具有包括差异化p型和n型区域的混合架构的太阳能电池的制作方法

具有包括差异化p型和n型区域的混合架构的太阳能电池
1.相关申请的交叉引用
2.本申请要求2019年9月27日提交的美国非临时申请no.16/586,509的优先权，其要求2018年9月28日提交的美国临时申请no.62/739,077的权益，其全部内容据此以引用方式并入本文。


背景技术：

3.光伏(pv)电池(常称为太阳能电池)是用于将太阳辐射转化为电能的装置。一般来讲，照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型掺杂区和n型掺杂区，从而在掺杂区之间形成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。当将pv电池组合在诸如pv模块的阵列中时，从所有的pv电池收集的电能可以按串联和并联布置加以组合，以提供具有某一电压和电流的电源。
附图说明
4.图1示出了根据一些实施例的太阳能电池的一部分的剖视图。
5.图2为根据一些实施例的流程图，该流程图列出制造太阳能电池的方法中的操作。
6.图3为根据一些实施例的流程图，该流程图列出形成太阳能电池的第一半导体区中的操作。
7.图4为根据一些实施例的流程图，该流程图列出形成太阳能电池的第二半导体区中的操作。
8.图5为根据一些实施例的流程图，该流程图列出形成用于太阳能电池的导电触点结构中的操作。
9.图6
‑
16示出了根据一些实施例的太阳能电池的制造中各个阶段的剖视图。
具体实施方式
10.效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池的发电能力有关。同样，生产太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。
11.以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其他实施方式是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、

技术实现要素：
或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
12.本说明书包含对“一个实施例”或“某个实施例”的参考。短语“在一个实施例中”或
“
在某个实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
13.术语。以下段落提供存在于本公开(包含所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：
[0014]“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。
[0015]“构造成”。各个单元或部件可描述或声明成“构造成”执行一项或多项任务。在此类语境下，“构造成”用于通过指示所述单元/部件包含在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将所述单元/部件构造成即使当指定的单元/部件目前不在运作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“构造成”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35u.s.c.
§
112第六段。
[0016]“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”半导体区不一定意味着该半导体区是某一序列中的第一个半导体区；相反，术语“第一”用于区分该半导体区与另一半导体区(例如，“第二”半导体区)。如本文所用，半导体区可为多晶硅发射极区，例如，掺杂有p型或n型掺杂物的多晶硅。在一个实例中，第一半导体区可为第一多晶硅发射极区，其中可形成多个多晶发射极区(例如，第二多晶硅发射极区)。
[0017]“基于”。如本文所用，该术语用于描述影响确定结果的一个或多个因素。该术语并不排除可影响确定结果的另外因素。也就是说，确定结果可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于b确定a”。尽管b可以是影响a的确定的因素，但这样的短语并不排除a的确定结果还基于c。在其他实例中，a可以仅基于b来确定。
[0018]“耦接
”‑
以下描述是指元件或节点或结构特征“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。
[0019]“阻止
”‑
如本文所用，阻止用于描述减小影响或使影响降至最低。当组件或特征描述为阻止行为、运动或条件时，它完全可以彻底地防止某种结果或后果或未来的状态。另外，“阻止”还可以指减少或减小可能会发生的某种后果、性能和/或效应。因此，当部件、元件或特征被称为阻止结果或状态时，它不一定完全防止或消除该结果或状态。
[0020]
此外，以下描述中还可能仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”“下部”“上方”和“下方”之类的术语是指附图中提供参考的方向。诸如“前面/正面”“背面”“后面”“侧/侧面”“外侧”和“内侧”之类的术语描述部件的某些部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，通过参考描述所讨论的部件的文字和相关的附图可以清楚地了解所述取向和/或位置。此类术语可包含上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。
[0021]
本文描述了制造太阳能电池半导体区的方法和所得的太阳能电池。在下面的描述中，阐述了诸如具体的工艺流程操作的许多具体细节，以便提供对本公开实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其他实例中，没有详细地描述熟知的制造技术，诸如平版印刷和图案化技术，以避免不必要地使本公开的实施例难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是示
例性的展示并且未必按比例绘制。
[0022]
图1示出了根据一些实施例的太阳能电池100的一部分的剖视图。在某个实施例中，太阳能电池100可包括具有正面102和背面104的基板106(正面102与背面104相对)。在一些实施例中，正面102可称为前表面，并且背面104可称为背表面。在某个实施例中，正面可具有纹理化表面。纹理化表面130可为具有规则或不规则形状的表面，其用于散射入射光、减少从太阳能电池100的光接收表面和/或暴露表面反射的光量。
