一种陶瓷电容器的制作方法

本实用新型涉及电子领域，尤其涉及一种陶瓷电容器。

背景技术：

陶瓷电容器是以陶瓷作为电介质的电容器。通常，陶瓷电容器包括一个陶瓷电容芯片、两个引脚以及将前述这些元器件包封起来的绝缘层。陶瓷电容器往往工作在高电压的环境下，其交流工作电压可以达到10kv以上，或者直流工作电压可以达到40kv以上。在这样的工作环境下，电容器失效而导致的线路短路将引致难以预估的风险。为此，现有技术中，为了提高安全性，采用的方式是在电路上串联两个电容器。这样，在其中一个电容器失效而另一个电容器还正常工作的情况下，可以避免短路的发生。然而，这种方式需要电路中预留至少两个电容器的安装位置。在电路板日益集成、元器件安装空间日益缩减的当下，这显然是一种趋势的背离，不利于电路集成的发展。

技术实现要素：

为了解决背景技术中的技术问题，本实用新型提供一种陶瓷电容器。所述的陶瓷电容器等效于串联的两个或多个电容器。在使用时，只需要占据一个安装位即可实现两个电容器串联的效果。在提高电路线路的安全的同时，也以紧凑的结构避免了对电路板安装位置的消耗。

更具体地，本实用新型是这样实现的：

一种陶瓷电容器，包括：

第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和第二引脚分别包括连接端和与所述连接端相对的插脚端；

第一陶瓷电容芯片和第二陶瓷电容芯片，包括分别涂覆金属薄膜且相对的第一表面和第二表面，以及介于所述第一表面和所述第二表面之间的陶瓷介质层；

导电连接件，包括第一段和与所述第一段相对的第二段，以及连接所述第一段和所述第二段的中间导电段；

绝缘层，用于将所述第一引脚、第一陶瓷电容芯片、导电连接件、第二陶瓷电容芯片、以及第二引脚包封住；第一引脚的插脚端远离所述第一引脚的连接端并通过所述绝缘层上的引脚口延伸至所述绝缘层外；所述第二引脚的插脚端远离所述第二引脚的连接端并通过所述绝缘层上的引脚口延伸至所述绝缘层外；

其中，所述第一引脚的连接端与所述第一陶瓷电容芯片的第一表面连接；所述第一陶瓷电容芯片的第二表面与所述导电连接件的第一段连接；所述导电连接件的第二段与所述第二陶瓷电容芯片的第二表面连接；所述第二陶瓷电容芯片的第一表面与所述第二引脚的连接端连接；

所述导电连接件还连接有测试连接段，所述绝缘层进一步设置有测试孔，以便对电容芯片的性能进行测试。

进一步地，所述第一陶瓷电容芯片和所述第二陶瓷电容芯片在平面中通过所述导电连接件左右连接，所述中间导电段相对于所述第一段和所述第二段向上隆起，以使所述导电连接件与所述第一陶瓷电容芯片及所述第二陶瓷电容芯片之间形成绝缘填充间隔；所述测试连接段连接于所述中间导电段。

进一步地，所述中间导电段相对于所述第一段和所述第二段向上隆起的高度为1mm～3mm。

进一步地，所述第一引脚和第二引脚还包括所述插脚端和所述连接端之间的折段，所述折段通过折线结构形成绝缘包封空间。

进一步地，所述绝缘层为环氧树脂绝缘层。

本实用新型的有益之处在于，将两个陶瓷电容芯片串联并一体化为单个电容器。在使用过程中，只需要占据一个安装位即可实现两个电容器串联的效果。在提高电路线路安全的同时，也以紧凑的结构避免了对电路板安装位置的消耗。同时，两个串联的陶瓷电容芯片之间横向布置，通过导电连接件连接，使得两个陶瓷电容芯片之间隔开一定间距，进而在提高整个电容器的稳定性和可靠性，还减少了竖直方向上的空间占据。由于陶瓷电容芯片横向布置，使得整个电容器制为在纵向空间上基本上只有陶瓷电容芯片的厚度，更利于贴片式的设计优点。同时，通过在横向平面上将多个串联电容集成，在使用时，大大提高了一次完成插装的作业，提高了安装效率。横向布置的陶瓷电容芯片，也在一定程度上拉大了两个陶瓷电容芯片之间的连接距离，避免了其中一个陶瓷电容芯片由被击穿后产生的高温影响至另一个陶瓷电容芯片。

但上述串联并一体化绝缘层封装后，出现不良品时，较难排查出产品的不良问题的具体所在。故本实用新型增加了测试连接段，并可相应地开设有测试孔(测试完毕可以封闭以保证安全可靠)，这样可以分别对两个陶瓷电容芯片独立测试检查，方便查找具体问题所在，从而改进加工流程，提升良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。具体地：

图1是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器的结构示意图；

图2是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器的正面角度的结构示意图；

图3是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器的俯视图；

图4是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器的仰视图；

图5是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器的引脚结构示意图；

图6是根据本实用新型一实施例中陶瓷电容器保留测试通孔的结构示意图；

图7是根据本实用新型又一实施例中陶瓷电容器保留测试通孔的结构示意图。

图中：

1-陶瓷电容器；11-第一引脚；111-第一引脚的插脚端；112-第一引脚的连接端；113-第一引脚的折段；12-第二引脚；121-第二引脚的插脚端；122-第二引脚的连接端；123-第二引脚的折段；13-第一陶瓷电容芯片；131-第一陶瓷电容芯片的第一表面；132-第一陶瓷电容芯片的第二表面；14-第二陶瓷电容芯片；141-第二陶瓷电容芯片的第一表面；142-第二陶瓷电容芯片的第二表面；15-导电连接件；151-第一段；152-第二段；153-中间导电段；16-绝缘层；161-测试孔17-测试连接段。

