1.一种芯片表面连接系统，其特征在于，包括：
第一连接件，所述第一连接件包括第一连接件本体以及设置在所述第一连接件本体的镀第一金属层；其中，所述镀第一金属层由烧结在所述第一连接件本体一侧的第二金属颗粒组成；
第二连接件，所述第二连接件包括第二连接件本体以及设置在所述第二连接件本体的镀第二金属层；其中，所述镀第二金属层由烧结在所述第二连接件本体一侧的第三金属颗粒组成；
其中，所述镀第一金属层与所述镀第二金属层通过第一金属烧结连接层连接；所述第一金属烧结连接层由第一金属颗粒烧结生成。
2.根据权利要求1所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
3.根据权利要求1所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒包括纳米银颗粒。
4.根据权利要求1所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第三金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
5.根据权利要求1所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第三金属颗粒包括纳米银颗粒。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒选用所述第一金属颗粒材质相同的金属颗粒。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第三金属颗粒选用所述第一金属颗粒材质相同的金属颗粒。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒选用所述第一金属颗粒和所述第三金属颗粒材质相同的金属颗粒。
9.一种功率模块系统，其特征在于，包括底板和igbt功率模块；
所述底板包括底板本体以及设置在所述底板本体的镀第一金属层；其中，所述镀第一金属层由烧结在所述底板本体一侧的第二金属颗粒组成；
所述igbt功率模块包括igbt功率模块本体以及设置在所述igbt功率模块本体的镀第二金属层；其中，所述镀第二金属层由烧结在所述igbt功率模块本体一侧的第三金属颗粒组成；
其中，所述镀第一金属层与所述镀第二金属层通过第一金属烧结连接层连接；所述第一金属烧结连接层由第一金属颗粒烧结生成。
10.根据权利要求9所述的功率模块系统，其特征在于，所述igbt功率模块本体包括模封体、功率端子和信号端子；
所述镀第二金属层设置在所述模封体一侧。