显示基板、显示装置、掩模板和制造方法与流程

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、显示装置、掩模板和制造方法。

背景技术：

近年来，随着显示技术的进步，oled(organiclightemittingdiode，有机发光二极管)显示器成为平板显示器的研究热点之一。oled显示器在亮度、对比度和色域等方面存在一定的优势。

技术实现要素：

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种显示基板的制造方法，包括：在衬底上形成图案结构，所述衬底包括相邻的第一衬底部分和第二衬底部分，所述图案结构形成在所述第一衬底部分上；在所述衬底上形成平坦化层，所述平坦化层包括在所述第一衬底部分上的第一平坦化层和在所述第二衬底部分上的第二平坦化层，所述第一平坦化层在所述衬底上的投影覆盖所述图案结构在所述衬底上的投影，且所述第一平坦化层的至少部分的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度高于所述第二平坦化层的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度；以及去除所述第一平坦化层的一部分，以减小所述第一平坦化层的至少部分的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度与所述第二平坦化层的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度之间的高度差。

在一些实施例中，在形成所述平坦化层的过程中，所述第一平坦化层的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度高于所述第二平坦化层的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度；所述第二平坦化层的远离所述衬底一侧的表面包括多个部分，其中，所述第二平坦化层的远离所述衬底一侧的表面的多个部分分别到所述衬底的高度均相等。

在一些实施例中，所述第一平坦化层在所述衬底上的投影完全覆盖所述图案结构在所述衬底上的投影。

在一些实施例中，去除所述第一平坦化层的一部分的步骤包括：利用掩模板对所述第一平坦化层执行曝光工艺，其中，所述掩模板包括至少一个狭缝状的第一透光区，所述至少一个第一透光区对应于所述第一平坦化层；以及在执行曝光工艺之后，对所述第一平坦化层执行显影工艺。

在一些实施例中，所述掩模板包括多个第一透光区，所述多个第一透光区沿着与所述图案结构的长度方向相同的方向分布；其中，随着所述第一平坦化层的所述至少部分的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度逐渐增加，所述多个第一透光区中各个第一透光区的宽度逐渐增大，或者，随着所述第一平坦化层的所述至少部分的远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的高度逐渐增加，所述多个第一透光区的分布密度逐渐增大。

在一些实施例中，在形成所述平坦化层后，还对所述平坦化层执行图案化工艺，其中在执行所述图案化工艺的过程中，执行去除所述第一平坦化层的一部分的步骤。

在一些实施例中，对所述平坦化层执行图案化工艺的步骤包括：利用掩模板对所述平坦化层执行曝光工艺，所述掩模板包括第一区域，所述第一区域包括至少一个狭缝状的第一透光区和至少一个第二透光区，所述至少一个第一透光区对应于所述第一平坦化层；以及在执行曝光工艺之后，对所述平坦化层执行显影工艺，其中，在所述平坦化层中与所述第二透光区对应的部分形成穿过所述平坦化层的过孔。

在一些实施例中，所述第一透光区的宽度范围为1微米至1.5微米，所述第一透光区的长度范围为50微米至55微米；所述第二透光区的径向尺寸的范围为4.5微米至5.5微米。

在一些实施例中，对所述平坦化层执行图案化工艺的步骤包括：利用掩模板对所述平坦化层执行曝光工艺，所述掩模板包括第一区域，所述第一区域包括至少一个狭缝状的第一透光区，所述至少一个第一透光区对应于所述第一平坦化层；以及在执行曝光工艺之后，对所述平坦化层执行显影工艺，其中，在所述平坦化层的与所述至少一个第一透光区中的一个第一透光区对应的部分处形成穿过所述平坦化层的过孔。

在一些实施例中，对所述平坦化层执行图案化工艺的步骤包括：利用掩模板对所述平坦化层执行曝光工艺，所述掩模板包括第一区域，所述第一区域包括具有第一透过率的第一膜层和与所述第一膜层相邻的具有第二透过率的第二膜层，所述第一透过率小于所述第二透过率，所述第一膜层包括至少一个狭缝状的第一透光区，所述至少一个第一透光区对应于所述第一平坦化层；以及在执行曝光工艺之后，对所述平坦化层执行显影工艺，以便去除所述平坦化层中的与所述第二膜层对应的部分，以及去除所述平坦化层中的与所述第一膜层对应的部分的一部分。