[0023]
再次参考图1，在一个实施例中，太阳能电池100可包括设置在基板106的背面104上的第一电介质层114。在一些实施例中，第一电介质层114可被称为第一薄电介质层。在某个实例中，第一电介质层114可为薄氧化物层，诸如隧道电介质层(例如，隧道氧化物、氮氧化硅、氧化硅)。在某个实施例中，第一电介质层114可具有大约2纳米或更小的厚度。
[0024]
再次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可包括设置在第一电介质层114上的第一半导体区108。在一个实施例中，第一半导体区108可为第一多晶硅发射极区。在某个实施例中，第一半导体区可包括第一导电类型。在某个实例中，第一半导体区108可为第一导电类型的第一多晶硅发射极区。在具体实施例中，第一导电类型为n型(例如，使用磷原子或砷杂质原子形成)。在一些实施例中，第一导电类型可为p型(例如，使用硼形成)。
[0025]
再次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可包括设置在基板106的背面104上的第二电介质层120。在某个实施例中，第二电介质层120可部分地设置116、118在第一半导体区108的部分117、115上。在一些实施例中，第二电介质层120可被称为第二薄电介质层。在某个实例中，第二电介质层120可为薄氧化物层，诸如隧道电介质层(例如，隧道氧化物、氮氧化硅、氧化硅)。在某个实施例中，第二电介质层120可具有大约2纳米或更小的厚度。
[0026]
再次参考图1，在某个实施例中，部分116、118可替代地被称为另一电介质层(例如，第三、第四或第五电介质层等)。在一个实施例中，部分116、118可为第二电介质层120的部分。在某个实施例中，部分116、118可替代地为与第二电介质层120不同的单独且相异的层。在某个实施例中，部分116、118可替代地为第一电介质层114的部分。在某个实例中，部分116、118可为与第一电介质层114和/或第二电介质层120相同或不同的相异层。在一些实施例中，第一电介质层114和第二电介质层120可为不同且相异的层。在某个实施例中，第一电介质层114和第二电介质层120可为相同的电介质层。在某个实例中，第一电介质层114和第二电介质层120可为单个连续的电介质层。在某个实例中，第一电介质层114、第二电介质层120以及层116、118可为单个连续的电介质层。
[0027]
仍再次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可包括设置在太阳能电池100的背面上方的第二半导体区112。在某个实施例中，第二半导体区112可设置在第二电介质层120上。在某个实施例中，第二半导体区112可为第二多晶硅发射极区。在某个实施例中，第二半导体区112可包括第二导电类型。在某个实例中，第二半导体区112可为第二导电类型的第二多晶硅发射极区。在一个具体实施例中，第二导电类型为p型(例如，使用硼杂质原子形成)。在某个实施例中，第二导电类型可为n型(例如，使用磷原子或砷杂质原子形成)。在一个实施例中，第二电介质层120可包括设置在118上方的部分，该部分为第一半导体区108的外部部分117。在某个实施例中，第二电介质层120可包括横向地设置在第一半导体区108的横向部分115上方的部分116。在一个实施例中，第二电介质层120的部分118、116可介于
第一半导体区108与第二半导体区112之间。在某个实例中，电介质层116、118可为第一半导体区108与第二半导体区112之间的冶金结的边界。在一个实例中，电介质层116可为第一半导体区108与第二半导体区112(例如，无电介质层118)之间的冶金结的边界。在一些实施例中，第二半导体区为预掺杂的多晶硅发射极区。在一个此类实施例中，形成具有特定的导电类型(例如，p型或n型)的第二半导体区。
[0028]
再次参考图1，在某个实施例中，第三电介质层125可设置在第二半导体区112上。在某个实施例中，第三电介质层可为掺杂物层。在一个实施例中，掺杂物层可具有第二导电类型。在某个实施例中，掺杂物层与第二半导体区112具有相同的导电类型。在某个实例中，掺杂物层为n型(例如，使用磷原子或砷杂质原子形成)。在某个实施例中，掺杂物层可为p型(例如，使用硼杂质原子形成)。在某个实施例中，第二半导体区112和掺杂物层125的一部分可设置在第一导电触点128与第二导电触点129之间。在一些实施例中，第二半导体区112和掺杂物层125可与绝缘层110的边缘对准。在某个实施例中，第三电介质层125可为非连续层(例如，如图1所示)。在某个实例中，第三电介质层125可被分成离散部分，并且仍可被称为单个电介质层或掺杂物层。在一些实施例中，不需要形成第三电介质层(例如，其中第二半导体区包括预掺杂的多晶发射极区)。在一个实施例中，第三电介质层125可包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。在某个实施例中，第三电介质层125可包括绝缘体和/或绝缘材料。
[0029]
再次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可进一步包括设置在第一半导体区108上的绝缘区110。在一个实例中，绝缘区110可为二氧化硅。
[0030]
再次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可包括设置在第一半导体区108上方的第一导电触点128。在某个实施例中，第一导电触点128可穿过绝缘区110设置，如图1所描绘的。在一个实施例中，第一导电触点128穿过绝缘区110中的接触孔121设置。
[0031]
在某个实施例中，第二导电触点129可设置在第二半导体区112上方。在一个实施例中，第二导电触点129穿过第三电介质层125设置。在某个实施例中，第二导电触点129穿过第三电介质层125中的接触孔123设置。
[0032]
在一个实施例中，第一导电触点128和第二导电触点129可包括镀覆的金属。在某个实例中，第一导电触点128和第二导电触点129可包括铜、锡、钛、钨和/或镍及其他金属。在一些实施例中，第一导电触点128和第二导电触点129可包括沉积的金属或金属箔。在某个示例中，第一导电触点128和第二导电触点129可包括铝或铝箔。在某个实施例中，第一导电触点128和第二导电触点129可包括导线、热压缩导线和/或铝导线。
