一种高光效高强度LED引线框架的制作方法

文档序号:20858801发布日期:2020-05-22 21:24阅读:319来源:国知局
一种高光效高强度LED引线框架的制作方法

本实用新型涉及led技术领域,具体涉及一种高光效高强度led引线框架。



背景技术:

led引线框架用于led器件封装,做为led晶片的载体,给led光源提供正负极电线的导通及导热,同时透过发光杯的角度、光型的调节,达到光源所需要的光效,

普通led引线框架均为两个焊盘,两个焊盘之间为绝缘槽,绝缘槽为一字型,将两个焊盘区分为正极和负极,一个焊盘为放置发光晶体,发光晶体放置为位置中心与产品中心一致,然后通过金属线将发光晶体和两个焊盘连接起来;led引线框架单体产品在应用在横贴时,在柔性卷装的时候,产品破坏力的受力点在一字型绝缘槽上,易造成产品断裂;

本实用新型的绝缘槽为“几”字型,可以形成三个焊盘,可以将芯片分开布置,让芯片发光更均匀,更光效;“几”字型的绝缘槽可以让led引线框架单体产品应用在横贴,柔性卷装时,产品破坏力的受力点在几字型上,通过几字型将受力点散发出去;从而保证产品的强度;



技术实现要素:

基于上述背景技术中存在的技术问题,本实用新型提出一种高光效高强度led引线框架。

本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架,包括:绝缘反光杯和导体底座件,其中:

绝缘反光杯体和导体底座在反光杯的底部形成“几”字型绝缘槽,“几”字型绝缘槽在杯底将导体底座分成三个焊盘区域:c1,c2,c3;其中c1,c2两个焊盘为相互连通和导通,另一个焊盘c3为独立焊盘;与c1和c2不导通;

优选地,绝缘反光杯体的内壁包括由靠近其通口的一侧向远离其通口的一侧依次布置的第一环壁和第二环壁,其中:第一环壁所在环面与通口所在面之间的夹角角度设置为5°~85°,且第一环壁与绝缘反光杯体中心线之间的间距由通口向第二环壁方向依次递增;第二环壁所在环面与通口所在平面具有大于5°的夹角。

优选地,第一环壁包括第一斜面壁、第二斜面壁、第三斜面壁、第四斜面壁、第五斜面壁、第六斜面壁、第七斜面壁和第八斜面壁,所述第一斜面壁、第二斜面壁、第三斜面壁、第四斜面壁、第五斜面壁、第六斜面壁、第七斜面壁和第八斜面壁按序首尾依次连接以在其内侧形成环腔,且第一斜面壁与第五斜面壁相对布置,第一斜面壁与第五斜面壁之间夹角角度设置为大于105°,第三斜面壁与第七斜面壁相对布置,第三斜面壁与第七斜面壁之间夹角角度设置为大于85°。

优选地,第二环壁在第一斜面壁与第五斜面壁连线方向上距离led引线框架塑胶外围的壁厚大于120um,第二环壁在第三斜面壁与第七斜面壁连线方向上距离led引线框架塑胶外围的壁厚大于80um。

优选地,导体底座在第一斜面壁与第五斜面壁连线方向上的长度设置为3600~3800um,绝缘反光杯体在第一斜面壁与第五斜面壁连线方向上的长度设置为3400~3600um。

优选地,导体底座长度方向上的两个对应边分别位于绝缘反光杯体的外侧以形成焊锡脚。

优选地,焊锡脚为波浪形结构。

优选地,导体底座包括第一导体底座和第二导体底座,所述第一导体底座与第二导体底座相对布置在几字型绝缘槽的两侧,且第一导体底座和第二导体底座与几字型绝缘槽位于同一平面内,第一导体底座和第二导体底座靠近几字型绝缘槽的一侧,并分别与几字型绝缘槽抵靠。

优选地,第一导体底座在靠近第二导体底座一侧的侧壁上设有向第二导体底座方向延伸的第一延伸部;第二导体底座靠近第一导体底座一侧的侧壁上设有向第一导体底座方向延伸的第二延伸部。

本实用新型中,绝缘反光杯体和导体底座在反光杯的底部形成“几”字型绝缘槽,“几”字型绝缘槽在杯底将导体底座分成三个焊盘区域,可以将芯片分开布置,让芯片发光更均匀,更光效;“几”字型的绝缘槽可以让led引线框架单体产品应用在横贴,柔性卷装时,产品破坏力受力点在几字型上,通过几字型将受力点散发出去;从而保证产品的强度;

附图说明

图1为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的结构示意图;

图2为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的侧视图一;

图3为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的侧视图二;

图4为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的背视图;

图5为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架中所述导体底座的结构示意图;

图6为图5中a处的侧视图;

图7为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架中所述焊锡脚的结构示意图。

具体实施方式

下面,通过具体实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。

如图1-7所示,图1为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的结构示意图;图2为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的侧视图一;图3为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的侧视图二;图4为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架的背视图;图5为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架中所述导体底座的结构示意图;图6为图5中a处的侧视图;图7为本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架中所述焊锡脚的结构示意图。