在一些实施例中，所述掩模板还包括与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域包括具有第三透过率的第三膜层和与所述第三膜层相邻的具有第四透过率的第四膜层，所述第三透过率小于所述第四透过率，所述第三透过率不等于所述第一透过率，所述第二透过率等于所述第四透过率。

在一些实施例中，所述第一透光区为缝隙。

在一些实施例中，所述制造方法还包括：在所述平坦化层上形成电极层；以及在所述电极层上形成用于子像素的功能层。

在一些实施例中，所述图案结构包括导线。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示基板，包括：衬底，所述衬底包括相邻的第一衬底部分和第二衬底部分；在所述第一衬底部分上的图案结构；在所述衬底上的平坦化层，所述平坦化层包括在所述第一衬底部分上的第一平坦化层和在所述第二衬底部分上的第二平坦化层，所述第一平坦化层在所述衬底上的投影覆盖所述图案结构在所述衬底上的投影，所述第一平坦化层包括至少一个凹陷。

在一些实施例中，所述至少一个凹陷在所述衬底上的投影的至少一部分与所述图案结构在所述衬底上的投影的至少一部分重叠。

在一些实施例中，所述凹陷的深度范围为0.01微米至0.5微米。

在一些实施例中，所述图案结构包括导线；所述凹陷包括凹槽；其中，所述导线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：在所述平坦化层上的电极层和在所述电极层上的用于子像素的功能层。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示装置，包括：如前所述的显示基板。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种用于如前所述制造方法的掩模板，包括：至少一个狭缝状的第一透光区，所述至少一个第一透光区用于与红色子像素中的第一平坦化层相对应；其中，每个第一透光区的宽度范围为1微米至1.5微米，每个第一透光区的长度范围为50微米至55微米。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造方法的流程图；

图2是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中一个阶段的结构的截面图；

图3是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图4a是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图4b是示出根据本公开一个实施例的掩模板的顶视图；

图5是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图6a是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图6b是示出根据本公开另一个实施例的掩模板的顶视图；

图7是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图8a是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图8b是示出根据本公开另一个实施例的掩模板的顶视图；

图9是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图10a是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图10b是示出根据本公开另一个实施例的掩模板的顶视图；

图10c是示出图10b中的结构的局部放大图；

图11是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图12是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造过程中另一个阶段的结构的截面图；

图13是示出根据本公开一个实施例的显示基板中子像素的像素界定层的开口形状示意图；

图14是示出显示基板中的子像素的部分结构的fib(focusedionbeam，聚焦离子束)透射电镜图。

应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不必须按照实际的比例关系绘制。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。

本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。

本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

本公开的发明人发现，如图14所示，在oled显示屏中(例如在ggrb像素排列中)，平坦化层(planarizationlayer，简称为pln)3300覆盖在导线2200上，这会造成该平坦化层的上表面倾斜并造成该平坦化层具有一定的坡度角α(后面将结合附图示出)。例如，该坡度角α的范围可以为2度至5度。在发光层材料被蒸镀形成之后，上述平坦化层的倾斜的上表面会造成红色子像素的发光层在导线上方的部分略高，从而造成该发光层发生一定角度的倾斜。在白态画面下，从显示面板的左右两侧观察，显示面板会呈现明显的视角偏红现象。对一些高端显示或者特殊显示场所，例如医疗、平面设计等领域，对视角色偏(即不同视角的颜色差异)要求非常严格。

鉴于此，本公开的实施例提供了一种显示基板的制造方法，以改善视角色偏问题。下面结合附图详细描述根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法。

图1是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制造方法的流程图。如图1所示，该制造方法可以包括步骤s102至s106。