[0033]
在一个实施例中，第二半导体区112和/或第三电介质层125的部分124可设置在第一导电触点128与第二导电触点129之间。在一些实施例中，第二半导体区112和第三电介质层125可替代地与第二导电触点129横向对准，例如，与图1所示的相比，不从第二导电触点129延伸。在一个实施例中，第二半导体区112和第三电介质层125可不对准。在某个实例中，在部分124处，第二半导体区112可比第三电介质层125从第二导电触点129延伸得更远。在某个实施例中，如124处所示，可在第一半导体区108和第二半导体区112上方形成第二导电触点129。相比之下，在一些实施例中，可仅在第二半导体区112上方形成第二导电触点129。在某个实施例中，可在第三电介质层125和第二半导体区112上方形成第二导电触点139。
[0034]
再一次参考图1，在某个实施例中，太阳能电池100可进一步包括设置在正面102上的第四电介质层132。在某个实施例中，第四电介质层132可为抗反射涂层(arc)。在某个实
例中，层132可包括氮化硅。在某个实施例中，第四电介质层132可包括氧化硅。在某个实例中，可在正面102上形成氧化物层(例如，隧道氧化物)。在某个实施例中，硅层可设置在第四电介质层132上方(例如，在氧化物层上方)。在某个实例中，硅层可包括非晶硅和/或多晶硅。在某个实施例中，抗反射层可设置在硅层(例如，氮化硅)上方。
[0035]
再次参考图1，在一些实施例中，第一半导体区108可为n型多晶硅发射极区。在一个实施例中，第二半导体区112可为p型多晶硅发射极区。在某个实施例中，基板106可为n型单晶硅基板。在一些实施例中，第二半导体区112可为p型多晶硅发射极区。在某个实施例中，基板106可为p型单晶硅基板。在某个实施例中，第一电介质层114、第二电介质层120和第三电介质层125可包括氧化硅。在某个实施例中，绝缘区110包括二氧化硅。在其中第三电介质层125可包括掺杂物层的实施例中，掺杂物层125可包括磷或硼。
[0036]
再次参考图1，在某个实施例中，第一导电触点128和/或第二导电触点129可包括沉积金属。在某个实施例中，沉积金属可为基于铝的。在一个此类实施例中，基于铝的沉积金属可具有大约在0.3微米至20微米范围内的厚度，并且包括的铝含量大于约97％，以及硅含量大约在0％至2％的范围内。在某个实例中，基于铝的沉积金属可包括铜、钛、钛钨、镍和/或铝及其他金属。在某个实施例中，基于铝的沉积金属是由毯覆式沉积过程形成。在某个实施例中，基于铝的沉积金属可为金属晶种层。在一些实例中，沉积金属可为沉积铝。在一个实施例中，第一导电触点128和第二导电触点129中的每一者均可包括铜、锡、镍和/或铝及其他金属。
[0037]
再一次参考图1，在一些实施例中，第一导电触点128和/或第二导电触点129各自包括金属箔。在某个实施例中，金属箔为具有约在5
‑
100微米范围内的厚度的铝(al)箔。在一个实施例中，al箔为包含铝和第二元素(诸如但不限于铜、锰、硅、镁、锌、锡、锂或它们的组合)的铝合金箔。在一个实施例中，al箔为回火级箔，诸如但不限于f级(自由状态)、o级(全软)、h级(应变硬化)或t级(热处理)。在一个实施例中，铝箔为阳极氧化铝箔。在另一个实施例中，铝箔未被阳极氧化。
[0038]
仍再次参考图1，在某个实施例中，第一导电触点128和/或第二导电触点129各自包括传导线。在某个实施例中，传导线可包括导电材料(例如，诸如铝、铜的金属或另一合适的导电材料，具有或不具有诸如锡、银、镍或有机可焊性保护剂的涂层)。在某个实例中，可通过热压结合、超声键合或热超声键合过程将传导线键合到第一半导体区和第二半导体区。在某个实例中，传导线可包括铝导线。
[0039]
转到图2，示出了流程图200，该流程图示出了根据一些实施例的用于制造太阳能电池的方法。在各种实施例中，图2所述的方法可包括比图示额外的(或更少的)框。
[0040]
参考流程图200的操作202，一种制造太阳能电池的方法可包括对基板的正面执行纹理化工艺。在某个实例中，可使用基于氢氧化物的湿蚀刻剂在基板的正面上形成纹理化表面。然而，应当理解，可从过程流程中省略正面的纹理化。在某个实施例中，可在纹理化工艺的相同或单个工艺步骤之前或之内，对基板清洁、抛光、平坦化和/或减薄。在某个实例中，可在纹理化工艺之前和/或之后执行湿化学清洁过程。尽管如图所示，可在制造过程的开始执行纹理化工艺，但在另一实施例中，可在制造过程的另一步骤执行纹理化工艺。在某个实例中，可替代地在图案化工艺之后执行纹理化工艺。在一个实例中，可在热工艺之前执行纹理化工艺。在一个这样的示例中，可在图案化之后(例如，多晶硅区的图案化)以及在热
工艺之前执行纹理化工艺。
[0041]
在某个实施例中，尽管操作202被示出为在操作204之前执行，但操作202也可在本文所述的方法的中间或结尾执行。例如，可在操作208之后执行操作202。在一个实例中，可在操作210之后以及在操作212之前执行操作202。在某个实施例中，可在流程图202中所描述的过程的开始、中间、结束或任何其他时间执行操作202。
[0042]
参考流程图200的操作204，一种制造太阳能电池的方法可包括在基板的背面上形成第一电介质层。在某个实施例中，第一电介质层可在氧化过程中形成并且为薄氧化物层诸如隧道电介质层(例如，氧化硅)。在一个实施例中，可在沉积过程中形成第一电介质层。在某个实施例中，第一电介质层为薄氧化物层(例如，氧化硅)或氮氧化硅层。在某个实施例中，形成第一电介质层可包括形成厚度大约2纳米或更小的第一电介质层。在某个实例中，可使用热工艺或烘箱来生长第一电介质层。如本文所用，第一电介质层也可称为第一薄电介质层。
[0043]
参考流程图200的操作206，一种制造太阳能电池的方法可包括在第一电介质层上形成第一半导体区。在某个实施例中，形成第一半导体区可包括形成第一多晶硅发射极区。在某个实施例中，形成第一半导体区可包括：在第一电介质层上形成第一硅层；在第一硅层上方形成绝缘体层；以及随后，将第一硅层、绝缘体层和第一电介质层图案化以形成绝缘区和第一半导体区(例如，其上具有绝缘区的第一多晶硅发射极区)。在下面的图3的流程图300中示出了用于形成第一半导体区的操作的进一步细节。在某个实施例中，可在相同的过程步骤中或在不同的(例如单独的)过程步骤中执行操作204和206。
[0044]
