晶圆清洗平台及半导体设备的制作方法

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备。

背景技术：

为了提升制造设备初期制造过程中的稳定性，dummywafer也被广泛投入使用，当譬如曝光设备的主机台长时间闲置(idle)，为了保证曝光质量，在跑(run)下一批次(lot)工艺晶圆时需要使用和工艺晶圆一样的曝光条件先跑两片伪晶圆(chucktemperaturecontrolwafer,ctcwafer)，以使得曝光设备达到理想的曝光条件。需要说明的是，ctcwafer是伪晶圆(dummywafer)的一种，dummywafer根据其功能可以分为很多种。

然而，在现有工艺中，卡盘温度控制晶圆跑完后直接由主机台传送回存储腔室，并在下次需要使用时直接将卡盘温度控制晶圆传送至主机台的工艺腔室内进行曝光；若由于人为、环境或其他因素造成卡盘温度控制晶圆的背面被污染，即卡盘温度控制晶圆的背面具有颗粒缺陷(particle)，在跑卡盘温度控制晶圆时颗粒缺陷回掉落在工作台(譬如，静电吸盘或真空吸盘等晶圆吸盘)上，影响工艺晶圆的曝光质量及良率；且对工作台造成污染，当工作台被污染时，需要人工使用大理石磨掉污染物，会影响生产效率及工作台的使用寿命。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述问题，提供一种晶圆清洗平台及半导体设备，以减少对工作台的污染，提高产品良率，减少卡盘温度控制晶圆的使用量，提高生产效率，减少工作台的磨损，延长工作台的使用寿命。

一种晶圆清洗平台，包括：

旋转平台；

第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；

第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；

清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。

上述晶圆清洗平台可以在伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘(即工作台)的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置及第二晶圆吸附装置，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。

在一个可选的实施例中，所述旋转平台的中心设有沿厚度方向贯穿所述旋转平台的贯通孔。

在一个可选的实施例中，所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱位于所述贯通孔内，且经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘位于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方；

所述第二晶圆吸附装置包括：第二支撑柱及第二吸附盘；所述第二支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面相连接；所述第二吸附盘设置于所述第二支撑柱的顶部。

在一个可选的实施例中，所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面连接；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘设置于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方。

在一个可选的实施例中，所述清洗喷嘴包括清洗液喷头和伸缩旋转机构，所述伸缩旋转机构一端倾斜设置在所述旋转平台的上表面，所述伸缩旋转机构的另一端连接所述清洗液喷头，所述清洗液喷头在所述伸缩旋转机构的作用下相对于所述旋转平台的上表面实现伸缩运动和旋转运动。

在一个可选的实施例中，所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最大距离，且大于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最小距离。

一种半导体设备，包括：

主机台、如上述任一方案中所述的晶圆清洗平台、存储腔室、传送装置及控制装置；其中，

所述晶圆清洗平台及所述存储腔室位于所述主机台的侧边；

所述存储腔室用于存储伪晶圆；

所述传送装置与所述控制装置连接，用于将所述伪晶圆在所述主机台、所述存储腔室以及所述晶圆清洗平台之间传送；

所述控制装置与所述主机台以及所述传送装置相连接，用于当所述主机台完成对所述伪晶圆的工艺处理时控制所述传送装置将所述伪晶圆传送至所述存储腔室或所述晶圆清洗平台。

上述半导体设备中的晶圆清洗平台可以在伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置及第二晶圆吸附装置，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。

在一个可选的实施例中，所述主机台包括检测装置，所述检测装置用于在所述主机台对所述伪晶圆进行工艺处理前检测所述伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷，并在检测到所述伪晶圆的背面存在所述颗粒缺陷时，检测完成当下预设主工艺的工艺晶圆的背面是否存在与所述伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷。

在一个可选的实施例中，所述半导体设备还包括报警装置，所述报警装置与所述检测装置相连接，用于在检测到清洗后的所述伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的缺陷时报警。

在一个可选的实施例中，所述伪晶圆包括硅衬底，所述硅衬底表面设置有疏水膜。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例中晶圆清洗平台的正视结构示意图；

