高可靠性LED支架、LED及发光装置的制作方法

文档序号:21818138发布日期:2020-08-11 21:31阅读:128来源:国知局
高可靠性LED支架、LED及发光装置的制作方法

本实用新型涉及led(lightemittingdiode,发光二极管)领域,尤其涉及一种高可靠性led支架、led及发光装置。



背景技术:

由于led具有色彩丰富、体积小、环保节能、寿命长等优点,因此,其在各个领域都得到的大量的使用和推广,例如包括但不限于日用照明,户外照明,灯光装饰,广告标识,汽车照明或指示,交通指示等等,由于led在不同领域使用的外界环境各不相同,因此对led的可靠性提出了较大的要求,其中led支架的牢固度则是led可靠性的一个重要衡量指标。

现有led支架参见图1-1、图1-2所示,其包括形成反射腔的塑料围墙10,被塑料围墙10围合在内的基板11,其中塑料围墙10形成的围合区域为101,其包括围合斜面1011,基板11的上表面一部分区域与塑料围墙10直接接触,称之为接触区;另一部分区域则位于反射腔底部作为功能区,该功能区可用于承载led芯片以及其他可能的电子器件,以及布线、固晶和作为光反射区等。现有led支架中,由于基板11和塑料围墙10之间的结合力度不够,易导致外界湿气进入,led支架的可靠性不高。



技术实现要素:

本实用新型提供的高可靠性led支架、led及发光装置,主要解决的技术问题是:解决现有led支架以及利用该支架制得的led的可靠性能差。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种高可靠性led支架,所述高可靠性led支架包括基板以及将所述基板围合在内的围墙体,所述围墙体形成的围合区域包括围合斜面,在所述基板与所述围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽,所述凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层,所述围合斜面的部分或全部设置有经过粗化处理后形成的粗化层。

在本实用新型的一种实施例中,所述基板包括第一基板、第二基板以及将所述第一基板与所述第二基板隔离的绝缘隔离带。

在本实用新型的一种实施例中,在所述第一基板上且与所述围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽,和/或,在所述第二基板上且与所述围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽。

在本实用新型的一种实施例中,所述凹槽内壁的部分或全部区域为经过粗化处理后形成的粗化层。

在本实用新型的一种实施例中,所述凹槽的侧面与底面的夹角小于90度。

在本实用新型的一种实施例中,所述粗化层为曲线型粗化层,或,直线型粗化层。

为了解决上述问题,本实用新型还提供了一种led,包括如上所述的高可靠性led支架和至少一颗led芯片,所述led芯片设置于所述基板上,所述led芯片的引脚与所述基板电连接。

在本实用新型的一种实施例中,所述围合区域内填充有胶体,所述胶体与所述围合斜面粘接。

在本实用新型的一种实施例中,所述胶体为封装胶、发光转换胶和扩散胶的至少一种。

为了解决上述问题,本实用新型还提供了一种发光装置,包括如上所述的led,所述发光装置为照明装置、光信号指示装置、补光装置或背光装置。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型提供的高可靠性led支架、led及发光装置,包括基板以及将基板围合在内的围墙体,围墙体形成的围合区域包括围合斜面,其中,在基板与围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽,凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层,围合斜面的部分或全部设置有经过粗化处理后形成的粗化层;解决了现有技术中led支架以及利用该支架制得的led的可靠性能差的问题。也即在本实用新型中,通过在基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置凹槽,增大了围墙体与基板的结合面积,且该凹槽还带有粗化层,更进一步增大了结合面积,使得围墙体与基板的结合力更强;同时在围墙体形成的围合斜面还带有粗化层,该用于在封装led时,胶体填充入围合区域内,增大了胶体与围合斜面的结合面积,使得胶体与围合斜面的结合力更强,即使得胶体与围墙体的结合力更强,从而提升了led支架以及利用该led支架制得的led的可靠性和耐用性,使得led可更好的适用于各种环境的应用场景,更利于led的推广使用。

附图说明

图1-1为一种led支架的俯视图;

图1-2为图1-1所示led支架的截面图;

图2-1为本实用新型实施例一提供led支架的俯视图;

图2-2为图2-1所示的led支架的截面图一;

图3-1为本实用新型实施例二提供led支架的截面图一;

图3-2为本实用新型实施例二提供led支架的截面图二;

图3-3为本实用新型实施例二提供led支架的截面图三;

图3-4为图3-1所示的led支架直线型凹槽粗化层的截面图一;

图3-5为图3-1所示的led支架直线型凹槽粗化层的俯视图一;