参考流程图200的操作208，一种制造太阳能电池的方法可包括在第一半导体区的部分以及在基板的部分上形成第二电介质层。在某个实施例中，第二电介质层可在氧化过程中形成并且为薄氧化物层诸如隧道电介质层(例如，氧化硅)。在一个实施例中，第二电介质层可在沉积过程中形成。在某个实施例中，第二电介质层为薄氧化物层(例如，氧化硅)或氮氧化硅层。在某个实施例中，第二电介质层可具有大约2纳米或更小的厚度。在某个实例中，在第一半导体区的部分和基板的部分上形成第二电介质层可包括在第一半导体区的暴露部分和基板的暴露部分上形成第二电介质层。在一个实例中，在操作206处执行图案化工艺之后，可形成第一半导体区和基板的暴露区。如本文所用，第二电介质层也可称为第二薄电介质层。
[0045]
再次参考流程图200的操作208，在某个实施例中，在第一半导体区的部分上形成第二电介质层可替代地包括在第一半导体区的部分上形成单独的、不同的和/或相异的电介质层。在某个实例中，在第一半导体区的部分上形成第二电介质层可包括在第一半导体区的部分上形成另一电介质层。在某个实施例中，该电介质层可被称为第四电介质层或第五电介质层。
[0046]
参考流程图200的操作210，一种制造太阳能电池的方法可包括在基板的背面上方形成第二半导体区。在某个实施例中，在基板的背面上方形成第二半导体区包括在第二电介质层上或上方形成第二半导体区。形成第二半导体区可包括：在第二电介质层上或上方形成第二硅层；在第二硅层上方形成第三电介质层；将第二硅层、第三电介质层和第二电介质层图案化；以及随后执行热工艺，以将掺杂物从掺杂物层驱动到第二硅层以形成第二半导体区。在某个实施例中，如本文所述，第三电介质层可包括掺杂物层，其中将第二硅层、第
三电介质层和第二电介质层图案化可包括将第二硅层、掺杂物层和第二电介质层图案化。在下面的图4的流程图400中示出了用于形成第二半导体区的操作的进一步细节。
[0047]
参考流程图200的操作212，一种制造太阳能电池的方法可包括在第一半导体区和第二半导体区上方形成导电触点结构。在某个实施例中，形成导电触点结构可包括：执行溅射过程；局部沉积金属；毯覆式沉积过程；镀覆过程；将金属箔和/或键合导线键合到第一半导体区和第二半导体区。在某个实例中，导电触点结构可包括局部沉积的铝、铝箔和/或铝导线。在某个实施例中，导电触点结构可包括一种或多种金属和/或金属合金。在某个实例中，导电触点结构可包括铝、钛钨和/或铜及其它金属。在某个实施例中，导电触点结构可包括一个、两个或更多个金属层。在某个实例中，导电触点结构可包括金属晶种层。在某个实施例中，金属晶种层可包括第一层、第二层和第三层，其中第一层包括铜，第二层包括钨，并且第三层包括铝。
[0048]
再次参考流程图200的操作212，一种制造太阳能电池的方法可包括将绝缘区和第三电介质层(例如，掺杂物层)图案化以暴露第一半导体发射极区和第二半导体发射极区的部分，其中第一导电触点和第二导电触点可分别电连接到第一半导体区和第二半导体区的暴露部分。在图5的流程图500中示出了用于在第一半导体区和第二半导体区上方形成导电触点结构的操作中的进一步细节。
[0049]
参考图3，示出了流程图300，该流程图示出根据一些实施例的形成第一半导体区中的操作。在各种实施例中，图3所述的方法可包括比图示额外的(或更少的)框。尽管下面示出了用于形成第一半导体区(例如，第一多晶发射极区)的一个实施例，但可使用其他操作。在某个实例中，与流程图300的操作相比，可使用用于直接沉积图案化的硅的丝网印刷、喷墨印刷或任何其他过程来形成第一半导体区。
[0050]
参考流程图300的操作302，形成第一半导体区可包括在第一电介质层上形成第一硅层。在某个实施例中，在基板(例如，硅基板)的背面上方形成第一电介质层。在一个实施例中，第一电介质层为薄氧化物层。在某个实施例中，可在第一电介质层上方沉积第一硅层。在一个实例中，可使用低压化学气相沉积过程在第一电介质层上方沉积第一硅层。在某个实施例中，在热工艺和/或烘箱中在第一电介质层上生长第一硅层。在一个实施例中，可在相同或单个烘箱中和/或相同或单个工艺步骤中形成(例如，生长)第一电介质层和第一硅层。在一些实施例中，可在基板的背面、正面和/或侧边上形成第一电介质层和第一硅层，其中可执行后续的图案化(例如，操作306)或清洁过程以从基板的正面和/或侧边去除第一电介质层和第一半导体层。
[0051]
再次参考流程图300的操作302，形成第一半导体区可包括在某个实施例中，形成具有第一导电类型的第一硅层。在某个实例中，形成第一硅层可包括在第一电介质层(例如，薄氧化物层)上方生长n型硅层。在其他实施例中，第一硅层可为p型硅层。在某个实施例中，第一硅层为非晶硅层。在一个此类实施例中，非晶硅层使用低压化学气相沉积(lpcvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成。在某个实施例中，第一硅层可为非晶硅和/或多晶硅。在某个实施例中，在热工艺和/或烘箱中在第一电介质层上生长第一硅层。在一个实施例中，可在相同或单个烘箱中和/或相同或单个工艺步骤中生长第一电介质层和第一硅层。
[0052]
再次参考流程图300的操作302，在另一实施例中，可不掺杂地形成第一硅层。在一
个此类实施例中，可在第一硅层上形成掺杂物层，并且可执行热工艺以将掺杂物从掺杂物层驱动到第一硅层中，从而产生具有第一导电类型(例如，n型或p型)的第一硅层。
[0053]
参考流程图300的操作304，形成第一半导体区可包括在第一硅层上形成绝缘体层。在某个实施例中，绝缘体层可包括二氧化硅。在某个实例中，可执行毯覆式沉积过程来形成绝缘体层。在某个实施例中，绝缘体层可形成小于或等于大约1000埃的厚度。
[0054]
参考流程图300的操作306，可将绝缘体层、第一硅层和第一电介质层图案化以形成第一半导体区。在某个实施例中，第一半导体区可具有在第一半导体区上方形成的绝缘区。在某个实施例中，可由操作304的绝缘体层图案化来形成绝缘区。在某个实施例中，可使用光刻或丝网印刷掩模以及后续的蚀刻过程来将绝缘体层和第一硅层图案化。在另一实施例中，可使用激光烧蚀过程(例如，直接写入)来将绝缘体层、第一硅层和/或第一电介质层图案化。
[0055]
参考图4，示出了流程图400，该流程图示出根据一些实施例的形成第二半导体区中的操作。在各种实施例中，图4所述的方法可包括比图示额外的(或更少的)框。尽管下面示出了用于形成第二半导体区(例如，第二多晶发射极区)的一个实施例，但可使用其他操作。在某个实例中，与流程图400的操作相比，可使用用于直接沉积图案化的硅的丝网印刷、喷墨印刷或任何其他过程来形成第二半导体区。
[0056]