在步骤s102，在衬底上形成图案结构，该衬底包括相邻的第一衬底部分和第二衬底部分，该图案结构形成在第一衬底部分上。例如，该图案结构可以包括导线。

在步骤s104，在衬底上形成平坦化层。该平坦化层包括在第一衬底部分上的第一平坦化层和在第二衬底部分上的第二平坦化层。该第一平坦化层在衬底上的投影覆盖图案结构在衬底上的投影。第一平坦化层的至少部分的远离衬底一侧的表面到衬底的高度高于第二平坦化层的远离衬底一侧的表面到衬底的高度。

在步骤s106，去除第一平坦化层的一部分，以减小第一平坦化层的至少部分的远离衬底一侧的表面到衬底的高度与第二平坦化层的远离衬底一侧的表面到衬底的高度之间的高度差。

例如，可以通过曝光和显影技术去除第一平坦化层的一部分，这样降低了第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的高度。通过该去除步骤，可以使得第一平坦化层与第二平坦化层基本齐平。

至此，提供了根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法。在该制造方法中，在衬底上形成图案结构。该衬底包括相邻的第一衬底部分和第二衬底部分。该图案结构形成在第一衬底部分上。在衬底上形成平坦化层。该平坦化层包括在第一衬底部分上的第一平坦化层和在第二衬底部分上的第二平坦化层。第一平坦化层在衬底上的投影覆盖图案结构在衬底上的投影。第一平坦化层的至少部分的远离衬底一侧的表面到衬底的高度高于第二平坦化层的远离衬底一侧的表面到衬底的高度。然后，去除第一平坦化层的一部分。这样可以减小第一平坦化层的至少部分的远离衬底一侧的表面到衬底的高度(或者说平均高度)，从而可以减小第一平坦化层的该平面的高度与第二平坦化层的远离衬底一侧的表面到衬底的高度(或者说平均高度)之间的高度差。这样在后续步骤在平坦化层上方形成发光层的过程中，可以减小发光层的倾斜角度，从而可以改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。

图2-图3、图4a、图5、图6a、图7、图8a、图9、图10a以及图11-图12是示出根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程中若干阶段的结构的截面图。这些截面图可以是若干阶段的结构沿着图13中的线a-a’截取的截面图。图4b、图6b、图8b和图10b是示出根据本公开一些实施例的掩模板的顶视图。下面结合这些附图详细描述根据本公开一些实施例的显示基板的制造过程。

首先，如图2所示，例如通过沉积和图案化等工艺在衬底21上形成图案结构22。例如，该图案结构可以为导线(诸如数据线)。该衬底22可以包括相邻的第一衬底部分211和第二衬底部分212。该图案结构22形成在该第一衬底部分211上。例如，该衬底21可以包括初始基板(例如柔性基板或刚性基板)和在该初始基板上的结构层(图中未示出)。例如该结构层可以包括用于薄膜晶体管的结构层(例如源极、漏极、栅极和栅极绝缘层等)等。

接下来，如图3所示，在衬底21上形成平坦化层33。该平坦化层33可以包括在第一衬底部分211上的第一平坦化层331和在第二衬底部分212上的第二平坦化层332。该第一平坦化层331与该第二平坦化层332是连续的层结构。第一平坦化层331在衬底21上的投影覆盖图案结构22在衬底21上的投影。例如，第一平坦化层331在衬底21上的投影完全覆盖图案结构22在衬底21上的投影。在一些实施例中，第一平坦化层331覆盖图案结构22。该平坦化层33的材料可以包括树脂等有机材料。例如，该树脂可以是经过改性的树脂。这样的树脂经过改性后可用于光照反应。

在该形成平坦化层的过程中，如图3所示，第一平坦化层331的至少部分的远离衬底21一侧的表面到衬底21的高度高于第二平坦化层332的远离衬底21一侧的表面到衬底的高度。这里的高度可以是平均高度。例如，第一平坦化层331的远离衬底21一侧的表面到衬底的高度高于第二平坦化层332的远离衬底21一侧的表面到衬底21的高度。这导致该平坦化层33的远离衬底21一侧的表面发生倾斜并造成该平坦化层33具有一定的坡度角α。该坡度角α为平坦化层的远离衬底一侧的表面与该平坦化层的靠近衬底一侧的表面之间所成的夹角。例如，该平坦化层的靠近衬底一侧的表面为该平坦化层的与衬底接触的表面。

