1.一种导电膜，其包含导电性聚合物(a)，且膜厚为35nm以下，
所述导电膜的表面电阻值为1×1011ω/□以下，
在对所述导电膜施加电压时，该导电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其还包含碱性化合物(b)。
3.根据权利要求1或2所述的导电膜，其还包含表面活性剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电膜，其中，所述导电性聚合物(a)具有酸性基团。
5.根据权利要求4所述的导电膜，其中，所述导电性聚合物(a)具有由下述通式(1)表示的单元，
[化1]
式(1)中，r1～r4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～24的直链或支链的烷基、碳原子数1～24的直链或支链的烷氧基、酸性基团、羟基、硝基或卤素原子，r1～r4中的至少一个是酸性基团或其盐；其中，酸性基团是指磺酸基或羧基。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的导电膜，其用于带电粒子束绘制时防止带静电。
7.一种导电膜的制造方法，所述导电膜是权利要求1～6中任一项所述的导电膜，
所述导电膜的制造方法使用包含所述导电性聚合物(a)的导电性组合物形成所述导电膜。
8.根据权利要求7所述的导电膜的制造方法，其中，相对于所述导电性聚合物(a)的总质量，所述导电性组合物中来自所述导电性聚合物(a)的聚合残留物成分的含量为0.8质量％以下。
9.根据权利要求7或8所述的导电膜的制造方法，其中，相对于所述导电性组合物的总质量，所述导电性组合物中高沸点溶剂的含量为150质量ppm以下，所述高沸点溶剂的沸点为180℃以上。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的导电膜的制造方法，其中，相对于所述导电性组合物的总质量，所述导电性组合物中水的含量为50质量％以上。
11.一种导电体，其具有：基材和设在所述基材表面的至少一部分上的权利要求1～6中任一项所述的导电膜。
12.一种抗蚀剂图形的形成方法，其具有以下步骤：
层叠步骤：在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成权利要求1～6中任一项所述的导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；
曝光步骤：对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束。
13.一种层叠体，其具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，其中，
所述抗静电膜包含导电性聚合物(a)，
所述抗静电膜的膜厚为35nm以下，
所述抗静电膜的表面电阻值为1×1011ω/□以下，
且在对所述抗静电膜施加电压时，该抗静电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。