参考流程图400的操作402，形成第二半导体区可包括在基板的背面上方形成第二硅层。在某个实施例中，在基板的背面上方形成第二硅层可包括在第二电介质层和设置在基板的背面上的绝缘区上形成第二硅层。在某个实施例中，由流程图200和300中如上所述的操作形成第二电介质层。在一个实施例中，第二电介质层为薄氧化物层。在一个实施例中，可在第二电介质层上方沉积第二硅层。在一个实例中，可使用低压化学气相沉积过程(lpcvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)以在第二电介质层上方沉积第二硅层。在某个实施例中，第二硅层可为多晶硅。在某个实施例中，在热工艺和/或烘箱中在第二电介质层上生长第二硅层。在一个实施例中，可在相同或单个烘箱中和/或相同或单个工艺步骤中生长第二电介质层和第二硅层。在某个实施例中，可不掺杂地形成第二硅层。在某个实施例中，第二硅层为非晶硅层。在一个此类实施例中，非晶硅层使用低压化学气相沉积(lpcvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成。
[0057]
再次参考流程图400的操作402，在另一实施例中，形成第二半导体区可包括形成具有与第一半导体区不同的第二导电类型的第二硅层。在一个这样的示例中，形成第二硅层可包括形成预掺杂的硅层。在一个实例中，形成第二硅层可包括在第二电介质层(例如，薄氧化物层)上方生长p型硅层。
[0058]
再次参考流程图400的操作402，可在基板的背面、正面和/或侧边上形成第二电介质层和第二硅层，其中可执行后续的图案化或清洁过程(例如，操作406)以从基板的正面和/或侧边去除第二电介质层和第二半导体层。
[0059]
参考流程图400的操作404，形成第二半导体区可包括在第二硅层上形成第三电介质层。在某个实施例中，第三电介质层可包括掺杂物层。在一个此类实施例中，掺杂物层可具有第二导电类型。在一个实施例中，第二导电类型可为p型。在一个实例中，掺杂物层可为硼层。在一些实施例中，第二导电类型可为n型(例如，磷层)。在某个实施例中，可执行沉积过程以形成第三电介质层(例如，掺杂物层)。在一个实例中，可使用低压化学气相沉积过程
在第二硅层上方沉积第三电介质层。在一个实施例中，第三电介质层可包括氧化硅或氮氧化硅。在某个实施例中，第三电介质层可包括绝缘体和/或绝缘材料。
[0060]
参考流程图400的操作406，形成第二半导体区可包括将掺杂物层和第二硅层图案化以形成第二半导体区。在某个实施例中，可使用光刻或掩模(例如，丝网印刷、喷墨印刷)，并且在掩模之后，可使用蚀刻过程将掺杂物层、第二硅层和第二薄电介质层图案化。在另一实施例中，可在图案化中使用激光过程(例如，激光烧蚀、直接写入等)。在一个实施例中，图案化还可包括蚀刻过程(例如，湿化学蚀刻)。在一些实施例中，图案化还可包括后续的清洁过程。在某个实施例中，图案化可形成第二导电类型(例如，p型)的第二半导体区。在一些实施例中，不需要执行图案化或操作406。
[0061]
参考流程图400的操作408，其中第三电介质层可包括掺杂物层，其形成第二半导体区可包括执行热工艺以将掺杂物从掺杂物层驱动到第二硅层。在某个实施例中，第二导电类型可为p型。在一个实例中，掺杂物层可为硼层。在某个实例中，热工艺可包括加热到大约大于或等于900℃的温度以将掺杂物从掺杂物层驱动到第二硅层。在一些实施例中，可在热工艺或操作408之后执行图案化或操作406。在一些实施例中，例如，其中硅层被预掺杂或形成包括n型或p型导电类型，不需要执行热工艺。
[0062]
参考图5，示出了流程图500，该流程图示出根据一些实施例的在第一半导体区和第二半导体区上方形成导电触点结构中的操作。在各种实施例中，图5所述的方法可包括比图示额外的(或更少的)框。
[0063]
参考流程图500的操作502，在第一半导体区和第二半导体区上方形成导电触点结构可包括分别将形成在第一半导体区和第二半导体区上方的绝缘区和第三电介质层图案化(例如，如上文的流程图200、300和400所示)。在某个实施例中，将绝缘区和第三电介质层图案化形成穿过绝缘区和第三电介质层的接触孔。在某个实施例中，可使用掩模和蚀刻工艺来形成接触孔。在某个实例中，可形成掩模，并且可执行后续的湿化学蚀刻过程以形成接触孔。在一些实施例中，可执行湿化学清洁过程以去除掩模。在一个实施例中，图案化可包括执行激光图案化工艺(例如，激光烧蚀)以在绝缘区和第三电介质层中形成接触孔。在一个实施例中，用于在绝缘区和第三电介质层中形成接触孔的图案化工艺可在相同或单个步骤中执行(例如，在相同或单个激光处理室中使用激光)，或者替代地可分别执行(例如，可使用单独的激光图案化工艺以在绝缘区和第三电介质层中形成接触孔)。在某个实施例中，其中第三电介质层可包括掺杂物层，图案化可包括在单个步骤中或者单独地执行对绝缘区和掺杂物层的图案化以形成穿过绝缘区和掺杂物层的接触孔。
[0064]
参考流程图500的操作504，在第一半导体区上方形成导电触点可包括在第一半导体区上方形成第一导电触点。在某个实例中，在第一半导体区上方形成第一导电触点可包括在第一多晶硅发射极区上形成第一导电触点。在某个实施例中，第一半导体区(例如，第一多晶硅发射极区)可具有第一导电类型(例如，n型)。在某个实施例中，可通过一个或多个金属化过程形成第一导电触点。在某个实施例中，第一导电触点可具有与第一半导体区相同的导电类型。在某个实例中，第一导电触点可为n型金属触点，并且第一半导体区的导电类型可为n型。在另一实例中，第一导电触点可为p型金属触点，并且第一半导体区的导电类型可为p型。
[0065]
参考流程图500的操作506，在第二半导体区上方形成导电触点可包括在第二半导
体上方形成第二导电触点。在某个实例中，在第二半导体区上方形成第二导电触点可包括在第二多晶硅发射极区上形成第二导电触点。在某个实施例中，第二半导体区(例如，第二多晶硅发射极区)可具有第二导电类型(例如，p型)。在某个实施例中，可通过一个或多个金属化过程形成第二导电触点。在某个实施例中，第二导电触点可具有与第二半导体区相同的导电类型。在某个实例中，第二导电触点可为p型金属触点，并且第二半导体区的导电类型也可为p型。在另一实例中，第二导电触点可为n型金属触点，并且第二半导体区的导电类型可为n型。
[0066]