在一些实施例中，第二平坦化层332的远离衬底21一侧的表面可以包括多个部分(图中未示出)。即可以将第二平坦化层的该表面分成多个部分。该第二平坦化层332的远离衬底21一侧的表面的该多个部分分别到衬底21的高度均相等。即，第二平坦化层332可以是平坦的层结构。需要说明的是，这里的“相等”包括但不限于绝对的相等，而是可以存在一定的误差，就如同在“相等”之前加上“基本上”的限定一样。

接下来，去除第一平坦化层331的一部分。这样可以减小第一平坦化层331的至少部分的上表面的高度与第二平坦化层332的上表面的高度之间的高度差。这里，第一平坦化层331的上表面的高度为第一平坦化层的远离衬底21一侧的表面到衬底的高度，第二平坦化层332的上表面的高度为第二平坦化层332的远离衬底21一侧的表面到衬底21的高度。例如，通过该去除步骤，可以使得第一平坦化层311的上表面与第二平坦化层332的上表面基本齐平。

下面结合附图分别描述根据本公开一些实施例的去除第一平坦化层的一部分的过程。

在一些实施例中，可以结合图4a、图4b和图5来描述该去除第一平坦化层的一部分的步骤。

例如，如图4a所示，可以利用掩模板40对该第一平坦化层331执行曝光工艺。例如，该掩模板的材料可以包括光刻胶。如图4a和图4b所示，该掩模板40可以包括至少一个狭缝状的第一透光区。这里，狭缝状可以是长条矩形、长条椭圆形或其他形状。另外，该狭缝状可以是连续的长条形状，也可以是间隔的多个长条形状。例如，该第一透光区可以为缝隙(slit)。例如，该至少一个第一透光区可以包括多个第一透光区(例如第一透光区411、412和413)。该至少一个第一透光区对应于第一平坦化层331。这里，所描述的“对应”是指在曝光过程中，第一透光区与第一平坦化层的需要被曝光的部分对位，这样光线可以透过第一透光区从而到达需要被曝光的部分上以对该部分进行曝光。另外，图4a还示出了用于曝光的光束42。

在一些实施例中，多个第一透光区沿着与图案结构(例如导线)的长度方向(例如如图13所示)相同的方向分布。或者说，多个第一透光区沿着第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的长度方向分布。例如，图13中示出了像素界定层的开口1900。在每个子像素(例如红色子像素)中，第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的长度方向即为该开口1900的长度方向，该长度方向与图案结构(例如导线)22的长度方向基本一致。

在一些实施例中，随着第一平坦化层331的所述至少部分的远离衬底一侧的表面到该衬底的高度逐渐增加，该多个第一透光区中各个第一透光区的宽度逐渐增大。这里，宽度是指与垂直于上述长度方向的尺寸。例如，在多个第一透光区的分布密度固定的情况下，该第一平坦化层的上述表面的高度越高，第一透光区的宽度越大。例如，如图4a和图4b所示，第一透光区411的宽度a1<第一透光区412的宽度a2<第一透光区413的宽度a3。如图4a所示，随着第一透光区的宽度增加，穿过该第一透光区的光束42的光量强度(lightintensity)也增加。这样在后续显影时去除的第一平坦化层的部分比较多。如图4a所示，该光束42穿过第一透光区后可以发生发散或衍射等现象。

在一些实施例中，随着第一平坦化层331的所述至少部分的远离衬底一侧的表面到衬底的高度逐渐增加，所述多个第一透光区的分布密度逐渐增大。例如，在每个第一平坦化层的宽度固定的情况下，在与图案结构的长度方向相同的方向上，第一平坦化层331的上述表面的高度越高，相应的第一透光区的分布密度越大。也可以其他方向上，第一平坦化层331的上述表面的高度越高，相应的第一透光区的分布密度越大。这样在对第一平坦化层进行曝光并显影(下面将描述)后，可以更加第一平坦化层的上述表面到衬底的高度更加均匀。

