1.一种倒装led芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面上的外延层，所述外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
pn台阶，位于所述外延层中，所述pn台阶的上台阶面为第二半导体层，下台阶面为第一半导体层，上台阶面和下台阶面之间连接形成pn台阶侧面；
第一绝缘层，覆盖所述pn台阶侧面、部分上台阶面以及部分下台阶面；
反射镜层，位于所述第二半导体层上；
电流扩展层，位于所述反射镜层上；
其中，所述反射镜层与相邻的所述pn台阶侧面之间的间距为0～6um。
2.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，还包括：
第一电极，与所述第一半导体层电连接；以及
第二电极，与第一电极彼此隔离，位于所述电流扩展层上，与所述第二半导体层电连接。
3.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述电流扩展层的厚度为0.5um-3um。
4.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述电流扩展层覆盖部分所述第一绝缘层。
5.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述反射镜层和所述电流扩展层均覆盖部分第一绝缘层。
6.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一开口，露出第一半导体层和第二半导体层。
7.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为0.01um-10um。
8.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述反射镜层包括银层、铝层、氧化铟锡层中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述电流扩展层包括钛层、铂层、银层、铝层、镍层、铬层、金层中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的倒装led芯片，其特征在于，所述反射镜层的厚度为0.1um-2um。
12.根据权利要求2所述的倒装led芯片，其特征在于，还包括：
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层和所述电流扩展层上，
其中，所述第二绝缘层具有第二开口，露出第一半导体层和所述电流扩展层。
13.根据权利要求12所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为0.01um-10um，所述第二绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一种。
14.根据权利要求12所述的倒装led芯片，其特征在于，还包括：
布线层，位于所述第二绝缘层上，覆盖暴露的第一半导体层和所述电流扩展层，分别与所述第一半导体层和所述电流扩展层电连接；
其中，所述布线层包括彼此隔离的第一金属层和第二金属层，其中，第一金属层，与所述第一半导体层电连接；
第二金属层，位于所述电流扩展层上，与所述第二半导体层电连接。
15.根据权利要求14所述的倒装led芯片，其中，所述第一金属层和所述第二金属层沿水平方向的间隔距离为5um-100um。
16.根据权利要求14所述的倒装led芯片，其特征在于，所述布线层的厚度为0.5um-3um，所述布线层包括钛层、铂层、银层、铝层、镍层、铬层、金层中的至少一种。
17.根据权利要求14所述的倒装led芯片，其特征在于，还包括：
第三绝缘层，位于所述第一金属层和第二金属层上；
其中，所述第三绝缘层具有第三开口，露出部分第一金属层和第二金属层。
18.根据权利要求17所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一电极位于所述第三绝缘层上，通过第三开口与第一金属层电连接；
所述第二电极位于所述第三绝缘层上，通过第三开口与第二金属层电连接。
19.根据权利要求17所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第三绝缘层的厚度为0.01um-10um，所述第三绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一种。
20.根据权利要求2所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括钛层、铂层、银层、铝层、镍层、铬层、金层、金锡合金中的至少一种。
21.根据权利要求2所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿水平方向的间隔为10um-300um。
22.根据权利要求2所述的倒装led芯片，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，第二半导体层为p型氮化镓层，第一电极为n电极，第二电极为p电极。