图2为图1中所示的晶圆清洗平台的俯视结构示意图；

图3为本实用新型一个实例中半导体设备的结构框图；

图4为本实用新型一个实施例中半导体工艺方法的流程图；

图5为本实用新型一个实施例中半导体工艺方法的流程图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种晶圆清洗平台10，晶圆清洗平台10包括：旋转平台11；第一晶圆吸附装置12，第一晶圆吸附装置12设置于旋转平台11的中心处，且第一晶圆吸附装置12可沿垂直于旋转平台11的上表面的方向升降运动；第二晶圆吸附装置13，第二晶圆吸附装置13设置于旋转平台11的上表面，且第二晶圆吸附装置13位于第一晶圆吸附装置12的外围；清洗喷嘴，清洗喷嘴设置于旋转平台11的上表面，清洗喷嘴的顶部与旋转平台11的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置13的顶部与旋转平台11的上表面的距离。

在本实施例中，晶圆清洗平台10可以在需要清洗的晶圆(譬如，卡盘温度控制晶圆等伪晶圆)的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘(即工作台)的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置12及第二晶圆吸附装置13，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。清洗喷嘴的顶部与旋转平台11的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置13的顶部与旋转平台11的上表面的距离，可以确保在第二晶圆吸附装置13吸附伪晶圆时不会影响清洗喷嘴对伪晶圆进行清洗。

在一个实施例中，第二晶圆吸附装置13的顶部与旋转平台11的上表面的距离小于第一晶圆吸附装置12的顶部与旋转平台11的上表面的最大距离，且大于第一晶圆吸附装置12的顶部与旋转平台11的上表面的最小距离。

第二晶圆吸附装置13的顶部与旋转平台11的上表面的距离小于第一晶圆吸附装置12的顶部与旋转平台11的上表面的最大距离，且大于第一晶圆吸附装置12的顶部与旋转平台11的上表面的最小距离，可以确保在第一晶圆吸附装置12上升至最高位置时可以吸附伪晶圆的背面中心，且确保在第一晶圆吸附装置12下降至最低位置时可以使得第二晶圆吸附装置13可以吸附伪晶圆的背面边缘。

在一个可选的实施例中，旋转平台11的中心可以设有沿厚度方向贯穿旋转平台11的贯通孔(未示出)。

在一实施例中，所述第一晶圆吸附装置12可以包括：第一支撑柱121、第一吸附盘122及第一驱动装置(未示出)；第一支撑柱121位于所述贯通孔内，且第一支撑柱121经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台11；所述第一支撑柱121与所述第一驱动装置相连接，并在第一驱动装置的驱动下升降运动；第一吸附盘122位于第一支撑柱121的顶部，且第一吸附盘122位于旋转平台11的上方；第二晶圆吸附装置13可以包括：第二支撑柱131及第二吸附盘132；第二支撑柱131的底部与旋转平台11的上表面相连接；第二吸附盘132设置于第二支撑柱131的顶部。

在另一个可选的实施例中，第一晶圆吸附装置12可以包括：第一支撑柱121、第一吸附盘122及第一驱动装置(未示出)；第一支撑柱121直接设置于旋转平台11的上表面，即第一支撑柱121的底部与旋转平台11的上表面相连接；第一支撑柱121与第一驱动装置相连接，并在第一驱动装置的驱动下升降运动；第一吸附盘122设置于第一支撑柱121的顶部，且第一吸附盘122位于旋转平台11的上方；第二晶圆吸附装置13可以包括：第二支撑柱131及第二吸附盘132；第二支撑柱131的底部与所述旋转平台11的上表面相连接；第二吸附盘132设置于第二支撑柱131的顶部。

在一个实施例中，第一吸附盘122可以包括但不仅限于真空吸附盘或静电吸附盘；第二吸附盘132可以包括真空吸附盘或静电吸附盘。

在一个实施例中，第二晶圆吸附装置13的数量可以为多个，多个第二晶圆吸附装置13沿所述旋转平台11的周向间隔排布。图1中仅以第二晶圆吸附装置13的数量为三个作为示例，在实际示例中，第二晶圆吸附装置13的数量并不以此为限。通过设置多个第二晶圆吸附装置13，并将多个第二晶圆吸附装置13沿旋转平台11的周向间隔排布，可以实现对伪晶圆的平稳吸附，防止伪晶圆在清洗过程中倾斜。