接下来，如图5所示，在执行曝光工艺之后，对该第一平坦化层331执行显影工艺。通过该显影工艺，去除了该第一平坦化层的一部分(例如被曝光的部分)，从而可以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的平均高度，减小坡度角α(例如减小后的坡度角α的范围可以为0度至0.5度)，进而有利于改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。

需要说明的是，本公开实施例的平坦化层可以具有正性光刻胶的特性，即在显影过程中，可以去除平坦化层的被曝光部分(即上述第一平坦化层的一部分)。但是，本公开的范围并不仅限于此。例如，平坦化层可以具有负性光刻胶的特性。对于这样的具有负性光刻胶的特性的平坦化层，在设计掩模板时，例如，可以将原来掩模板的第一透光区替换成不透光区域，将原来掩模板的不透光区域替换成透光区域。利用这样的掩模板对平坦化层进行曝光后，即可通过显影工艺去除平坦化层中未被曝光的部分(即上述第一平坦化层的一部分)。

在一些实施例中，如图5所示，经过曝光和显影工艺，在第一平坦化层331的表面可以形成至少一个凹陷3312。例如该凹陷可以包括凹槽。这样的凹陷降低了第一平坦化层的上述表面的平均高度。在一些实施例中，该凹陷3312的深度h的范围可以为0.01微米至0.5微米。例如，该凹陷的深度h可以为0.05微米、0.1微米或0.3微米等。该凹陷的深度是指凹陷的底部与凹陷周围的凸起的顶部之间的距离。

在另一些实施例中，在第一透光区的数量比较多的情况下，穿过所有第一透光区的光束由于发散而可能发生部分重叠。这样可以对第一平坦化层的大部分的远离衬底一侧的表面进行曝光并进行显影，从而有利于尽量使得第一平坦化层的该表面平整。

在一些实施例中，在形成平坦化层后，还可以对平坦化层执行图案化工艺，以便在平坦化层中形成穿过该平坦化层的过孔，从而可以在后续步骤中形成穿过该过孔的电极层(例如阳极层)。例如，上述利用掩模板去除第一平坦化层的一部分的步骤可以在该图案化工艺之后执行。例如，可以在图案化工艺之后，在平坦化层上形成光刻胶，例如曝光和显影工艺对光刻胶进行图案化，然后利用图案化后的光刻胶作为掩模，对平坦化层执行干法刻蚀等工艺，从而实现去除第一平坦化层的一部分的步骤。

至此，提供了根据本公开一些实施例的显示基板的制造方法。上述制造方法可以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的高度。这样在后续步骤在平坦化层上方形成发光层的过程中，可以减小发光层的倾斜角度，从而可以改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。

在另一些实施例中，在形成平坦化层后，还可以对该平坦化层执行图案化工艺。在执行该图案化工艺的过程中，可以执行去除第一平坦化层的一部分的步骤。下面分别结合附图详细描述根据一些实施例的这样的对平坦化层执行图案化工艺的步骤。

在一些实施例中，可以结合图6a、图6b和图7来描述对平坦化层执行图案化工艺的步骤。

例如，如图6a所示，利用掩模板60对该平坦化层33执行曝光工艺。如图6a和图6b所示，该掩模板60可以包括第一区域601。该第一区域601可以包括至少一个狭缝状的第一透光区(例如第一透光区611、612和613)和至少一个第二透光区630。该第二透光区可以在所述至少一个第一透光区的一侧，例如可以在该至少一个第一透光区的左下角或右上角或其他位置。该第二透光区的透过率(这里，透过率是指光的透过率)可以与第一透光区的透过率相等，也可以与第一透光区的透过率不相等。该至少一个第一透光区对应于第一平坦化层331。例如，该第二透光区630可以为通孔。在一些实施例中，该掩模板60可以包括与第一区域601相邻的第二区域602。在曝光过程中，该第二区域602可以与显示基板的非显示区(图中未示出)对位。例如，该非显示区可以包括形成有集成电路的区域。另外，图6a还示出了用于曝光的光束62。

需要说明的是，虽然图6a和图6b中示出了一个第二透光区630，但是该处示出的是对应于一个子像素的第二透光区。本领域技术人员能够明白，由于显示基板包括多个子像素，因此，上述掩模板的第一区域包括多个第二透光区。

