1.一种电磁器件，包括：
介电结构，所述介电结构包括；
第一介电部分fdp，其具有近端和远端，所述fdp包括除空气外的介电材料；以及
第二介电部分sdp，其具有近端和远端，所述sdp的近端被布置成接近所述fdp的远端，所述sdp包括除空气外的介电材料；并且
其中，所述fdp的介电材料的平均介电常数大于所述sdp的介电材料的平均介电常数。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电结构是全介电结构。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，其中，所述fdp是单一介电材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中，所述sdp包括外部主体和内部区域，所述外部主体包括具有第一介电常数的介电材料，并且所述内部区域包括具有小于所述第一介电常数的第二介电常数的介电材料。
5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述内部区域包括空气。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中，所述sdp具有3d形状，所述3d形状具有接近所述sdp的近端的第一xy平面截面区域，以及在所述sdp的近端与远端之间的第二xy平面截面区域，所述第二xy平面截面区域大于所述第一xy平面截面区域。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中：
所述sdp具有总最大高度hs和总最大宽度ws；并且
hs大于ws。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置成与所述fdp直接紧密接触。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的五倍的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的三倍的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的二倍的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的一倍的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的二分之一的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
14.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中，所述sdp被设置在与所述fdp的远端相距等于或小于λ的十分之一的距离处，其中，λ是操作中心频率处的自由空间波长。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中：
所述fdp的介电材料的介电常数等于或大于10；并且
所述sdp的介电材料的介电常数等于或小于9。
16.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中：
所述fdp的介电材料的介电常数等于或大于11；并且
所述sdp的介电材料的介电常数等于或小于5。
17.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中：
所述fdp的介电材料的介电常数等于或大于12；并且
所述sdp的介电材料的介电常数等于或小于3。
18.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中：
所述fdp的介电材料的介电常数等于或大于10并且等于或小于20；并且
所述sdp的介电材料的介电常数等于或大于2并且等于或小于9。
19.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中：
所述fdp的介电材料的介电常数等于或大于10并且等于或小于15；并且
所述sdp的介电材料的介电常数等于或大于2并且等于或小于5。
20.根据权利要求7所述的器件，其中，hs等于或大于ws的1.5倍。
21.根据权利要求7所述的器件，其中，hs等于或大于ws的2倍。
22.根据权利要求7所述的器件，其中，
所述fdp具有总最大高度hf和总最大宽度wf；并且
hs大于hf；并且
ws大于wf。
23.根据权利要求22所述的器件，其中：
hs大于hf的5倍；并且
ws大于wf的1.2倍。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的器件，其中，
所述fdp包括凸形远端；并且
所述sdp包括平坦远端。
25.根据权利要求1至23中任一项所述的器件，其中：
所述fdp包括凸形远端；并且
所述sdp包括凸形远端。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的器件，其中：
所述sdp的近端具有总最大宽度w1，并且所述sdp的远端具有总最大宽度ws；并且
ws大于w1。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的器件，包括被布置成阵列的多个介电结构，其中：
所述多个介电结构中的每个sdp经由连接结构物理地连接至所述sdp中的至少另一个sdp。
28.根据权利要求27所述的器件，其中，与所述多个介电结构之一的总外部尺寸相比，每个连接结构相对薄，每个连接结构具有小于相应的被连接介电结构的总高度的横截总高度并且由非气态介电材料形成，每个连接结构和所关联的sdp形成单个单片结构。
29.根据权利要求28所述的器件，其中：
每个连接结构的横截总高度小于所述器件操作时的对应操作中心频率的自由空间波长。
30.根据权利要求27至29中任一项所述的器件，其中：
所述连接结构由与所述sdp的介电材料相同的介电材料形成。
31.根据权利要求27至30中任一项所述的器件，其中：
所述连接结构和所述sdp形成作为连续无缝结构的所述单个单片结构。
32.根据权利要求27至31中任一项所述的器件，还包括衬底，介电结构的所述阵列被设置在所述衬底上，所述衬底包括至少一个支承部分，其中：
所述连接结构包括至少一个安装部分，所述至少一个安装部分中的每一个被设置成与所述至少一个支承部分成一一对应关系。
33.根据权利要求27至32中任一项所述的器件，其中：
所述sdp中的每个sdp被设置在与所述fdp中的对应fdp的远端相距一定距离处，其中在每个sdp与对应fdp之间具有限定间隙。
34.根据权利要求27至33中任一项所述的器件，其中：
所述衬底的所述至少一个支承部分中的每一个包括面朝下的底切肩；并且
所述连接结构的所述至少一个安装部分中的每一个包括面朝上的卡扣配合肩，所述卡扣配合肩被设置成与对应的面朝下的底切肩卡扣配合地接合。
35.根据权利要求27至33中任一项所述的器件，其中：
