1.一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：包括介质基板、第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片、第四辐射贴片、第一微带馈线、第二微带馈线、同轴馈线和若干金属圆柱；所述第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片、第四辐射贴片、第一微带馈线和第二微带馈线设在介质基板的上表面；所述第一微带馈线和第二微带馈线分别位于第一辐射贴片的两端，并与该第一辐射贴片相连，且所述第一微带馈线和第二微带馈线的两边均开有缝隙，用于改善馈电处的阻抗匹配；所述第一辐射贴片上开有一个空位，所述第二辐射贴片、第三辐射贴片和第四辐射贴片从第一微带馈线往第二微带馈线的方向依次排布在该空位内；所述第三辐射贴片为缝隙辐射贴片，其上开有多条条形缝隙，用于实现贴片辐射，其中间开有一个半圆形缝隙，所述同轴馈线位于该半圆形缝隙中，使得同轴馈线与第三辐射贴片之间变成耦合馈电，从而提高天线阻抗匹配；所述金属圆柱穿过介质基板分布在第三辐射贴片周围和空位四周。
2.根据权利要求1所述的一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：所述第一辐射贴片、第二辐射贴片和第四辐射贴片均为长方形贴片，所述第三辐射贴片为正方形贴片，所述空位为长方形空位，所述金属圆柱在第三辐射贴片四周排列成正方形结构，在长方形空位四周排列成长方形结构，并且在第一微带馈线和第二微带馈线附近分别排列成半圆形结构。
3.根据权利要求2所述的一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：所述第二辐射贴片的面积大于第三辐射贴片但小于第四辐射贴片，所述金属圆柱在第一微带馈线附近排列成的半圆形结构直径小于其在第二微带馈线附近排列成的半圆形结构。
4.根据权利要求2所述的一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：所述第一微带馈线和第二微带馈线分别连接第一辐射贴片两短边的中间部位，所述第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片和第四辐射贴片同一中心线，且该中心线经过第一辐射贴片的短边及第二辐射贴片与第四辐射贴片的长边。
5.根据权利要求1所述的一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：所述第三辐射贴片上开有9条条形缝隙，按照3×3排列。
6.根据权利要求1所述的一种基于siw的大频率比背腔天线，其特征在于：所述介质基板的下表面设有金属地板，所述金属地板上开有一个圆孔，通过该圆孔实现对同轴馈线进行馈电。