还需要说明的是，该第二透光区630的形状并不仅限于四边形，还可以是其他形状。例如，该第二透光区的形状可以为其他多边形、圆形或不规则图形等。

在一些实施例中，第一透光区的宽度范围为1微米至1.5微米，第一透光区的长度范围为50微米至55微米。在一些实施例中，第二透光区的径向尺寸的范围为4.5微米至5.5微米。在这样的尺寸下，在曝光后，与第二透光区对应的平坦化层的部分更容易形成过孔。

在一些实施例中，与前面描述类似地，第一透光区611的宽度b1<第一透光区612的宽度b2<第一透光区613的宽度b3。

接下来，如图7所示，在执行曝光工艺之后，对平坦化层33执行显影工艺。在平坦化层33中的与第二透光区630对应的部分(或者说与第二透光区630对位的部分)形成穿过该平坦化层的过孔710。例如，在第二透光区630的尺寸可以比较大(例如，第二透光区630的径向大于第一透光区的宽度)的情况下，穿过该第二透光区的光束的光量强度比较大，因此与该第二透光区对应的平坦化层的部分被曝光的较多，从而在显影时可以比较多地去除该部分以形成过孔，以便在后续步骤中可以形成穿过该过孔的电极层(例如阳极层)。

另外，由于掩模板60包括第二区域602，因此，对应于该第二区域的平坦化层的部分也会被曝光和显影。例如，上述步骤也可以去除平坦化层的处于非显示区的至少一部分。

至此，提供了根据本公开另一些实施例的显示基板的制造方法。通过该制造方法，不但在平坦化层中形成了过孔，而且去除了该第一平坦化层的一部分，从而可以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的平均高度，减小坡度角α，进而有利于改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。相比在对平坦化层图案化后再进行曝光和显影的制造方法，该制造方法曝光和显影的次数，因此该制造方法可以降低成本。

在另一些实施例中，可以结合图8a、图8b和图9来描述对平坦化层执行图案化工艺的步骤。

如图8a所示，利用掩模板80对平坦化层33执行曝光工艺。如图8a和图8b所示，该掩模板80可以包括第一区域801。该第一区域801可以包括至少一个狭缝状的第一透光区。例如，该至少一个第一透光区包括多个第一透光区(例如第一透光区811、812和813)。该至少一个第一透光区对应于第一平坦化层331。在一些实施例中，与前面类似地，该掩模板还可以包括与第一区域801相邻的第二区域802。另外，图8a还示出了用于曝光的光束82。

在一些实施例中，如图8a和图8b所示，第一透光区811的宽度c1<第一透光区812的宽度c2<第一透光区813的宽度c3。

接下来，如图9所示，在执行曝光工艺之后，对平坦化层33执行显影工艺。在该平坦化层33的与至少一个第一透光区中的一个第一透光区对应的部分处形成穿过该平坦化层33的过孔910。这里，该对应的部分与图案结构没有交叠，这样才能保证在该部分处可以被形成过孔。例如，第一透光区813的宽度较大，在曝光过程中，穿过该第一透光区813的光束的光量强度较大，因此平坦化层的与该第一透光区813对应的部分被曝光较多。这样在显影的时候，可以比较多地去除该平坦化层的该部分，从而可以形成过孔910，以便后续可以形成穿过该过孔的电极层(例如阳极层)。

至此，提供了根据本公开另一些实施例的显示基板的制造方法。通过上述制造方法，可以不在掩模板中形成第二透光区，而是以一个透光区起到上述第二透光区的作用，以便于在显影步骤中在平坦化层中形成过孔。这样可以简化掩模板的图案，降低成本。上述方法可以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的平均高度，减小坡度角α，进而有利于改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。相比在对平坦化层图案化后再进行曝光和显影的制造方法，该制造方法曝光和显影的次数，因此该制造方法可以降低成本。

在另一些实施例中，可以结合图10a、图10b、图10c和图11来描述对平坦化层执行图案化工艺的步骤。需要说明的是，为了示出的方便，图10a中示出了图10b中的一个第一透光区组10011的截面图。另外，图10c是图10b中的第一透光区组10011的放大示意图。

