一种半导体刻蚀清理装置的制作方法

本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体为一种半导体刻蚀清理装置。

背景技术：

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用，通常的，半导体在生产制造过程中需要经过诸多工艺才可以制备得到成品，其中，刻蚀工艺是半导体整个制造过程中最关键的工艺之一，刻蚀工艺的主要目的是在基底上将所需膜层图形化。

但是，对于干法刻蚀而言，刻蚀腔体在刻蚀后产生的高分子聚合物比较多，这些聚合物在被抽气带走时，会黏附在抽气阀的滤网上，容易造成堵塞，进而导致抽气速率下降，这样最终导致刻蚀速率低下。

技术实现要素：

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体刻蚀清理装置，具备清理滤网上的聚合物等优点，解决了背景技术提出的问题。

(二)技术方案

为实现上述清理滤网上的聚合物的目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体刻蚀清理装置，包括腔体和分子泵，所述腔体的底端固定连接有分子泵，分子泵的前端安装有u型管，且u型管的上端与腔体的底端固定连接，所述u型管的中间位置下端安装有清理装置，且清理装置的内侧滑动套接有排气管。

优选的，u型管的中间位置外表面固定连接有连接部，且连接部内的下端与排气管的上端贯通连接。

优选的，腔体内部的底端左右两侧均开设有落料孔，且落料孔的内壁开设有排气孔。

优选的，清理装置的顶端位置的排气管表面固定连接有限位柱，且清理装置的内部上端固定连接有连接块。

优选的，连接块的顶端固定连接有清理棒，且清理棒的表面开设有吸料孔。

优选的，排气管的内部固定连接有滤网，且滤网的中间位置开设有圆孔与清理棒的口径大小相同并与清理棒滑动插接。

优选的，腔体的底端固定连接有排料装置，且排料装置的外侧开设有多个进气孔，且进气孔的内部与排气孔贯通连接。

(三)有益效果

与现有技术对比，本实用新型具备以下有益效果：

1、该种半导体刻蚀清理装置，通过设置清理装置和排气管等结构，在聚合物通过腔体下端的落料孔，掉落至u型管内，然后落入滤网上方，一些体积较大的聚合物被留在了滤网上方，当滤网上方的聚合物堆积到一定程度开始影响到抽气阀的吸力时，即可手握清理装置向上滑动，其内部连接块有清理装置的带动向上运动，同时连接块上端的清理棒跟随向上运动，其顶端伸出滤网表面，则清理棒侧面的吸料孔开始吸收滤网表面的聚合物，当吸收掉滤网上方的聚合物后，即可拉动清理装置向下移动，恢复原位置，完成清理工作。

2、该种半导体刻蚀清理装置，通过设置排料装置，在一些聚合物卡在落料孔的侧壁上时，其腔体下端设置的进气孔在进入风力后经过落料孔侧壁上设置的排气孔排出，使得聚合物受到风力的影响，使聚合物吹落至下方，达到聚合物顺利落下的效果。

附图说明

图1为本实用新型立体结构示意图；

图2为本实用新型腔体内部透视立体结构示意图；

图3为本实用新型排气管和清理装置立体透视示意图。

图中：1、腔体；2、分子泵；3、u型管；31、连接部；32、落料孔；33、排气孔；4、清理装置；41、限位柱；42、连接块；43、清理棒；44、吸料孔；5、排气管；6、滤网；7、排料装置；71、进气孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

请参阅图1-3，一种半导体刻蚀清理装置，包括腔体1和分子泵2，腔体1的底端固定连接有分子泵2，分子泵2的前端安装有u型管3，u型管3的中间位置外表面固定连接有连接部31，腔体1内部的底端左右两侧均开设有落料孔32，且落料孔32的内壁开设有排气孔33，且连接部31内的下端与排气管5的上端贯通连接，且u型管3的上端与腔体1的底端固定连接，u型管3的中间位置下端安装有清理装置4，清理装置4的顶端位置的排气管5表面固定连接有限位柱41，且清理装置4的内部上端固定连接有连接块42，连接块42的顶端固定连接有清理棒43，且清理棒43的表面开设有吸料孔44，且清理装置4的内侧滑动套接有排气管5，排气管5的内部固定连接有滤网6，且滤网6的中间位置开设有圆孔与清理棒43的口径大小相同并与清理棒43滑动插接，通过设置清理装置4和排气管5等结构，在聚合物通过腔体1下端的落料孔32，掉落至u型管内，然后落入滤网6上方，一些体积较大的聚合物被留在了滤网6上方，当滤网6上方的聚合物堆积到一定程度开始影响到抽气阀的吸力时，即可手握清理装置4向上滑动，其内部连接块42有清理装置4的带动向上运动，同时连接块42上端的清理棒43跟随向上运动，其顶端伸出滤网6表面，则清理棒43侧面的吸料孔44开始吸收滤网6表面的聚合物，当吸收掉滤网6上方的聚合物后，即可拉动清理装置4向下移动，恢复原位置，完成清理工作。