在一个实施例中，清洗喷嘴可以位于第一晶圆吸附装置12与第二晶圆吸附装置13之间。

在一个实施例中，清洗喷嘴可以包括清洗液喷头14和伸缩旋转机构，伸缩旋转机构一端倾斜设置在旋转平台11的上表面，伸缩旋转结构的另一端链接清洗液喷头14，清洗液喷头14在伸缩旋转机构的作用下相对于旋转平台的上表面实现伸缩运动和旋转运动。

在一个实施例中，如图2所示，伸缩旋转机构可以包括环形滑轨15及伸缩杆16，滑行滑轨15设置于旋转平台11的上表面，且设置于第一晶圆吸附装置12与第二晶圆吸附装置13之间；清洗喷嘴设置于环形滑轨15上，清洗喷嘴与第二驱动装置(未示出)相连接，并在第二驱动装置的驱动下沿环形滑轨15滑动。通过设置环形滑轨15，可以调节清洗喷嘴的位置，以实现对伪晶圆不同位置进行清洗。伸缩杆16的底部与环形滑轨15相连接，伸缩杆16与第三驱动装置(未示出)相连接，并在第三驱动装置的驱动下伸缩运动；清洗喷嘴位于伸缩杆16的顶部。通过设置伸缩杆16，可以调节清洗喷嘴的高度，以达到对伪晶圆不同位置清洗的最佳效果。

在一个实施例中，清洗液喷头14的喷口朝向可以与旋转平台11的上表面具有预设夹角α，预设夹角α可以大于0°且小于等于90°。通过设置预设夹角α，可以使得清洗液喷头14以预设夹角α的角度对伪晶圆的背面进行清洗，可以提高清洗效果。

本实用新型还提供一种半导体设备，如图3所示，半导体设备包括：主机台(未标示出)、如上述任一方案中所述的晶圆清洗平台10、存储腔室30、传送装置70及控制装置80；其中，晶圆清洗平台10及存储腔室30位于主机台的侧边；存储腔室30用于存储伪晶圆；传送装置70与所述控制装置连接，用于将伪晶圆在主机台、存储腔室30及晶圆清洗平台10之间传送；控制装置80与主机台及传送装置70相连接，用于当主机台完成对伪晶圆的工艺处理时控制传送装置70将伪晶圆传送至存储腔室30或晶圆清洗平台10。

在一个实施例中，主机台可以包括：装载端口40、工艺腔室50及传送腔室20等等，晶圆清洗平台10、存储腔室30、装载端口40、工艺腔室50沿传送腔室20的周向分布于传送腔室20的外围；装载端口40用于加载晶圆盒(foup)(未示出)，晶圆盒内装有需要进行工艺处理的工艺晶圆；工艺腔室50内设有晶圆吸盘，晶圆吸盘用于对伪晶圆及工艺晶圆进行工艺处理时吸附伪晶圆或工艺晶圆；工艺腔室50内设有工艺系统(未示出)，工艺系统用于对伪晶圆及工艺晶圆进行工艺处理。

在一个实施例中，半导体设备可以为任意一种在闲置超过预设时间后再次进行工艺处理前需要暖机的设备，具体的，工艺腔室50可以包括曝光腔室，工艺系统可以包括曝光系统。当然，在其他示例中，工艺腔室50还可以包括刻蚀腔室，工艺系统还可以包括刻蚀系统。当工艺腔室50为曝光腔室时，曝光腔室内可以包括第一晶圆吸盘及第二晶圆吸盘两个晶圆吸盘。当需要使用两片伪晶圆暖机时，暖机过程如下：将第一片伪晶圆传送至第一个晶圆吸盘上进行第一次曝光，将第一次曝光后的晶圆传送至第二晶圆吸盘上进行第二次曝光，将曝光后的第一片伪晶圆传出工艺腔室50；将第二片伪晶圆传送至第一晶圆吸盘上进行第一次曝光，将第一次曝光后的晶圆传送至第二晶圆吸盘上进行第二次曝光，将曝光后的第二片伪晶圆传出工艺腔室50。暖机结束后才将工艺晶圆传送至工艺腔室50进行曝光。

