一种美容脱毛仪LED光源的制作方法

本实用新型涉及一种产生变化的照明效果的照明装置和系统的技术领域，特别是一种美容脱毛仪led光源。

背景技术：

使用激光进行人体脱毛是常用的美容手段，所使用的激光波长通常在950nm附近；由于激光具有单色性和高光通量的特点，激光脱毛的效率较高。由于大功率激光器的成本很高，使用条件苛刻，后期维护成本也很高，使用激光进行脱毛的总体性价比较低，同时由于激光是高相干的光源，激光使用不当存在一定的安全风险。

市场上也有使用ipl强光进行人体脱毛美容的设备，所使用的光源一般为高亮度的白光灯光源，这种光源光谱很宽，光通量很大，使用时需要通过特定的光滤波片过滤出所需波段的光，照射皮肤上进行脱毛处理。由于采用取出光谱中特定一段光谱使用，造成大量的光的浪费，这样对能量的使用效率很低。虽然成本相对激光来说较低，但总体性能一般，总体性价比仍不高，同时ipl普遍存在寿命问题，后期使用成本高。

目前采用ipl灯管技术存在以下缺陷：

1)使用大电流脉冲，设备内置大容量电容；

2)使用30-50万次不等即会失效，使用寿命短；

3)要使用滤光片，并且滤光片破碎后ipl强光会有烧伤皮肤风险；

4)不能连续使用，脉冲一次后需等待1s左右才能使用。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种美容脱毛仪led光源；本实用新型一种美容脱毛仪led光源通过将红外led芯片740nm与940nm进行组合，组合比例为10:1，使led光源具有简单、快速、连续、安全、高稳定性。

为了达到上述目的，本实用新型一种美容脱毛仪led光源，包括超导铝基板，所述超导铝基板中部设置有围坝，所述围坝内均布有led红外晶片，所述围坝内位于led红外晶片上方和周围设置有封装胶层，所述led红外晶片通过导电银胶连接在基板上，所述超导铝基板上表面设置有与led晶片连接的电路结构，所述围坝内均led红外晶片呈方形布置，每排所述led红外晶片均包括设置有不少于5个740nmled红外晶片与1-2个940nmled红外晶片，每排所述led红外晶片串联连接其两端均分别与正极焊盘和负极焊盘连接，所述940nmled红外晶片设置在每排led红外晶片中间。

进一步，740nmled红外晶片和940nmled红外晶片的比例设置为10:1。

本发明的有益效果在于：

本实用新型美容脱毛仪led光源通过将红外led芯片740nm与940nm进行组合，组合比例为10:1，使led光源具有简单、快速、连续、安全、高稳定性。

该美容脱毛仪led光源与传统光源相比，其具有如下的优点：

1)连续点亮使用、安全(取消610nm以下波长)，从源头解决烧伤皮肤风险。

2)取消强电流脉冲、取消大容量电容、取消滤光片，成本低；

3)连续使用大于6万小时，使用寿命长。

附图说明

为了使本实用新型的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本实用新型提供如下附图进行说明：

图1为本实用新型美容脱毛仪led光源的结构示意图；

图2为本实用新型美容脱毛仪led光源中红外芯片布置状态图。

附图标记：1-正极焊盘；2-负极焊盘；3-740nm红外晶片；4-940nm红外晶片；5-超导铝基板；6-封装胶区。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1-2所示为本实用新型美容脱毛仪led光源的结构示意图，本实用新型一种美容脱毛仪led光源，包括超导铝基板，所述超导铝基板5中部设置有围坝，所述围坝内均布有led红外晶片，所述围坝内位于led红外晶片上方和周围设置有封装胶层6，所述led红外晶片通过导电银胶连接在基板上，所述超导铝基板上表面设置有与led晶片连接的电路结构，所述围坝内均led红外晶片呈方形布置，每排所述led红外晶片均包括设置有不少于5个740nmled红外晶片与1-2个940nmled红外晶片4，每排所述led红外晶片串联连接其两端均分别与正极焊盘1和负极焊盘2连接，所述940nmled红外晶片设置在每排led红外晶片中间。

本实施例通过将红外led芯片740nm与940nm进行组合，组合比例为10:1，使led光源具有简单、快速、连续、安全、高稳定性，该结构在针对led光源进行各种波长实验测试，经过测试对比发现波长740nm以上效果良好，并且解决ipl不能连续使用缺陷，led有效提高使用效率，采用在超导铝基板上集成电路板，采用芯片-铝板-散热器结构，将固定好的led晶片、进行烘烤，使银胶让led芯片与板子牢固粘接，要定时对各段温度进行检测，由于红外芯片大多数为单电极设计，只能通过特殊支架设计满足绝缘、高导来保证产品良率与稳定性，采用740nm与940nm红外led芯片组合，组合比例为10:1。

优选的实施方式，740nmled红外晶片和940nmled红外晶片的比例设置为10:1。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的保护范围当中。

技术特征：

1.一种美容脱毛仪led光源，包括超导铝基板，所述超导铝基板中部设置有围坝，所述围坝内均布有led红外晶片，所述围坝内位于led红外晶片上方和周围设置有封装胶层，其特征在于：所述led红外晶片通过导电银胶连接在基板上，所述超导铝基板上表面设置有与led晶片连接的电路结构，所述围坝内均led红外晶片呈方形布置，每排所述led红外晶片均包括设置有不少于5个740nmled红外晶片与1-2个940nmled红外晶片，每排所述led红外晶片串联连接其两端均分别与正极焊盘和负极焊盘连接，所述940nmled红外晶片设置在每排led红外晶片中间。

2.如权利要求1所述的一种美容脱毛仪led光源，其特征在于：所述740nmled红外晶片和940nmled红外晶片的比例设置为10:1。

技术总结
本实用新型公开了一种美容脱毛仪LED光源，包括超导铝基板，超导铝基板中部设置有围坝，围坝内均布有LED红外晶片，围坝内位于LED红外晶片上方和周围设置有封装胶层，LED红外晶片通过导电银胶连接在基板上，超导铝基板上表面设置有与LED晶片连接的电路结构，围坝内均LED红外晶片呈方形布置，每排LED红外晶片均包括设置有不少于5个740nmLED红外晶片与1‑2个940nmLED红外晶片，940nmLED红外晶片设置在每排LED红外晶片中间；本实用新型通过将红外LED芯片740nm与940nm进行组合，组合比例为10:1，使LED光源具有简单、快速、连续、安全、高稳定性。

技术研发人员：安辉;李二成
受保护的技术使用者：深圳市德润达光电股份有限公司
技术研发日：2019.11.22
技术公布日：2020.06.23