再次参考流程图500的操作504、506，形成第一导电触点和第二导电触点可包括执行溅射过程、局部沉积金属、毯覆式沉积过程、镀覆过程、键合金属箔和/或键合导线以形成第一半导体区和第二半导体区(例如，如上所述)。在某个实例中，第一导电触点和第二导电触点可包括局部沉积铝、铝箔和/或铝导线。在一个实施例中，可使用热压缩过程将第一导电触点和第二导电触点电连接到第一半导体区和第二半导体区(例如(例如，第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区)。在某个实例中，可使用热压缩过程将一条或多条导线粘附到第一半导体区和第二半导体区。在一个实施例中，可将金属箔键合(例如，焊接)到第一半导体区和半导体区。在某个实施例中，形成第一导电触点和第二导电触点可包括执行毯覆式沉积过程。在某个实例中，形成第一导电触点和第二导电触点可包括执行电镀过程。在一些实例中，形成第一导电触点和第二导电触点可包括执行毯覆式沉积过程以形成金属晶种层。在同一实例中，可随后执行镀覆过程以将金属镀覆到金属晶种层。在同一实例中，可在形成金属晶种层并执行镀覆过程以形成第一导电触点和第二导电触点之后执行图案化工艺。
[0067]
再次参考流程图500的操作504、506，上述方法可在操作504和506中分别使用或在相同或单个工艺步骤中使用。在某个实例中，使用镀覆过程形成第一导电触点和第二导电触点可包括将基板置于浴中以将金属镀覆到基板并形成第一导电触点和第二导电触点。在另一实施例中，可使用局部金属沉积过程来在一个过程步骤中形成第一导电触点和第二导电触点。在一个实施例中，可将导线放置并热键合到第一导电触点和第二导电触点。在某个实施例中，可在相同或单个工艺步骤中将导线放置并热键合到第一导电触点和第二导电触点。
[0068]
本发明公开了制造太阳能电池的方法。在示例性过程流程中，图6至图16示出了根据一些实施例的太阳能电池的制造中各个阶段的剖视图。在各种实施例中，图6至图16的方法可包括比图示额外的(或更少的)框。例如，在一些实施例中，图14和图15的图案化工艺可替代地组合成单个图案化工艺或在相同或单个工艺步骤中执行。
[0069]
参考图6，一种制造太阳能电池600的方法可包括执行纹理化工艺以在基板606的正面602上形成纹理化表面630。在某个实施例中，基板606为硅基板。在某个实例中，基板606可为单晶硅基板，诸如块体单晶n型掺杂硅基板。在另一实例中，基板606可作为块体单晶p型掺杂硅基板。然而，应当理解，基板606可以是设置在整个太阳能电池基板上的层，诸如多晶硅层。在某个实施例中，基板606可具有正面602和背面604，其中正面602与背面604相对。在一个实施例中，正面602可被称为光接收表面602，并且背面可被称为背表面604。在某个实施例中，基板606还可具有侧边641，例如，晶圆或基板的边缘，如图所示。
[0070]
再次参考图6，在某个实施例中，执行纹理化工艺可包括使用基于氢氧化物的湿蚀
刻剂在基板606的正面602上形成纹理化表面630。纹理化表面630可为具有规则或不规则形状的表面，其用于散射入射光、减少从太阳能电池600的光接收表面和/或暴露表面反射的光量。在某个实施例中，如图6所示，可执行单面纹理化工艺以在基板606的正面602上形成纹理化表面630。在某个实施例中，可对基板600的正面602和背面604执行纹理化工艺。在一个此类实施例中，可在纹理化工艺的相同或单个工艺步骤之前或之内，对基板清洁、抛光、平坦化和/或减薄。在一些实施例中，不需要执行纹理化工艺。
[0071]
再次参考图6，在某个实施例中，尽管纹理化工艺被示出为在过程流程的开始执行，但也可在本文所述的方法的中间或结尾处执行纹理化工艺。例如，可在图15中所描述的过程之后执行纹理化工艺。
[0072]
参考图6，在某个实施例中，一种制造太阳能电池600的方法可包括在基板606的背面604上形成第一电介质层614。在某个实施例中，可在氧化过程中形成第一电介质层614。在一个实施例中，可在沉积过程中形成第一电介质层614。在某个实施例中，第一电介质层614为薄氧化物层、氧化硅层或氮氧化硅层。在某个实施例中，第一电介质层614可具有大约2纳米或更小的厚度。在某个实施例中，第一电介质层614为隧道氧化物层。
[0073]
再次参考图7，在某个实施例中，一种制造太阳能电池600的方法可包括在第一电介质层614上形成第一硅层609。在某个实施例中，第一硅层605可为多晶硅层。在某个实施例中，第一硅层605可通过原位掺杂，或者在低压化学沉积过程、沉积注入或其组合后被掺杂以具有第一导电类型。在具体实施例中，第一导电类型为n型(例如，使用磷原子或砷杂质原子形成)。在另一实施例中，可不掺杂地形成第一硅层609。在一个此类实施例中，可在第一硅层609上形成掺杂物层，并且可执行热工艺以将掺杂物从掺杂物层驱动到第一硅层609中，从而产生具有第一导电类型(例如，n型或p型)的第一硅层。
[0074]
再一次参考图7，在某个实施例中，第一硅层605可为非晶硅层诸如由a
‑
si:h表示的氢化硅层，其在沉积非晶硅层之后，用第一导电类型的掺杂物注入。在一个此类实施例中，随后可对第一硅层605进行退火(至少在工艺流程的某个后续阶段)以最终形成多晶硅层。在某个实施例中，对于多晶硅层或非晶硅层中的任一者而言，如果可以执行后沉积注入，则通过使用离子束注入或等离子体浸没注入执行该注入。在一个此类实施例中，可使用阴影掩模进行注入。在某个实施例中，第一硅层605可具有大于或等于大约300埃的厚度。
[0075]
再次参考图7，可在第一硅层605上形成绝缘体层609。在某个实施例中，绝缘体层609可包括二氧化硅。在某个实例中，可执行沉积过程以形成绝缘体层609。在某个实例中，可执行毯覆式沉积过程来形成绝缘体层609。
[0076]
参考图8，一种制造太阳能电池600的方法可包括将绝缘体层609、第一硅层605和第一电介质层614图案化。在某个实施例中，图案化可包括在绝缘体层609、第一硅层605和第一薄电介质层614上方形成掩模611。在某个实例中，可使用丝网印刷、喷墨印刷和/或任何适用的掩模过程来形成掩模611。在某个实施例中，可将掩模611图案化以保护部分并且在蚀刻过程期间暴露绝缘体层609、第一硅层605和第一电介质层614的其他部分603。在蚀刻之后，可随后去除掩模611。例如，可使用光刻或丝网印刷掩模以及后续的湿化学蚀刻过程来将绝缘体层609、第一硅层605和第一电介质层614图案化，并且随后去除掩模611(例如，在清洁步骤中)。在另一实施例中，可使用激光过程(例如，激光烧蚀、直接写入)来将绝缘体层609、第一硅层605和第一薄电介质层614图案化。图9示出了在上面图8中描述的图案
化工艺之后的第一半导体区608、绝缘区610和第一电介质层614。
[0077]
再次参考图8，在一个实施例中，可在基板的背面604、正面602和/或侧边641上形成第一电介质层614和第一硅层605，其中可执行后续的图案化或清洁过程以从基板606的正面602和/或侧边641去除第一电介质层614和第一硅层605。