具体实施方式

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语、“纵向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

如图1至图7所示，本实用新型所提供的陶瓷电容器1包括：第一引脚11和第二引脚12，所述第一引脚11和第二引脚12分别包括连接端和与所述连接端相对的插脚端；第一陶瓷电容芯片13和第二陶瓷电容芯片14，包括分别涂覆金属薄膜且相对的第一表面和第二表面，以及介于所述第一表面和所述第二表面之间的陶瓷介质层；导电连接件15，包括第一段151和与所述第一段151相对的第二段152，以及连接所述第一段151和所述第二段152的中间导电段153；绝缘层16，用于将所述第一引脚11、第一陶瓷电容芯片13、导电连接件15、第二陶瓷电容芯片14、以及第二引脚12包封住；第一引脚的插脚端111远离所述第一引脚的连接端112并通过所述绝缘层16上的引脚口延伸至所述绝缘层16外；所述第二引脚的插脚端121远离所述第二引脚的连接端122并通过所述绝缘层16上的引脚口延伸至所述绝缘层16外。其中，所述第一引脚的连接端112与所述第一陶瓷电容芯片的第一表面131连接；所述第一陶瓷电容芯片的第二表面132与所述导电连接件15的第一段151连接；所述导电连接件15的第二段152与所述第二陶瓷电容芯片的第二表面142连接；所述第二陶瓷电容芯片的第一表面141与所述第二引脚的连接端122连接；所述导电连接件15还连接有测试连接段17。横向布置的陶瓷电容芯片，也在一定程度上拉大了两个陶瓷电容芯片之间的连接距离，避免了其中一个陶瓷电容芯片由被击穿后产生的高温影响至另一个陶瓷电容芯片。在本实施例中的示图中，陶瓷电容芯片为左右横向的布置。但在其他实施例中，也可以是前后的布置。本实用新型中所述的横向布置，可以理解为在横向平面上的进行并列的设置，而不局限于左右或前后。

应当说明的是，在图示中所例举的电容芯片为圆形的，但在本实用新型中，并不具体限定该电容芯片的形状。从理论上来讲，方形或其他规则或不规则形状的电容芯片也能作为不实用新型中所述的电容芯片，只要能够实现电容芯片之效果即可。优选地，如实用新型中所述，可以采用圆形电容芯片。

在部分实施例中，所述金属薄膜可以为银电极层。在本说明书中对此不做限制，在其他实施例中，所述金属薄膜也可以是其他具导电性的电极层，例如铜电极层等。在部分实施例中，所述绝缘层16为通过涂刷、浸涂、喷涂等方法将热塑料性或热固性树脂施加在电容制件上的包装，以使电容制件的外表面全部被包覆而作为保护涂层或绝缘层16。其中，绝缘层16可以是为环氧树脂绝缘层。

如图1和图5所示，所述第一陶瓷电容芯片13和所述第二陶瓷电容芯片14在平面中通过所述导电连接件15左右连接，所述中间导电段153相对于所述第一段151和所述第二段152向上隆起，以使所述导电连接件15与所述第一陶瓷电容芯片13及所述第二陶瓷电容芯片14之间形成绝缘填充间隔；所述测试连接段17连接于所述中间导电段153。优选的，所述中间导电段153相对于所述第一段151和所述第二段152向上隆起的高度为1mm～3mm；更优选的，所述中间导电段153相对于所述第一段151和所述第二段152向上隆起的高度为2.3mm～2.8mm；本实施例中，所述中间导电段153相对于所述第一段151和所述第二段152向上隆起的高度为2.5mm。

如图6和图7所示，在产品完成封装时，预留测试孔161，以便对电容芯片的性能进行测试。在完成产品的测试后，最终产品出厂时，预留的测试孔161则会被重新填满与该绝缘层16相一致的绝缘材料，以保证最终产品不会有电极外漏。

在部分实施例中，所述导电连接件15的第一段151与所述第一陶瓷电容芯片的第二表面132通过焊料固定连接，第二段152与所述第二陶瓷电容芯片的第二表面142通过焊料固定连接。

在部分实施例中，如图5所示，所述第一引脚11和第二引脚12还包括所述插脚端和所述连接端之间的折段113、123，所述折段113、123通过折线结构形成绝缘包封空间。同时，如图3所示，连接端112、122所形成的承托结构配合与电容芯片的中间部分，而折段113、123则穿出电容芯片的边缘并继续延伸以连接至插脚端111、121。

在更好的实施例中，如图2所示，所述中间导电段153相对于所述第一段151和所述第二段152向上隆起，以使所述导电连接件15与所述第一陶瓷电容芯片13及所述第二陶瓷电容芯片14之间形成绝缘填充间隔，避免放电现象的发生。

为便于对本方案的理解，图2至图4中的绝缘层16以透明化的效果呈现，以便于更具体地了解绝缘层16与其内部的陶瓷电容芯片等元器件之间的联系。但可以理解，实际中的绝缘层16是非透明化的包封材料。

在图1至图6所示的实施例中，第一引脚的插脚端111和第二引脚的插脚端121为相面对着朝内弯折。而在如图7所示的实施例中，第一引脚的插脚端111和第二引脚的插脚端121则也可以相背对着朝外弯折。可以理解，插脚端的弯折方式可以根据具体的使用场景进行变换。

应当说明的是，在上述实施例中仅阐述了在横向平面上包括两个陶瓷电容芯片的情形。但在其他实施例中，也可以包括三个乃至多个陶瓷电容芯片的组合方案。陶瓷电容芯片之间的连接方式与上述实施例中所述的连接方案相同，因此不再赘述。

以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。