcb的安装孔焊接在pcb上。表面贴装则是mosfet的管脚及散热法兰焊接在pcb表面的焊盘上。

当今大多数电子产品设计都要求高能源效率，包括非消费型电子设备在内，例如工业马达驱动器和电信网络基础设施。对于电源而言，同样需要高功率密度和可靠性，同时需要低的功率损耗。设计人员需要设法通过芯片极创新和改进封装来不断提升功率mosfet的导通和开关性能。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种低内阻mos封装结构。

本实用新型所采用的技术方案如下：

一种低内阻mos封装结构，包括塑封体、引线框架和clip铜片；塑封体包裹在引线框架和铜片的外侧；引线框架包括载片岛、载片岛一侧的第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚；引线框架还包括载片岛另一侧的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚；第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；载片岛的另一侧和单排的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚相连；mos管芯片通过焊料安装在所述载片岛之上；clip铜片通过焊料和mos管芯片的源极相连接，且通过焊料依次和所述第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；所述第四引线脚通过键合线或clip铜片夹扣的方式与所述mos管芯片的栅极相连；所述第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚均开设圆孔。

其进一步的技术特征为：所述塑封体为扁平无引脚的矩形。

其进一步的技术特征为：所述clip铜片沿其长度方向的一边开设圆弧形缺口。

其进一步的技术特征为：所述第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、第四引线脚、第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚的厚度均为0.5mm。

其进一步的技术特征为：所述栅极键合线的材质为金线、铜线或铝线。

本实用新型的有益效果如下：

1、clip铜片通过焊料和mos管芯片的源极相连，同时通过焊料和第一引线脚至第三引线脚相连，从而将mos管芯片的源极端引出。

2、第四引线脚可以通过各连接方式与mos管芯片的栅极相连，从而将mos管芯片的栅极端引出。

3、引线框架第一至第四引线脚上开设圆孔，圆孔的开设，有利于增加引线脚和塑封体的结合强度，避免后续产品分离后引线脚从塑封体剥离。

4、本实用新型可以增加clip铜片和mos管芯片的接触面积，从而降低接触电阻；因为clip铜片面积比较大，mos管芯片具备非常大的电流能力；另外，因为mos管芯片的源极和漏极均暴露在塑封体外面，mos管芯片具备优异的散热性能。

附图说明

图1为本实用新型的示意图。

图2为本实用新型的局部剖视图。

图中：1、塑封体；2、引线框架；3、clip铜片；4、载片岛；51、第一引线脚；52、第二引线脚；53、第三引线脚；54、第四引线脚；61、第五引线脚；62、第六引线脚；63、第七引线脚；64、第八引线脚；7、mos管芯片；8、圆孔。

具体实施方式

关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明，此外，在全部实施例中，相同的附图标号表示相同的元件。

下面结合附图，说明本实施例的具体实施方式。

图1为本实用新型的示意图，图2为本实用新型的局部剖视图。结合图1和图2，一种低内阻mos封装结构，包括塑封体1、引线框架2和clip铜片3。塑封体1为扁平无引脚的矩形。塑封体1包裹在引线框架2和clip铜片3的外侧。引线框架2包括载片岛4、载片岛4一侧的第一引线脚51、第二引线脚52、第三引线脚53和第四引线脚54。引线框架2还包括载片岛4另一侧的第五引线脚61、第六引线脚62、第七引线脚63和第八引线脚64。第一引线脚51、第二引线脚52和第三引线脚53相连。载片岛4的另一侧和单排的第五引线脚61、第六引线脚62、第七引线脚63和第八引线脚64相连。mos管芯片7通过焊料安装在载片岛4之上。clip铜片3沿其长度方向的一边开设圆弧形缺口。clip铜片3通过焊料和mos管芯片7的源极(source)相连接，且通过焊料依次和第一引线脚51、第二引线脚52和第三引线脚53相连，从而将mos管芯片7的源极端引出。第四引线脚54通过键合线或clip铜片3夹扣的方式与mos管芯片7的栅极(gate)相连，从而将mos管芯片7的栅极端引出。优选地，栅极键合线的材质为金线、铜线或铝线。

第一引线脚51、第二引线脚52、第三引线脚53和第四引线脚54均开设圆孔8，圆孔8有利于增加引线脚和塑封体1的结合强度，避免后续产品分离后引线脚从塑封体1剥离。

优选地，第一引线脚51、第二引线脚52、第三引线脚53、第四引线脚54、第五引线脚61、第六引线脚62、第七引线脚63和第八引线脚64的厚度均为0.5mm。

本实用新型的封装流程如下：引线框架2点焊料→mos管芯片7的上管芯片贴装→mos管芯片7上点焊料→clip铜片3贴装→回流焊接→助焊剂清洗→ic芯片贴装→键合→塑封。

本实用新型可以增加clip铜片3和mos管芯片7的接触面积，从而降低接触电阻；因为clip铜片3的面积比较大，mos管芯片7具备非常大的电流能力；另外，因为mos管芯片7的源极(source)和漏极(drain)均暴露在塑封体1的外面，mos管芯片7具备优异的散热性能。

以上描述是对本实用新型的解释，不是对实用新型的限定，本实用新型所限定的范围参见权利要求，在不违背本实用新型的基本结构的情况下，本实用新型可以作任何形式的修改。