一种大直径硅圆片的去胶设备的制作方法

本实用新型属于半导体制造领域，尤其是涉及一种大直径硅圆片的去胶设备。

背景技术：

目前，半导体晶圆片的生产已慢慢进入大直径化，硅晶圆制造作为半导体产业重要环节，也迎来了发展机遇。国内已有数家企业开始进行300mm硅片的扩产。由于半导体行业所使用加工设备多为进口设备，如大直径硅圆片切割后的去胶清洗设备价格均值千万以上，对生产成本带来极大负担；进口的去胶设备体积较大，不仅需要占用较多的生产面积，还需专人操作维护，浪费人工；进口设备采用的是风刀式去胶方式，单颗大直径硅圆片的加工时间长，生产效率低。

技术实现要素：

针对现有的去胶设备存在的不足，本实用新型旨在提供一种大直径硅圆片的去胶设备。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种大直径硅圆片的去胶设备，包括：

机架，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；

升降机构，所述升降机构设置于所述机架的一侧；

进料台，所述进料台设置于所述机架的上部；所述进料台与所述升降机构连接，可相对升降；

浸泡罐，所述浸泡罐设置于所述进料台的下方；所述浸泡罐内设置有加热棒和液位控制装置；

排液系统，所述排液系统设置于所述浸泡罐的下方；

操作面板，所述操作面板用于控制所述升降机构、所述加热棒和所述液位控制装置。

进一步地，所述操作面板上设置有数显温控器和限位开关，所述数显温控器用于控制所述浸泡罐内的温度；所述升降机构包括提升机构和提升电机，所述限位开关用于控制所述提升机构的高低位。

更进一步地，所述数显温控器通过调节所述加热棒使所述浸泡罐内的温度为70-90℃。

进一步地，所述排液系统包括排水阀和漏斗，所述排水阀设置于所述漏斗下方；所述漏斗设置于所述浸泡罐的底部。

由于采用上述技术方案，本实用新型涉及的大直径硅圆片的去胶设备，采用的是热水浸泡式去胶方式，与进口设备采用的是风刀式去胶方式相比，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的一种实施例的侧视图示意图；

图3是本实用新型的一种实施例的俯视图；

图4是本实用新型的一种实施例的使用示意图。

图中：

1、机架2、提升机构3、提升电机

4、进料台5、大直径硅圆片6、浸泡罐

7、加热棒8、操作面板9、排水阀

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明：

在本实用新型实施例的描述中，需要理解的是，术语“上部”、“底部”、“一侧”、“下方”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的一种实施例中，如图1、图2、图3和图4所示，一种大直径硅圆片的去胶设备，包括：机架1、升降机构、进料台4、浸泡罐6、排液系统和操作面板8，升降机构、进料台4、浸泡罐6、排液系统和操作面板8均固定组装于机架1上，机架1用于固定支撑整个去胶设备。

优选地，机架1采用不锈钢扁通制作。

升降机构包括提升机构2和提升电机3，提升机构2与提升电机3的动力输出端电路连接。

进料台4与提升机构2采用丝杆和滑轨连接，可相对升降。进料台4与大直径硅圆片5的接触表面设置有导轨，便于大直径硅圆片5的进料。

浸泡罐6设置于进料台4的下方，优选地，浸泡罐6内设置的清洗液为2兆欧的纯水。优选地，浸泡罐6的材料为sus304不锈钢板。

浸泡罐6内设置有加热棒7和液位控制装置，加热棒7用于加热清洗液，液位控制装置用于控制浸泡罐6内清洗液的液位高低，保证去胶设备的正常运行，液位控制装置与操作面板8电路连接。

排液系统包括排水阀9和漏斗，漏斗设置于浸泡罐6的底部，且为倾斜式倒梯形结构。排水阀9设置于漏斗下方，用于控制排放浸泡罐6内的清洗液。

操作面板8上设置有数显温控器和限位开关，数显温控器用于控制浸泡罐6内清洗液的温度，调节加热棒7保证温度范围为70-90℃。浸泡罐6内清洗液的温度过高时，会使大直径硅圆片表面氧化；温度过低时，粘棒作业时所用的粘棒胶融化不彻底，导致清洗效果较差。

限位开关用于控制提升机构2的高低位，当进料台4通过提升机构2下降至浸泡罐6的底部时，控制限位开关来确保浸泡罐6内的清洗液能够完全淹没大直径硅圆片5。

一种大直径硅圆片的去胶设备的使用方法，使用如上述的去胶设备，步骤包括：

s1：开始粘棒作业，通过无水乙醇将大直径硅圆片5的表面擦拭干净，并进行粘棒固化，粘棒固化时间为室温条件下10h；

s2：将粘接固化完毕的大直径硅圆片5通过多线切割机进行切割加工；

s3：使用高压水枪将大直径硅圆片5表面的硅粉砂浆混合物冲洗干净；冲洗砂浆时需将大直径硅圆片5表面上粘棒胶和树脂条的接触部分冲洗干净，冲洗时间不小于8min，冲洗液为2兆欧的纯水；

s4：将冲洗干净的大直径硅圆片5通过下料车与进料台4进行对接上料，开始去胶作业；

s5：通过进料台4的导轨将大直径硅圆片5推至进料台4的中间位置，在操作面板8上开启提升电机3，通过提升机构2将进料台4下降至浸泡罐6内，确保浸泡罐6内的清洗液能够完全淹没大直径硅圆片5；

s6：在操作面板8上开启加热棒7，将浸泡罐6内的清洗液加热至70-90℃，并开始计时；

s6：当热水浸泡15-25min后，通过提升机构2将进料台4上升至起始位置，通过进料台4的导轨将大直径硅圆片5推至常温纯水槽内，完成去胶作业，并继续后续工作。

使用该去胶设备加工300mm的硅片产品，主要去胶合格率99.5％以上，去胶后大直径硅圆片5边缘无胶粒残留，几乎无崩边异常现象。

本实用新型的一种实施例的工作过程：

s1：开始粘棒作业，使用无水乙醇将直径为300mm，长度为410mm的大直径硅圆片5的表面擦拭干净，并使用日化精工所产的q-bondcs-10hb和cs-10rb系列胶水作为粘棒胶，配胶比例为cs-10rb:cs-10hb＝2:1，以及丹东新东方公司所产dx-7dz系列的粘棒定向仪设备进行粘棒固化，粘棒固化时间为室温条件下10h；

s2：将粘接固化完毕的大直径硅圆片5通过toyoe450e-12h型号多线切割机进行切割加工；

s3：使用高压水枪将大直径硅圆片5表面的硅粉砂浆混合物冲洗干净；冲洗砂浆时需将大直径硅圆片5表面上粘棒胶和树脂条的接触部分冲洗干净，冲洗时间不小于8min，冲洗液为2兆欧的纯水；

s4：将冲洗干净的大直径硅圆片5通过toyo的下料车与进料台4进行对接上料，开始去胶作业；

s5：通过进料台4的导轨将大直径硅圆片5推至进料台4的中间位置，在操作面板8上开启提升电机3，通过提升机构2将进料台4下降至浸泡罐6内，确保浸泡罐6内的清洗液能够完全淹没大直径硅圆片5；

s6：在操作面板8上开启加热棒7，将浸泡罐6内的清洗液加热至82℃，并开始计时；

s6：当热水浸泡17min后，通过提升机构2将进料台4上升至起始位置，通过进料台4的导轨将大直径硅圆片5推至常温纯水槽内，完成去胶作业，并继续后续工作。

以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。