如图10a所示，利用掩模板1000对平坦化层33执行曝光工艺。如图10a、图10b和图10c所示，该掩模板1000可以包括第一区域1100。该第一区域1100可以包括具有第一透过率的第一膜层1001和与该第一膜层1001相邻的具有第二透过率的第二膜层1002。这第一膜层和该第二膜层用于对显示基板的不同位置处的平坦化层进行曝光。例如，该第二膜层1002包围该第一膜层1001。该第一透过率小于该第二透过率。例如，该第一透过率的范围可以为19％至23％，该第二透过率可以为100％。即，第一膜层1001可以为半透明膜层，第二膜层1002可以为全透明膜层。该第一膜层1001可以包括至少一个狭缝状的第一透光区。例如，第一膜层可以包括多个第一透光区组10011。在曝光过程中，每个第一透光区组与一个子像素对位。该第一透光区组可以包括至少一个第一透光区。例如，该至少一个第一透光区可以包括多个第一透光区(例如第一透光区1011、1012和1013)。该至少一个第一透光区对应于第一平坦化层331。另外，图10a还示出了用于曝光的光束1302。

在一些实施例中，与前面描述类似地，如图10c所示，第一透光区1011的宽度d1<第一透光区1012的宽度d2<第一透光区1013的宽度d3。

在一些实施例中，该掩模板1000可以包括第一区域1100相邻的第二区域1200。该第二区域1200可以包括具有第三透过率的第三膜层1003和与该第三膜层1003相邻的具有第四透过率的第四膜层1004。例如，在曝光过程中，该第三膜层1003与非显示区中的cof(chiponfilm，膜上芯片)区对位，这样可以对该cof区的平坦化层进行曝光。该第四膜层1004可以包围该第三膜层1003。该第四膜层1004与该第二膜层1002相邻。例如，该第三透过率小于该第四透过率，该第三透过率不等于该第一透过率。该第二透过率可以等于该第四透过率。该第三透过率的范围可以为19％至23％，该第四透过率可以为100％。即，第三膜层1003可以为半透明膜层，第四膜层1004可以为全透明膜层。在一些实施例中，该掩模板的第二区域可以采用具有半透过率的掩模(halftonemask)。

在一些实施例中，该第一膜层1001、该第二膜层1002、该第三膜层1003和该第四膜层1004的材料可以分别包括铬(cr)。在一些实施例中，该第一膜层1001、该第二膜层1002、该第三膜层1003和该第四膜层1004分别可以包括cr膜和在cr膜上的遮光膜。即，可以在cr膜上镀上该层遮光膜，该遮光膜的材料(包括材料结构以及材料中物质的含量等)可以导致该遮光膜具有不同的透过率。这样可以使得上述第一膜层、第二膜层、第三膜层和第四膜层分别具有各自相应的透过率。

在上面的实施例中，通过设计第一膜层、第二膜层、第三膜层和第四膜层的透过率，可以根据不同情况控制对整个平坦化层的不同部分的被曝光程度，从而可以对平坦化层的不同部分进行不同程度的显影。

接下来，如图11所示，在执行曝光工艺之后，对平坦化层33执行显影工艺，以便去除该平坦化层33中的与第二膜层1002对应的部分(即在曝光过程中平坦化层的与第二膜层对位的部分，图中未示出)，以及去除该平坦化层中的与第一膜层1001对应的一部分(即在曝光过程中平坦化层的与第一膜层对位的一部分)以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的高度。

在一些实施例中，由于第一透光区1013的宽度较大，因此在曝光过程中，穿过该第一透光区的光束的光量强度比较大。这样，平坦化层的与该第一透光区1013对应的部分被曝光较多。这样在显影的时候，可以在该部分处形成过孔2000，以便后续可以形成穿过该过孔的电极层(例如阳极层)。