[0078]
参考图9，示出了根据一些实施例的在图8的图案化工艺之后的绝缘区610、第一半导体区608和第一电介质层614。在某个实施例中，如上所述，第一半导体区可为第一多晶硅发射极区。在具体实施例中，第一半导体区608可具有n型的第一导电类型(例如，使用磷原子或砷杂质原子形成)。在一些实施例中，第一半导体区608可具有p型的第一导电类型。在某个实施例中，绝缘区610可包括二氧化硅。在一些实施例中，绝缘区610可包括其他绝缘材料，例如聚酰亚胺。如图9所示，可在图9所述的图案化工艺(例如，掩模和蚀刻，激光图案化等)之后暴露第一半导体区608的部分615、617。类似地，也如图所示，也可在图案化之后暴露基板606的部分619。
[0079]
与图8和图9所示的过程相比，可使用其他图案化工艺。例如，不需要形成图8的掩模611。在一个实例中，可使用激光图案化工艺(例如，不使用掩模611)来将绝缘体层609、第一硅层605和第一薄电介质层614图案化。
[0080]
参考图10，一种制造太阳能电池600的方法可包括在第一半导体区608的部分上以及在基板606的部分上形成第二电介质层620。在某个实施例中，第二电介质层620可在氧化过程中形成并且为薄氧化物层诸如隧道电介质层(例如，氧化硅)。在一个实施例中，第二电介质层620可在沉积过程中形成。在某个实施例中，第二电介质层620为薄氧化物层或氮氧化硅层。在某个实施例中，第二电介质层620可具有大约2纳米或更小的厚度。参考图9和图10，在某个实施例中，可在第一半导体区608的暴露部分615、617上方的616、618形成第二电介质层620。类似地，可在基板606的暴露部分619上方形成第二电介质层620。如本文所用，第二电介质层620也可称为第二薄电介质层。
[0081]
再次参考流程图200的操作208，在某个实施例中，在第一半导体区608的部分上形成第二电介质层可替代地包括在第一半导体区608的部分上形成单独的、不同的和/或相异的电介质层616、618。在某个实例中，在第一半导体区的部分上形成第二电介质层可替代地包括在第一半导体区608的部分上形成另一电介质层616、618。在某个实施例中，该电介质层616、618可被称为单独的并且与第二电介质层620不同的第四电介质层或第五电介质层。
[0082]
再一次参考图11，一种制造太阳能电池600的方法可包括在基板606的背面604上方形成第二硅层607。在某个实施例中，在基板606的背面604上方形成第二硅层607可包括在第二电介质层620上或上方以及在绝缘区610上形成第二硅层607。在一个实施例中，可在第二电介质层620上方沉积第二硅层607。在一个实例中，可使用低压化学气相沉积(lpcvd)过程或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)过程来沉积硅层607。在某个实施例中，第二硅层607可为多晶硅。在一个实施例中，图10和图12的过程可在单个腔室和/或制造步骤中执行。在某个实例中，可生长第二电介质层620，并且随后，可在相同或单个处理室和/或制造过程中在第二电介质层620上方沉积第二硅层607。在某个实施例中，可不掺杂地形成第二硅层607。在某个实施例中，第二硅层607可为非晶硅层。在一个此类实施例中，非晶硅层使用低压化学气相沉积(lpcvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成。在某个实施例中，第二硅层607可具有大于或等于大约300埃的厚度。
[0083]
再次参考图11，在某个实施例中，一种制造太阳能电池600的方法可包括形成具有与第一半导体区608不同的第二导电类型的第二硅层607。在一个这样的示例中，形成第二硅层607可包括形成预掺杂的硅层。在一个实例中，形成第二硅层607可包括在第二电介质层(例如，薄氧化物层)上方生长p型硅层。
[0084]
参考图12，一种制造太阳能电池600的方法可包括在基板的背面上方形成第三电介质层625。在某个实施例中，形成第三电介质层可包括在第二硅层607和绝缘区610上形成第三电介质层。在一个实施例中，第三电介质层625可包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。在某个实施例中，第三电介质层625可为掺杂物层。在一个此类实施例中，掺杂物层625可具有第二导电类型。在某个实施例中，第二导电类型可为p型。在一个实例中，掺杂物层625可包括硼。在某个实施例中，可执行沉积过程以形成掺杂物层625。在某个实例中，可使用化学气相沉积过程来形成掺杂物层625。在一个实施例中，掺杂物层可具有在大约100至2000埃范围内的厚度。在某个实施例中，掺杂物层625具有与第一半导体区608的导电类型相反的导电类型。
[0085]
参考图13，一种制造太阳能电池600的方法可包括将第三电介质层和第二硅层图案化以形成第二半导体区。如本文所述，在某个实施例中，将第三电介质层图案化可包括将掺杂物层图案化(例如，其中第三电介质层包括掺杂物或掺杂物层)。在某个实施例中，图案化可包括在掺杂物层625上方形成掩模613。在某个实施例中，掩模613可被图案化以在蚀刻过程期间保护掺杂物层625、第二硅层607和第二薄电介质层620的部分。在蚀刻之后，可随后去除掩模613。例如，可使用光刻或丝网印刷掩模以及后续的湿法化学蚀刻过程来将掺杂物层625和第二硅层607图案化。在另一实施例中，可使用激光图案化工艺(例如，激光烧蚀、直接写入)来将掺杂物层625、第二硅层607和第二薄电介质层620图案化。图14所示的结构示出了上面在图13中描述的图案化工艺之后形成的第二半导体区612。
[0086]
再次参考图13，在一个实施例中，可在基板606的背面604、正面602和/或侧边641上形成第二电介质层620和第二硅层607，其中可执行后续的图案化或清洁过程以从基板606的正面602和/或侧边641去除第二电介质层620和第二硅层607。
[0087]
与图13和图14所示的过程相比，可使用其他图案化工艺。例如，不需要形成图13和图14的掩模613。在一个实例中，可使用激光图案化工艺(例如，不使用掩模613)来将图13的掺杂物层625和第二硅层607图案化。
[0088]
参考图14，在图13中所描述的图案化工艺之后，可例如在掩模部分613之间暴露来自图13的绝缘区610的一部分。另外，尽管未示出，但可去除掩模613。在某个实例中，在图13和图14的图案化之后，可通过清洁过程去除掩模613。在某个实例中，可使用湿化学清洁或墨水剥离过程来去除掩模613。