所述衬底的所述至少一个支承部分中的每个支承部分包括面朝上的支承表面；并且
所述连接结构的所述至少一个安装部分中的每个安装部分包括面朝下的安装表面，所述安装表面被设置成与所述面朝上的支承表面中的对应一个面对面地接合。
36.根据权利要求35所述的器件，所述至少一个安装部分中的每个安装部分粘附至所述至少一个支承部分中的对应的支承部分。
37.根据权利要求27至33中任一项所述的器件，其中：
所述衬底的所述至少一个支承部分中的每个支承部分与所述连接结构的所述至少一个安装部分中的对应的安装部分彼此附接以限定第一附接区；
所述阵列的fdp中的每个fdp与所述衬底彼此附接以限定第二附接区；并且
所述单个单片结构与所述衬底之间除了所述第一附接区或所述第二附接区之外的区限定非附接区。
38.根据权利要求37所述的器件，其中：
所述第一附接区至少部分地围绕所述第二附接区。
39.根据权利要求37所述的器件，其中：
所述第一附接区完全围绕所述第二附接区。
40.根据权利要求32所述的器件，其中：
所述衬底包括金属栅栏结构，所述金属栅栏结构包括多个导电电磁反射器，所述多个反射器中的每个反射器被设置成与所述多个介电结构中的对应介电结构成一一对应关系，并且被设置成基本围绕所述多个介电结构中的每个对应的介电结构。
41.根据权利要求40所述的器件，其中：
所述金属栅栏结构是单一金属栅栏结构；并且
所述多个导电电磁反射器与所述单一金属栅栏结构一体地形成。
42.根据权利要求40至41中任一项所述的器件，其中，所述衬底与所述金属栅栏结构各自包括轴向对准的通孔，所述通孔限定所述衬底的所述至少一个支承部分的位置。
43.根据权利要求40至42中任一项所述的器件，其中：
所述至少一个安装部分中的每个安装部分被设置成仅部分地处于所述金属栅栏结构的所述通孔中的对应通孔内；并且
至少部分地在所述金属栅栏结构的其余通孔部分和所述衬底的对应通孔中设置有粘接材料。
44.根据权利要求40至43中任一项所述的器件，其中：
所述连接结构的所述至少一个安装部分中的每个安装部分形成具有阶梯下降的柱端部的柱；并且
所述阶梯下降的柱端部被设置成部分地处于所述金属栅栏结构的所述通孔中的对应通孔内。
45.根据权利要求44所述的器件，其中，所述柱和所述阶梯下降的柱端部中的至少一者为圆柱形。
46.根据权利要求1至45中任一项所述的器件，其中，所述介电结构形成介质谐振器天线的至少一部分。
47.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有包括处于不同中心频率的至少两个谐振模式的操作频率范围，其中，所述谐振模式中的至少一个由所述sdp的存在来支持。
48.根据权利要求47所述的器件，其中，所述至少两个谐振模式是te模式。
49.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有包括处于不同中心频率的至少三个谐振模式的操作频率范围，其中，所述至少三个谐振模式中的至少两个由所述sdp的存在来支持。
50.根据权利要求49所述的器件，其中，所述至少三个谐振模式是te模式。
51.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值，并且其中，移除所述sdp使所述操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少5db。
52.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值，并且其中，移除所述sdp使所述操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少10db。
53.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值，并且其中，移除所述sdp使所述操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少20db。
54.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值，并且其中，移除所述sdp使所述操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少30db。
55.根据权利要求46所述的器件，其中，所述介质谐振器天线能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值，并且其中，移除所述sdp使所述操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少40db。
56.一种制造电磁器件的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上设置多个第一介电部分fdp，所述多个fdp中的每个fdp具有近端和远端并且包括除空气外的介电材料，每个fdp的近端被设置在所述衬底上；
接近每个fdp设置第二介电部分sdp，每个sdp具有近端和远端，每个sdp的近端被设置成接近对应fdp的远端，每个sdp包括除空气外的介电材料，每个fdp的介电材料的平均介电常数大于对应sdp的介电材料的平均介电常数，每个fdp和对应sdp形成介电结构。
57.根据权利要求56所述的方法，其中，每个sdp经由由非气态介电材料形成的连接结构物理地连接至所述sdp中的至少另一个sdp，所述连接结构和所连接的sdp形成单个单片结构。
58.根据权利要求57所述的方法，其中，设置sdp包括：
将所述单个单片结构设置成接近每个fdp。
59.根据权利要求58所述的方法，其中，所述单个单片结构是具有无缝且连续结构的单一介电材料。
60.根据权利要求58至59中任一项所述的方法，还包括：
将所述单个单片结构附接至所述衬底。
61.根据权利要求60所述的方法，其中，所述附接包括：
通过粘接将所述单个单片结构的柱附接到所述衬底的支承台上。
62.根据权利要求60所述的方法，其中，所述附接包括：
通过卡扣配合将所述单个单片结构的卡扣配合柱附接到所述衬底的有肩孔中。
63.根据权利要求60所述的方法，其中，所述附接包括：
将所述单个单片结构的阶梯下降柱仅部分地附接到所述衬底的通孔中，以及在所述通孔中涂敷粘接材料以将所述柱粘接到所述衬底。
64.根据权利要求56至63中任一项所述的方法，其中，所述介电结构是全介电结构。
65.一种电磁介电透镜，包括：
由至少一个介电材料形成的至少一个透镜部分，其中，所述至少一个透镜部分包括由所述至少一个介电材料的边界来界定轮廓的腔。
66.根据权利要求65所述的电磁介电透镜，其中，所述至少一个透镜部分包括多个透镜部分。
67.根据权利要求66所述的电磁介电透镜，其中，所述多个透镜部分被布置成阵列。
68.根据权利要求66所述的电磁介电透镜，其中，所述多个透镜部分被连接。
69.根据权利要求68所述的电磁介电透镜，其中，所述多个透镜部分的连接由至少一个介电材料提供。
70.根据权利要求65至69中任一项所述的电磁介电透镜，其中，所述电磁介电透镜是全介电结构。