图3-6为图3-1所示的led支架直线型凹槽粗化层的截面图二;

图3-7为图3-1所示的led支架直线型凹槽粗化层的俯视图二;

图4-1为本实用新型实施例三提供led支架的截面图一;

图4-2为图4-1所示的led支架曲线型凹槽粗化层的截面图一;

图4-3为图4-1所示的led支架曲线型凹槽粗化层的俯视图一;

图4-4为图4-1所示的led支架曲线型凹槽粗化层的截面图二;

图4-5为图4-1所示的led支架曲线型凹槽粗化层的俯视图二;

其中,图1-1至图1-2中的附图标记10为围墙体,11为基板,101为围墙体10形成的围合区域,1011为围合区域101包括的围合斜面;

图2-1至图2-2中的附图标记20为围墙体,201为围墙体20形成的围合区域,2011为围合区域201包括的围合斜面,211为第一基板,212为第二基板,213为绝缘隔离带,214为设置在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合区域处的凹槽,215为设置在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合区域处的凹槽;

图3-1至图3-3中的附图标记30为围墙体,301为围墙体30形成的围合区域,3011为围合区域301包括的围合斜面,311为第一基板,312为第二基板,313为绝缘隔离带,314为设置在第一基板311上且与围墙体30紧密贴合区域处的凹槽,315为设置在第二基板312上且与围墙体30紧密贴合区域处的凹槽;

图4-1中的附图标记40为围墙体,401为围墙体40形成的围合区域,4011为围合区域401包括的围合斜面,411为第一基板,412为第二基板,413为绝缘隔离带,414为设置在第一基板411上且与围墙体40紧密贴合区域处的凹槽,415为设置在第二基板412上且与围墙体40紧密贴合区域处的凹槽。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型实施例作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

实施例一:

为了解决现有led支架可靠性差的问题,本实施例提供了一种高可靠性的led支架,包括基板以及将基板围合在内的围墙体,围墙体形成的围合区域包括围合斜面,其中,在基板与围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽,凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层,围合斜面的部分或全部设置有经过粗化处理后形成的粗化层。

在本实施例中,基板包括第一基板、第二基板、将第一基板和第二基板隔离的绝缘隔离带、以及将第一基板、第二基板以及绝缘隔离带围合在内的绝缘的围墙体。例如参见图2-1、图2-2所示,基板包括第一基板211、第二基板212以及绝缘隔离带213,其中绝缘隔离带213位于第一基板211和第二基板212之间以将二者绝缘隔离;围墙体20形成的围合区域为201,其包括围合斜面2011,围墙体20将第一基板211、第二基板212和绝缘隔离带213围合在其内,第一基板211和第二基板212的上表面具有功能区和与围墙体20接触的接触区;在一种示例中,第一基板和第二基板上表面的功能区位于围墙体所形成的反射腔底部。

本实施例中的第一基板和第二基板都是导电基板,本实施例中的导电基板可以为各种导电材质构成的基板,例如可为各种金属导电基板,包括但不限于铜基板、铝基板、铁基板、银基板;导电基板也可以为包含导电材料的混合材料导电基板,例如导电橡胶等。

可选地,本实施例中第一基板和第二基板中至少一个的功能区内还可设置反射层以提升支架的出光效率,该反射层可以为各种能提升出光效率的光反射层,例如包括但不限于镀银层。

可选地,本实施例中第一基板和第二基板中的至少一个的背面露出围墙体的底部,作为电极焊接区。当然,在一些示例中,第一基板和第二基板中的至少一个的背面也可不作为焊接区,而将其侧面作为焊接区,具体设置可根据具体应用需求灵活确定。

可选地,本实施例中第一基板的面积大于第二基板的面积。当然,在一些示例中,第一基板的面积也可小于第二基板的面积,具体设置可根据具体应用需求灵活设定。

可选地,本实施例中围墙体可以采用各种绝缘材质的围墙体,例如包括但不限于各种塑料、绝缘陶瓷等。例如,一种示例中,围墙体可以采用的材料包括但不限于聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(pct,poly1,4-cyclohexylenedimethyleneterephthalate)、环氧模塑料(emc,epoxymoldingcompound)、不饱和聚酯(up)树脂、涤纶树脂(pet,polyethyleneterephthalate)、耐高温尼龙(ppa塑料),聚碳酸酯(pc,polycarbonate)。

可选地,本实施例中绝缘隔离带的材质可与围墙体相同,也可不同,且其可以与围墙体一起形成,也可单独形成。

另外,应当理解的是,本实施例中围墙体的形成方式也可灵活选择,例如可通过但不限于注塑形成。

在本实施例中,led支架的第一基板和第二基板中的至少一个基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置有凹槽,应当理解的是,这种凹槽的设置可以增大围墙体与基板的结合面积,即可以增强围墙体与基板之间的结合力。