参照图1,本实用新型提出的一种高光效高强度led引线框架,包括:绝缘反光杯体1和导体底座2,其中:

绝缘反光杯体1和导体底座2在反光杯的底部形成“几”字型绝缘槽,“几”字型绝缘槽在杯底将导体底座分成三个焊盘区域;几”字型的绝缘槽可以让led引线框架单体产品应用在横贴,柔性卷装时,产品破坏力受力点在几字型上,通过几字型将受力点散发出去;从而保证产品的强度;

由上可知,本实用新型通过绝缘反光杯体1和导体底座2在反光杯的底部形成“几”字型绝缘槽,“几”字型绝缘槽在杯底将导体底座分成三个焊盘区域;c1,c2,c3;c1,c2,c3;其中c1,c2两个焊盘为相互连通和导通,另一个焊盘c3为独立焊盘;与c1和c2不导通;可以将芯片分开布置,让芯片发光更均匀,更高效;

此外,由于产品在固晶,焊线,点胶完成后,会进行分光作业,区分区优品及良品,导体底座2超出绝缘反光杯体1部分可以使导体底座2更好的与正负极接触,从而可以进行自动化作业及减少误判现象,因此本实施例中的导体底座2长度方向上的两个对应边分别位于绝缘反光杯体1的外侧,该结构的设置可以更好的有利于产品在后续制程中的分光操作。

参照图2-3,由于绝缘反光杯体1在生产加工过程中需要在其内壁设置荧光胶层,因此为使该绝缘反光杯体1在保障良好散光效果的同时避免在涂覆荧光胶时,荧光胶直接沿绝缘反光杯体1的斜面壁甩出,因此本实施例将绝缘反光杯体1的内壁设置成了由靠近其通口的一侧向远离其通口的一侧依次布置的第一环壁和第二环壁a结构,并使斜面壁所在环面与通口所在面之间具有5°~85°的夹角,且第一环壁与绝缘反光杯体1中心线之间的间距由通口向第二环壁a方向依次递增;使第二环壁a所在环面相交于通口所在平面。以通过在斜面壁远离通口的一侧设置第二环壁a,以利用第二环壁a防止在涂覆时荧光胶筛出绝缘反光杯体1。

此外,由于该绝缘反光杯体1斜度为杯型的发光角度,其光效强弱与发光角度的大小成正比关系,因此为了进一步提高该产品的光效效果,本实施例将斜面壁设置成了由第一斜面壁b1、第二斜面壁、第三斜面壁b2、第四斜面壁、第五斜面壁b3、第六斜面壁、第七斜面壁b4和第八斜面壁组成的结构,并使第一斜面壁b1、第二斜面壁、第三斜面壁b2、第四斜面壁、第五斜面壁b3、第六斜面壁、第七斜面壁b4和第八斜面壁按序首尾依次连接以在其内侧形成环腔,第一斜面壁b1与第五斜面壁b3相对布置,第一斜面壁b1与第五斜面壁b3之间夹角角度设置为大于105°,第三斜面壁b2与第七斜面壁b4相对布置,第三斜面壁b2与第七斜面壁b4之间夹角角度大于85°。

本实施例中,第二环壁a在第一斜面壁b1与第五斜面壁b3连线方向上距离led引线框架塑胶外围的壁厚大于120um,第二环壁a在第三斜面壁b2与第七斜面壁b4连线方向上距离led引线框架塑胶外围的壁厚大于80um。导体底座2在第一斜面壁b1与第五斜面壁b3连线方向上的长度设置为3600~3800um,绝缘反光杯体1在第一斜面壁b1与第五斜面壁b3连线方向上的长度设置为3400~3600um。该结构的设置可以使产品获得较好的强度,从而可扩大led支架的使用领域;

参照图4-6,导体底座2包括第一导体底座21和第二导体底座22;导体底座与绝缘反光杯体为一体成型;第一导体底座21与第二导体底座22相对布置在几字型绝缘槽3的两侧,且第一导体底座21和第二导体底座22与几字型绝缘槽3位于同一平面内,第一导体底座21和第二导体底座22靠近几字型绝缘槽3的一侧,并分别与几字型绝缘槽3抵靠。以提高导体底座2与绝缘反光杯体1整体性。且为了进一步提高导体底座2与绝缘反光杯体1的结合力度,增强产品强度和气密性,本实施例中,第一导体底座21靠近第二导体底座22一侧的侧壁上设有向第二导体底座22方向延伸的第一延伸部211;第二导体底座22靠近第一导体底座21一侧的侧壁上设有向第一导体底座21方向延伸的第二延伸部221,以利用第一延伸部211与第二延伸部221相互配合使得第一导体底座21与第二导体底座22之间的间距在厚度方向产生变化,从而使得填充在二者之间的几字型绝缘槽3可以与二者更好的结合。

参照图7,导体底座2长度方向上的两个对应边分别位于绝缘反光杯体1的外侧以形成焊锡脚201,且焊锡脚201为波浪形结构。焊锡脚201波浪线结构的设置可以减少裁切时应力的产生,还可以增加焊锡时与锡膏的面积,获得更好的导电性能。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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