在一个实施例中，伪晶圆可以为经过表面处理使得表面具有疏水性的裸晶圆(barewafer)，具体的，伪晶圆可以包括硅衬底，硅衬底的表面可以设置有疏水膜。疏水膜可以包括氧化硅膜或氮化硅膜。

在一个实施例中，传送装置传送伪晶圆的路径可以包括存储腔室30至主机台、主机台至存储腔室30、主机台至存储腔室30再至晶圆清洗平台10或主机台至晶圆清洗平台10再至存储腔室30。

在一个可选的实施例中，主机台还包括检测装置60，检测装置60用于在主机台对伪晶圆进行工艺处理前检测伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷，并在检测到伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时，检测完成当下预设主工艺的工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷。

在一个实施例中，检测装置60通过检测伪晶圆及工艺晶圆某一个区域或整个背面的高度差来判断伪晶圆的背面及工艺晶圆的背面是否有颗粒缺陷。

在一个实施例中，判断工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷的具体方法为：判断工艺晶圆背面的颗粒缺陷的位置及大小是否与伪晶圆背面的颗粒缺陷的位置及大小相同，若位置及大小均相同，则判定工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷。

在一个可选的实施例中，半导体设备还包括报警装置90，报警装置90与检测装置60相连接，报警装置90用于在检测到清洗后的伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的缺陷时报警。具体的，报警装置90在再次需要伪晶圆时对伪晶圆进行检测并检测到伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的缺陷时报警。更为具体的，报警装置90可以包括声音报警器或光信号报警器等等。

以本实施例的半导体设备为曝光设备为例，本实施例的半导体设备的一种工作原理为：当半导体设备闲置超过预设时间后再次使用时，传送装置70从存储腔室30内抓取伪晶圆，并使用检测装置60检测伪晶圆晶圆的背面是否存在颗粒缺陷；传送装置70将检测后的伪晶圆晶圆传送至工艺腔室50内进行曝光，以使得工艺腔室50内的曝光条件达到工艺晶圆所需的曝光条件(通常会对两片伪晶圆进行曝光)；传送装置70将曝光后的伪晶圆传送回存储腔室30；传送装置70将晶圆盒内的工艺晶圆依次抓取至工艺腔室50内进行曝光；若前述步骤检测到伪晶圆的背面存在颗粒缺陷，待晶圆盒内该批次(lot)的工艺晶圆均曝光后，传送装置将曝光后的工艺晶圆抓取至检测装置60进行检测，并判断曝光后的工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷；若工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷(工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，且颗粒缺陷的数量与伪晶圆的背面的颗粒缺陷数量相同)，则伪晶圆可以继续使用；若工艺晶圆的背面未存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷(工艺晶圆的背面不存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，或工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，但相同的颗粒缺陷的数量不同)，则传送装置70将伪晶圆抓取至晶圆清洗平台10进行背面清洗，并将清洗后的伪晶圆传送回存储腔室30；在半导体设备闲置超过预设时间后需要再次使用时，传送装置70抓取清洗后的伪晶圆传送至检测装置60进行背面检测，若检测装置60未检测到伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的颗粒缺陷，则伪晶圆可以继续使用，若检测装置60检测到伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的颗粒缺陷，则报警装置90报警提示更换伪晶圆。

以本实施例的半导体设备为曝光设备为例，本实施例的半导体设备的另一种工作原理为：当半导体设备闲置超过预设时间后再次使用时，传送装置70从存储腔室30内抓取伪晶圆，并使用检测装置60检测伪晶圆晶圆的背面是否存在颗粒缺陷；传送装置70将检测后的伪晶圆晶圆传送至工艺腔室50内进行曝光，以使得工艺腔室50内的曝光条件达到工艺晶圆所需的曝光条件(通常会对两片伪晶圆进行曝光)；传送装置70将曝光后的伪晶圆传送至晶圆清洗平台10；传送装置70将晶圆盒内的工艺晶圆依次抓取至工艺腔室50内进行曝光；若前述步骤检测到伪晶圆的背面存在颗粒缺陷，待晶圆盒内该批次(lot)的工艺晶圆均曝光后，传送装置将曝光后的工艺晶圆抓取至检测装置60进行检测，并判断曝光后的工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷；若工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷(工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，且颗粒缺陷的数量与伪晶圆的背面的颗粒缺陷数量相同)，则伪晶圆可以继续使用，传送装置70直接将伪晶圆自晶圆清洗平台10传送回存储腔室30；若工艺晶圆的背面未存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷(工艺晶圆的背面不存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，或工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷，但相同的颗粒缺陷的数量不同)，则晶圆清洗平台10对伪晶圆进行背面清洗，并将清洗后的伪晶圆传送回存储腔室30；在半导体设备闲置超过预设时间后需要再次使用时，传送装置70抓取清洗后的伪晶圆传送至检测装置60进行背面检测，若检测装置60未检测到伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的颗粒缺陷，则伪晶圆可以继续使用，若检测装置60检测到伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的颗粒缺陷，则报警装置90报警提示更换伪晶圆。