在一种示例中,例如仍参见图2-2所示,在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置凹槽214以及在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置凹槽215,其中凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层。

在一种示例中,可仅在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置凹槽214,其中凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层。

在一种示例中,可仅在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置凹槽215,其中凹槽设置有经过粗化处理后形成的粗化层。

在本实施例中,围墙体形成的围合区域包括围合斜面,围合斜面的部分或全部设置有经过粗化处理后形成的粗化层,应当理解的是,这种在围合斜面上进行粗化处理可以增大胶体与围合斜面的结合面积,即可以增强胶体与围墙体的结合力。

在一种示例中,例如仍参见图2-2所示,在围合斜面2011上的部分区域设置经过粗化处理后形成的粗化层。

在一种示例中,可在围合斜面2011上的全部区域设置经过粗化处理后形成的粗化层。

应当明确的是,在本实施例中,led支架的第一基板和第二基板中的至少一个基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置凹槽的形成工艺可以灵活选择,例如包括但不限于蚀刻、切割、冲压等,形成方式简单且成本低、效率高,可在保证支架制作成本和效率的同时提升led支架的可靠性。

在本实施例中,基板凹槽可为曲线型凹槽或直线型凹槽。

在一种示例中,例如仍参见图2-2所示,在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽214为直线型凹槽,在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽215为曲线型凹槽。

在一种示例中,在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽214可为曲线型凹槽,在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽215可为直线型凹槽。

在一种示例中,在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽214,以及在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽215可均为曲线型凹槽。

在一种示例中,在第一基板211上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽214,以及在第二基板212上且与围墙体20紧密贴合的区域处设置的凹槽215可均为直线型凹槽。

在本实施例中,led支架的第一基板和第二基板中的至少一个基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置的凹槽带有粗化层,这种凹槽带有粗化层的设置可以进一步增大围墙体与基板的结合面积,即可以进一步增强围墙体与基板之间的结合力,从而进一步提升了led支架以及利用该led支架制得的led的可靠性和耐用性,使得led可更好的满足各种环境使用要求,更利于led的推广使用。

在一种示例中,粗化层为曲线型粗化层或直线型粗化层,或者曲线与直线相结合的粗化层,在实际应用中,可根据具体应用场景做灵活调整。

在一种示例中,可对凹槽内壁的部分或全部区域进行粗化处理形成粗化层,例如设凹槽为直线型凹槽,其内壁具有三面,可对内壁三面中的任意一面或任意组合面进行粗化处理形成粗化层。在实际应用中,可根据具体应用场景做灵活调整。

本实施例通过在led支架的基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置凹槽,增大了围墙体与基板的结合面积,且该凹槽还带有粗化层,更进一步增大了结合面积,使得围墙体与基板的结合力更强;同时在围墙体形成的围合斜面还带有粗化层,该用于在封装led时,胶体填充入围合区域内,增大了胶体与围合斜面的结合面积,使得胶体与围合斜面的结合力更强,即使得胶体与围墙体的结合力更强,从而提升了led支架以及利用该led支架制得的led的可靠性和耐用性,使得led可更好的适用于各种环境的应用场景,更利于led的推广使用。

实施例二:

为了便于理解,本实施例以具体的led支架为示例进行说明。

请参见图3-1、3-2、3-3所示,30为围墙体,301为围墙体30形成的围合区域,3011为围合区域包括的围合斜面,311为第一基板,312为第二基板,313为绝缘隔离带,314为在第一基板上且与围墙体30紧密贴合的区域处设置的直线型凹槽,315为在第二基板上且与围墙体30紧密贴合的区域处设置的直线型凹槽。

请参见图3-1所示,基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置有直线型凹槽,其中,该直线型凹槽位于基板的上表面和侧面,且位于基板上表面和侧面的直线型凹槽的侧面与底面的夹角均等于90度,同时该直线型凹槽设置有进行粗化处理后形成的粗化层(图3-1中未示出,参见后续说明);围合斜面的全部设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层,可选地,围合斜面的部分可设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层。

请参见图3-2所示,基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置有直线型凹槽,其中,该直线型凹槽位于基板的上表面和侧面,且位于基板上表面和侧面的直线型凹槽的侧面与底面的夹角均小于90度,同时该直线型凹槽设置有进行粗化处理后形成的粗化层(图3-2中未示出,参见后续说明);围合斜面的全部设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层,可选地,围合斜面的部分可设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层。