在另一些实施例中，也可以在第一膜层中设置第二透光区，这样在经过曝光和显影后，可以在平坦化层的对应于该第二透光区的部分处形成穿过该平坦化层的过孔。

至此，提供了根据本公开另一些实施例的显示基板的制造方法。通过该制造方法，不但在平坦化层中形成了穿过该平坦化层的过孔，而且可以降低第一平坦化层的远离衬底一侧的表面的平均高度，减小坡度角α，进而有利于改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。

在一些实施例中，上述制造方法还可以包括：如图12所示，在平坦化层33上形成电极层(例如阳极层)1400。该电极层1400的一部分穿过过孔710(或者过孔910、2000)从而与衬底中的薄膜晶体管(图中未示出)的源极或漏极连接。

在一些实施例中，上述制造方法还可以包括：如图12所示，在电极层1400上形成用于子像素(例如红色子像素)的功能层1600。例如，该功能层1600可以至少包括发光层。又例如，该功能层1600还可以包括电子传输层和空穴传输层等。在一些实施例中，可以先在电极层1400上形成像素界定层1500，该像素界定层具有露出该电极层的开口；然后形成穿过该开口的功能层1600。

在上面的实施例中，由于前面所述的制造方法降低了第一平坦化层的上表面的高度。这样在平坦化层上方形成功能层(例如发光层)的过程中，可以减小功能层(例如发光层)的倾斜角度(例如，减小后的倾斜角度的范围为0度至0.5度)，从而可以改善显示屏的视角色偏问题，提高显示屏的显示效果。

由上述制造方法，还可以形成一种显示基板，例如图5、图7、图9、图11或图12所示的显示基板。下面以图12所示的显示基板为例，详细描述根据本公开一些实施例的显示基板。

如图12所示，该显示基板可以包括衬底21。该衬底21可以包括相邻的第一衬底部分211和第二衬底部分212。该显示基板还可以包括在该第一衬底部分211上的图案结构22。该显示基板还可以包括在衬底21上的平坦化层33。该平坦化层33可以包括在第一衬底部分211上的第一平坦化层331和在第二衬底部分212上的第二平坦化层332。该第一平坦化层331和该第二平坦化层332为连续的层结构。第一平坦化层331在衬底21上的投影覆盖图案结构22在衬底21上的投影。例如，该第一平坦化层331覆盖图案结构22。第一平坦化层331可以包括至少一个凹陷3312。

在一些实施例中，该图案结构22可以包括导线(例如数据线)。该凹陷3312可以包括凹槽。例如，该导线的延伸方向与该凹槽的延伸方向相同。

在一些实施例中，该至少一个凹陷3312在衬底21上的投影的至少一部分与图案结构22在该衬底21上的投影的至少一部分重叠。

在一些实施例中，该凹陷3312的深度h的范围可以为0.01微米至0.5微米。例如，该凹陷的深度h可以为0.05微米、0.1微米或0.3微米等。该凹陷的深度h是指凹陷的底部与凹陷周围的凸起的顶部之间的距离。

在一些实施例中，如图12所示，该平坦化层33具有穿过该平坦化层的过孔710。该过孔710露出该衬底21的一部分。

在一些实施例中，如图12所示，该显示基板还可以包括在该平坦化层33上的电极层1400。该电极层1400穿过过孔710并与衬底中的薄膜晶体管的源极或漏极(图中未示出)连接。

在一些实施例中，如图12所示，该显示基板还可以包括在该电极层1400上的用于子像素(例如红色子像素)的功能层1600。

在一些实施例中，如图12所示，该显示基板还可以包括在电极层1400上的像素界定层1500。该功能层1600穿过该像素界定层1500并与该电极层1400连接。

根据本公开的一些实施例中，还提供了一种显示装置。该显示装置可以包括如前所述的显示基板(例如图5、图7、图9、图11或图12所示的显示基板)。例如，该显示装置可以为：显示面板、显示屏、显示器、手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本公开的一些实施例中，该提供了一种掩模板。该掩模板可以包括至少一个狭缝状的第一透光区。该至少一个第一透光区用于与红色子像素中的第一平坦化层相对应。即，该第一透光区与第一平坦化层对位。每个第一透光区的宽度范围可以为1微米至1.5微米，每个第一透光区的长度范围可以为50微米至55微米。

至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。