本实用新型还提供一种半导体工艺方法，在一个可选的实施例中，如图4所示，半导体工艺方法包括：

s11：对伪晶圆的背面进行检测，并判断伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷；

s12：对伪晶圆进行工艺处理，以使得工艺环境达到对工艺晶圆进行当下预设主工艺处理所需的工艺条件；

s13：对工艺晶圆进行工艺处理；

s14：若伪晶圆的背面存在颗粒缺陷，对工艺处理后的工艺晶圆的背面进行检测，并判断工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷；

s15：若工艺晶圆的背面未存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷，对伪晶圆的背面进行清洗。

需要说明的是，执行本实施例中的半导体工艺方法的前提为执行本实施例中的半导体工艺方法的半导体设备闲置超过了预设时间，在对工艺晶圆进行当下预设主工艺处理前需要进行暖机处理。

在一个实施例中，步骤s11中可以通过伪晶圆背面的某一个区域或整个区域的高度差来判断伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷。

在一个实施例中，伪晶圆可以为经过表面处理使得表面具有疏水性的裸晶圆(barewafer)，具体的，伪晶圆可以包括卡盘温度控制晶圆。

在一个实施例中，步骤s12及步骤s13中所述的工艺处理可以包括但不仅限于曝光或刻蚀；更为具体的，步骤s12中所述的当下预设主工艺为一个批次工艺晶圆的曝光工艺。

在一个实施例中，步骤s13中对一批次(lot)工艺晶圆依次进行工艺处理；步骤s14中，若为晶圆的背面存在颗粒缺陷，对该批次工艺晶圆全部处理完后再对工艺处理后的工艺晶圆的背面进行检测。

在一个实施例中，步骤s14中可以通过检测工艺处理后的工艺晶圆背面的某一个区域或整个区域的高度差来判断工艺处理后的工艺晶圆的背面是否存在颗粒缺陷。

在一个实施例中，步骤s14中判断工艺晶圆的背面是否存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷的具体方法为判断工艺晶圆背面的颗粒缺陷的位置及大小是否与伪晶圆背面的颗粒缺陷的位置及大小相同，若位置及大小均相同，则判定工艺晶圆的背面存在与伪晶圆的背面相同的颗粒缺陷。

在一个实施例中，步骤s15中可以使用如上述示例中提到的晶圆清洗平台10对伪晶圆的背面进行清洗。

在一个实施例中，步骤s15中所述的“工艺晶圆的背面未存在与伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷”包括如下两种情况：第一种情况，工艺晶圆的背面不存在与伪晶圆背面相同的颗粒缺陷；第二种情况，工艺晶圆背面存在与伪晶圆背面的颗粒缺陷相同的颗粒缺陷，但相同颗粒缺陷的数量少于伪晶圆背面的颗粒缺陷的数量。

在另一个可选的实施例中，如图5所示，在如图4所示的半导体工艺方法的步骤s15之后还包括：s16：对伪晶圆的背面进行检测，并判断伪晶圆的背面是否存在与清洗前相同类型的颗粒缺陷，s17：若存在相同类型的颗粒缺陷则报警。

在一个实施例中，步骤s16中为再次需要使用伪晶圆时(譬如，在执行一批次晶圆的当下预设主工艺后，半导体设备再一次闲置超过了预设时间后需要再次对工艺晶圆进行工艺处理时)对伪晶圆的背面进行检测。

在一个实例中，步骤s17中可以采用声音报警、光信号报警等任一一种报警形式进行报警，以提醒工作人员更换伪晶圆。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。