实施例2

基于实施例1，如图1-3，腔体1的底端固定连接有排料装置7，且排料装置7的外侧开设有多个进气孔71，且进气孔71的内部与排气孔33贯通连接，通过设置排料装置7，在一些聚合物卡在落料孔32的侧壁上时，其腔体1下端设置的进气孔71在进入风力后经过落料孔32侧壁上设置的排气孔33排出，使得聚合物受到风力的影响，使聚合物吹落至下方，达到聚合物顺利落下的效果。

工作原理：在聚合物通过腔体1下端的落料孔32，掉落至u型管内，然后落入滤网6上方，一些体积较大的聚合物被留在了滤网6上方，当滤网6上方的聚合物堆积到一定程度开始影响到抽气阀的吸力时，即可手握清理装置4向上滑动，其内部连接块42有清理装置4的带动向上运动，同时连接块42上端的清理棒43跟随向上运动，其顶端伸出滤网6表面，则清理棒43侧面的吸料孔44开始吸收滤网6表面的聚合物，当吸收掉滤网6上方的聚合物后，即可拉动清理装置4向下移动，恢复原位置，完成清理工作，在一些聚合物卡在落料孔32的侧壁上时，其腔体1下端设置的进气孔71在进入风力后经过落料孔32侧壁上设置的排气孔33排出，使得聚合物受到风力的影响，使聚合物吹落至下方。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种半导体刻蚀清理装置，包括腔体(1)和分子泵(2)，所述腔体(1)的底端固定连接有分子泵(2)；

其特征在于：

所述分子泵(2)的前端安装有u型管(3)，且u型管(3)的上端与腔体(1)的底端固定连接，所述u型管(3)的中间位置下端安装有清理装置(4)，且清理装置(4)的内侧滑动套接有排气管(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述u型管(3)的中间位置外表面固定连接有连接部(31)，且连接部(31)内的下端与排气管(5)的上端贯通连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述腔体(1)内部的底端左右两侧均开设有落料孔(32)，且落料孔(32)的内壁开设有排气孔(33)。

4.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述清理装置(4)的顶端位置的排气管(5)表面固定连接有限位柱(41)，且清理装置(4)的内部上端固定连接有连接块(42)。

5.根据权利要求4所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述连接块(42)的顶端固定连接有清理棒(43)，且清理棒(43)的表面开设有吸料孔(44)。

6.根据权利要求5所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述排气管(5)的内部固定连接有滤网(6)，且滤网(6)的中间位置开设有圆孔与清理棒(43)的口径大小相同并与清理棒(43)滑动插接。

7.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀清理装置，其特征在于：所述腔体(1)的底端固定连接有排料装置(7)，且排料装置(7)的外侧开设有多个进气孔(71)，且进气孔(71)的内部与排气孔(33)贯通连接。

技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，且公开了一种半导体刻蚀清理装置，包括腔体和分子泵，所述腔体的底端固定连接有分子泵，分子泵的前端安装有U型管，且U型管的上端与腔体的底端固定连接，所述U型管的中间位置下端安装有清理装置，且清理装置的内侧滑动套接有排气管。该种半导体刻蚀清理装置，在聚合物通过腔体下端的落料孔，掉落至U型管内，然后落入滤网上方，一些体积较大的聚合物被留在了滤网上方，即可手握清理装置向上滑动，清理棒跟随向上运动，其顶端伸出滤网表面，则清理棒侧面的吸料孔开始吸收滤网表面的聚合物，当吸收掉滤网上方的聚合物后，即可拉动清理装置向下移动，恢复原位置，完成清理工作。

技术研发人员：毕泽
受保护的技术使用者：常州弘盛达电子设备有限公司
技术研发日：2019.12.30
技术公布日：2020.08.18