[0089]
仍再次参考图13和图14，其中第三电介质层可包括掺杂物层，一种制造太阳能电池600的方法可包括执行热工艺以从掺杂物层625驱动掺杂物。在同一实施例中，可在执行热工艺之前去除图13和图14的掩模部分613。在某个实施例中，在热工艺之后，第二硅层612可具有与掺杂物层625相同的导电类型。在一个此类实施例中，第二导电类型可为p型。在某个实例中，热工艺可包括加热到大于或等于大约900℃的温度。在某个实施例中，加热温度可大约在900℃
‑
1100℃的范围内。在另一实施例中，可使用激光掺杂过程来将掺杂物从掺杂物层625驱动到第二硅层607。在某个实施例中，可在上述图案化和/或清洁过程之后执行
热工艺。
[0090]
再次参考图13和图14，根据一些实施例，一种制造太阳能电池600的方法可包括在上述热工艺之后形成第二半导体区612。在某个实施例中，第二半导体区612可为第二多晶硅发射极区。在一个实施例中，第二半导体区612可具有第二导电类型。在某个实施例中，第二半导体区612可具有与第三电介质层625相同的导电类型，例如其中第三电介质层包含掺杂物(例如，掺杂物层)。在一个实施例中，第二导电类型为p型。在某个实施例中，第二导电类型可为n型。在一个实施例中，第二半导体区可为预掺杂的多晶硅发射极区。在一个这样的示例中，可直接形成包括n型或p型导电性的第二半导体区，其中第三电介质层不包括掺杂物层或者第三电介质层不完全形成。
[0091]
参考图15，一种制造太阳能电池600的方法可包括将绝缘区610和第三电介质层(例如，在一些实施例中为掺杂物层)625图案化以形成穿过绝缘区610和掺杂物层625的接触孔621、623。在某个实施例中，图案化可在第一半导体区608上方形成接触孔621。在某个实施例中，图案化可在第二半导体发射极区612上方形成接触孔623。在某个实施例中，可使用掩模和蚀刻工艺、激光工艺或任何其他适用的图案化工艺来形成接触孔。
[0092]
参考图16，一种制造太阳能电池600的方法可包括在第一半导体区608上方形成第一导电触点638。在某个实施例中，可通过一个或多个金属化过程形成第一导电触点638。在某个实例中，可通过执行溅射过程、局部沉积金属、毯覆式沉积过程、镀覆过程、键合金属箔和/或执行导线键合过程来形成第一导电触点638。在某个实施例中，第一导电触点638可具有与第一半导体区608(例如，第一多晶硅发射极区)相同的导电类型。在某个实例中，第一导电触点638可为n型金属触点，并且第一半导体区608的导电类型也可为n型。
[0093]
再次参考图16，一种制造太阳能电池600的方法可包括在第二半导体区上方形成第二导电触点639。在某个实施例中，可由一个或多个金属化过程形成第二导电触点639。在某个实例中，可通过执行溅射过程、局部沉积金属、毯覆式沉积过程、镀覆过程、键合金属箔和/或执行导线键合过程来形成第二导电触点639。在某个实施例中，第二导电触点639可具有与第二半导体区612(例如，第二多晶硅发射极区)相同的导电类型。在某个实例中，第二导电触点可为p型金属触点，并且第二半导体区的导电类型也可为p型。在某个实施例中，如624处所示，可在第一半导体区和第二半导体区上方形成第二导电触点。相比之下，在一些实施例中，可仅在第二半导体区上方形成第二导电触点。在某个实施例中，可在第三电介质层625和第二半导体区612上方形成第二导电触点639。在一个实例中，可在掺杂物层和第二半导体区612(例如，设置在第二半导体区612上的掺杂物层)上方形成第二导电触点639。
[0094]
再次参考图16，在某个实施例中，第一导电触点638和第二导电触点639可包括一种或多种金属和/或金属合金。在某个实例中，第一导电触点638和第二导电触点639可包括铝、钛钨、镍和/或铜及其他金属。在某个实施例中，第一导电触点638和第二导电触点639可包括一个、两个或更多个金属层。在某个实例中，金属晶种层可包括第一层、第二层和第三层，其中第一层包括铜，第二层包括钨，并且第三层包括铝。在某个实例中，第一导电触点638和第二导电触点639可包括局部沉积的铝、铝箔、铝导线、毯覆式沉积的金属(例如，金属晶种层)和/或镀覆的金属。
[0095]
再一次参考图16，可在太阳能电池600的正面602上形成第四电介质层632。在某个实施例中，第四电介质层632可为抗反射层(arc)。在一个实例中，第四电介质层632可包括
氮化硅。在一些实施例中，可在正面602上方形成其他层。在某个实例中，可在正面602上方形成非晶硅层或另一多晶硅层。
[0096]
再一次参考图16，示出使用与图2、图3、图4和图5的流程图200、300、400和500相对应的方法以及图6至图16的方法来制造太阳能电池600。如图所示，图16的太阳能电池600具有与图1的太阳能电池100的元件类似的附图标记，其中在所有附图中，类似附图标记指的是类似的元件。在某个实施例中，图16的太阳能电池600的结构基本上类似于图1的太阳能电池100的结构，不同之处如上文所述。因此，图1的对应部分的描述同等地适用于图16的描述。在某个实例中，图16的第一半导体区608可对应于图1的第一半导体区108。在一个实例中，图16的第三电介质层625可对应于图1的第三电介质层125。如上所公开的，第三电介质层625可包括掺杂物层。在一些实施例中，第三电介质层625可包括氧化硅或氮氧化硅。在一个实施例中，第三电介质层625可包括绝缘体层或绝缘材料。在一个实施例中，第二半导体区612的在624处的部分可设置在第一导电触点628与第二导电触点629之间。在某个实施例中，第三电介质层625的在624处的部分也可设置在第一导电触点628与第二导电触点629之间。
[0097]
尽管上面已经描述了具体实施例，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施例，这些实施例也并非旨在限制本公开的范围。除非另有说明，否则本公开中所提供的特征的实例旨在为示例性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。
[0098]
本公开的范围包含本文所公开的任何特征或特征组合(明示或暗示)，或其任何概括，不管它是否减轻本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或要求其优先权的申请)的审查过程期间针对任何此类特征组合提出新的权利要求。特别地，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而并非只是以所附权利要求中枚举的特定形式组合。