请参见图3-3所示,基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置有直线型凹槽,其中,该直线型凹槽位于基板的上表面和侧面,且位于基板上表面的直线型凹槽的侧面与底面的夹角小于90度,位于基板侧面的直线型凹槽的侧面与底面的夹角等于90度,同时该直线型凹槽设置有进行粗化处理后形成的粗化层(图3-3中未示出,参见后续说明);围合斜面的全部设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层,可选地,围合斜面的部分可设置有经过粗化处理后形成的直线型粗化层。

应当明确的是,当通过蚀刻方式形成凹槽时,具体地,可以是在基板的上表面和/或侧面做掩蔽板,把凹槽形状(如上述示例中凹槽的侧面与底面的夹角小于90度)露出,而其他部位盖住,再使用特定药水把没有露的部分腐蚀掉,就可以得到所需的凹槽形状。值得注意的是,这里仅是以具体的蚀刻方式形成凹槽为例,在实际应用中,需根据具体应用场景做灵活调整。

为了更好的示出凹槽内设置的进行粗化处理后形成的粗化层,这里以图3-1所示的直线型凹槽为例进行说明:

在一种示例中,请参见图3-4、3-5所示,直线型凹槽内壁的全部区域进行粗化处理形成曲线型粗化层。可选地,直线型凹槽内壁的部分区域可进行粗化处理形成曲线型粗化层。

在一种示例中,请参见图3-6、3-7所示,直线型凹槽内壁的全部区域进行粗化处理形成直线型粗化层。可选地,直线型凹槽内壁的部分区域可进行粗化处理形成直线型粗化层。

本实施例通过设置led支架的第一基板和第二基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置带有粗化层的直线型凹槽,增大了围墙体与基板的结合面积,使得围墙体与基板的结合力更强;同时在围墙体形成的围合斜面还带有粗化层,增大了胶体与围合斜面的结合面积,使得胶体与围墙体的结合力更强,在极大程度上提升了led支架以及利用该led支架制得的led的可靠性和耐用性,使得led可更好的适用于各种环境的应用场景,更利于led的推广使用。

实施例三:

为了便于理解,本实施例又以具体的led支架为示例进行说明。

请参见图4-1所示,40为围墙体,401为围墙体40形成的围合区域,4011为围合区域包括的围合斜面,411为第一基板,412为第二基板,413为绝缘隔离带,414为在第一基板上且与围墙体40紧密贴合的区域处设置的曲线型凹槽,415为在第二基板上且与围墙体40紧密贴合的区域处设置的曲线型凹槽。

请参见图4-1所示,基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置有曲线型凹槽,其中,该曲线型凹槽位于基板的上表面和侧面,且位于基板的上表面和侧面的曲线型凹槽的侧面与底面的夹角均大于90度,可以理解的是,针对于曲线型凹槽而言,其夹角为凹槽侧面所在边(即侧边)切线与底面所在边(即底边)切线形成,同时该曲线型凹槽设置有进行粗化处理后形成的粗化层(图4-1中未示出,参见后续说明);围合斜面的部分设置有经过粗化处理后形成的曲线型粗化层,可选地,围合斜面的全部可设置有经过粗化处理后形成的曲线型粗化层。

为了更好的示出凹槽内设置的进行粗化处理后形成的粗化层,这里以图4-1所示的曲线型凹槽为例进行说明:

在一种示例中,请参见图4-2、4-3所示,曲线型凹槽内壁的全部区域进行粗化处理形成曲线型粗化层。可选地,曲线型凹槽内壁的部分区域可进行粗化处理形成曲线型粗化层。

在一种示例中,请参见图4-4、4-5所示,曲线型凹槽内壁的全部区域进行粗化处理形成直线型粗化层。可选地,曲线型凹槽内壁的部分区域可进行粗化处理形成直线型粗化层。

本实施例通过设置led支架的第一基板和第二基板上且与围墙体紧密贴合的区域处设置带有粗化层的曲线型凹槽,增大了围墙体与基板的结合面积,使得围墙体与基板的结合力更强;同时在围墙体形成的围合斜面还带有粗化层,增大了胶体与围合斜面的结合面积,使得胶体与围墙体的结合力更强,在极大程度上提升了led支架以及利用该led支架制得的led的可靠性和耐用性,使得led可更好的适用于各种环境的应用场景,更利于led的推广使用。

实施例四:

本实施例提供了一种led,包括如上各实施例所示的led支架,还具有至少一颗led芯片,led芯片设置于基板上,led芯片的引脚与基板电连接。应当理解的是,本实施例中的led芯片可以是倒装led芯片,也可以正装led芯片,且led芯片的引脚和基板实现电连接的方式包括但不限于通过导电线材、导电胶或其他形式的导电材料实现。

应当明确的是,上述各实施例中的led支架用于led封装,将led芯片固定在反射腔底部,即固定在功能区。具体的实现方式可以是,在完成led芯片的焊接和固定后,向围合区域内填充胶体,以密封led芯片,其中胶体可以是封装胶、发光转换胶、扩散胶的一种或多种组合,例如当led芯片为发蓝光的led芯片时,荧光粉可以为绿色荧光粉和红色荧光粉,通过蓝光激发绿色荧光粉和红色荧光粉的方式,可以得到较好效果的白光;封装胶可以选用环氧树脂、硅胶和硅树脂等具有粘结性的封装胶,将封装胶和荧光粉混合成胶体,通过注胶机注入围墙体内,对led芯片进行封装。由于围墙区域的围合斜面为粗化层,所以围合斜面与封装胶的结合效果更好,能够提高胶体与围墙体的整体结合效果,在极大程度上提高了led的可靠性。

应当理解的是,本实施例提供的led的光照射出来、呈现给用户的颜色,可以根据实际需求和应用场景进行灵活设置。led的光照射出来、呈现出的是何种颜色,可以通过但不限于以下因素灵活控制:led芯片自身发出的光的颜色、led是否包括有发光转换层、当led包括有发光转换层时发光转换层的类型。

在本实施例的一种示例中,led还可包括设置于led芯片(在led芯片之上设置有发光转换胶层时,则设置于发光转换胶层之上)之上的封装胶层或扩散胶层,扩散胶层为在封装胶中加入扩散粉或硅粉等。

应当理解的是,在一种示例中,发光转换胶层可以是包含荧光粉的荧光胶层,也可以是包含量子点光致材料的胶体,或者其他可实现发光转换的发光转换胶或膜,且根据需要也可以包括扩散粉或硅粉等;本实施例中在led芯片上形成封装胶层、发光转换胶层或扩散胶层的方式包括但不限于点胶、模压、喷涂、粘贴等。

例如,发光转换层可包括荧光粉胶层、荧光膜、或量子点qd膜;荧光粉胶层、荧光膜可采用无机荧光粉制作的,可以是掺杂了稀土元素的无机荧光粉,其中,无机荧光粉包括但不限于硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。

又例如,量子点qd膜可采用量子点荧光粉制作;量子点荧光粉包括但不限于bas、agins2、nacl、fe2o3、in2o3、inas、inn、inp、cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、gaas、gan、gas、gase、ingaas、mgse、mgs、mgte、pbs、pbse、pbte、cd(sxse1-x)、batio3、pbzro3、cspbcl3、cspbbr3、cspbi3中的至少一种。

在本实施例中,led芯片自身发出的光的类型可以是肉眼可见的可见光,也可以是肉眼不可见的紫外光、红外光;当led芯片自身发出的光的类型是肉眼不可见的紫外光、红外光时,可在led芯片之上设置发光转换层,以将肉眼不可见光转换成肉眼可见光,使得led照射出来的光是用户可见的光。例如,当led芯片自身发出的光是紫外光时,若想led呈现用户可见的白光,则发光转换层可以是将红、绿、蓝荧光粉进行混合后制作成的。

本实施例还提供一种发光装置,该发光装置包括上述实施例所示例的led。本实施例中的发光装置可为照明装置、光信号指示装置、补光装置或背光装置等。为照明装置时,具体可以为应用于各种领域的照明装置,例如日常生活中的台灯、日光灯、吸顶灯、筒灯、路灯、投射灯等等,又例如汽车中的远光灯、近光灯、氛围灯等,又例如医用中的手术灯、低电磁照明灯、各种医用仪器的照明灯,又例如应装饰领域照明中的各种彩灯、景观照明灯、广告灯等等;为光信号指示装置时,具体可以为应用于各种领域的光信号指示装置,例如交通领域的信号指示灯,通信领域中通信设备上的各种信号状态指示灯,车辆上的各种指示灯等;为补光装置时,可以为摄影领域的补光灯,例如闪光灯、补光灯,也可以为农业领域为植物补光的植物补光灯等;为背光装置时,可以为应用于各种背光领域的背光模组,例如可应用于显示器、电视机、手机等移动终端、广告机等设备上。

应当理解的是,上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用,应当理解的是led的应用并不限于上述示例的几种领域。

以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型实施例所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

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