发光元件的制作方法

1.本发明涉及一种发光元件。


背景技术：

2.有机电致发光元件等发光元件能够合适地用于显示器及照明的用途，正在进行研究开发。例如，专利文献1中，记载有具有使用化合物htl0形成的交联空穴传输层、发光层、和含有化合物et1的电子传输层的发光元件。
3.[化1]
[0004][0005]
现有技术文献
[0006]
专利文献
[0007]
专利文献1：国际公开第2012/173079号


技术实现要素：

[0008]
发明所要解决的问题
[0009]
但是，上述的发光元件的发光效率未必充分。
[0010]
因而，本发明的目的在于，提供发光效率优异的发光元件。
[0011]
用于解决问题的手段
[0012]
本发明提供以下的[1]～[15]。
[0013]
[1]一种发光元件，是具有阳极、阴极、设于所述阳极与所述阴极之间的第1层、和设于所述阳极与所述第1层之间的第2层的发光元件，
[0014]
所述第2层是含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的层，
[0015]
所述第1层及所述第2层的至少1层含有式(t
‑
1)所示的化合物。
[0016]
(交联性基团a组)
[0017]
[化2]
[0018][0019]
[式中，r
xl
表示亚甲基、氧原子或硫原子，n
xl
表示0～5的整数。在r
xl
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。在n
xl
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。＊1表示键合位置。这些交联性基团任选具有单一或多个取代基，在该取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
[0020]
[化3]
[0021][0022]
[式中，
[0023]
n
t1
表示0以上且5以下的整数。在n
t1
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0024]
n
t2
表示1以上且10以下的整数。
[0025]
ar
t1
是在环内包含不具有双键的氮原子及＝n
‑
所示的基团的、稠合环的1价的杂环基，该基团(1价的杂环基)任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在ar
t1
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0026]
l
t1
表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、2价的杂环基、
‑
nr
t1
’‑
所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。r
t1’表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在l
t1
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0027]
ar
t2
表示芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
[0028]
[2]根据[1]中记载的发光元件，其中，所述具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物是具有所述选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物。
[0029]
[3]根据[2]中记载的发光元件，其中，所述高分子化合物是以具有所述选自交联性基团a组中的交联性基团的交联构成单元的形式包含所述选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物，
[0030]
所述交联构成单元是式(z)或式(z’)所示的构成单元。
[0031]
[化4]
[0032][0033]
[式中，
[0034]
n表示1以上的整数。
[0035]
na表示0以上的整数。在na存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0036]
ar3表示芳香族烃基、杂环基、或至少1种芳香族烃基与至少1种杂环基直接键合而得的基团，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0037]
l
a
表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、2价的杂环基、
‑
n(r’)
‑
所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。r’表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在l
a
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0038]
x表示所述选自交联性基团a组中的交联性基团。在x存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。]
[0039]
[化5]
[0040][0041]
[式中，
[0042]
ma、m及c各自独立地表示0以上的整数。在ma存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。在m存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0043]
ar5表示芳香族烃基、杂环基、或至少1种芳香族烃基与至少1种杂环基直接键合而得的基团，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在ar5存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0044]
ar4及ar6各自独立地表示亚芳基或2价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0045]
k
a
表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、2价的杂环基、
‑
n(r”)
‑
所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。r”表示氢原子、烷基、环烷
基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在k
a
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0046]
x’表示所述选自交联性基团a组中的交联性基团、氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在x’存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。其中，至少1个x’为所述选自交联性基团a组中的交联性基团。]
[0047]
[4]根据[1]中记载的发光元件，其中，所述具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物为式(z”)所示的低分子化合物。
[0048]
[化6]
[0049][0050]
[式中，
[0051]
m
b1
、m
b2
及m
b3
各自独立地表示0以上且10以下的整数。存在有多个的m
b1
任选相同或不同。在m
b3
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0052]
ar7表示芳香族烃基、杂环基、或至少1种芳香族烃基与至少1种杂环基直接键合而得的基团，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在ar7存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0053]
l
b1
表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、2价的杂环基、
‑
n(r
”’
)
‑
所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。r
”’
表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在l
b1
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。x”表示所述选自交联性基团a组中的交联性基团、氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。存在有多个的x”任选相同或不同。其中，存在有多个的x”当中的至少1个为所述选自交联性基团a组中的交联性基团。]
[0054]
[5]根据[1]～[4]中任一项记载的发光元件，其中，所述选自交联性基团a组中的交联性基团为所述式(xl
‑
1)、所述式(xl
‑
16)或所述式(xl
‑
17)所示的基团。
[0055]
[6]根据[1]～[5]中任一项记载的发光元件，其中，所述第1层含有所述式(t
‑
1)所示的化合物。
[0056]
[7]根据[1]～[6]中任一项记载的发光元件，其中，所述ar
t1
为式(t1
‑
1)所示的基团。
[0057]
[化7]
[0058][0059]
[式中，
[0060]
x
t1
表示单键、氧原子、硫原子、
‑
n(r
xt1
)
‑
所示的基团、或
‑
c(r
xt1’)2‑
所示的基团。r
xt1
及r
xt1’各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、1价的杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。存在有多个的r
xt1’任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0061]
环r
t1
及环r
t2
各自独立地表示芳香族烃环或杂环，这些环任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0062]
其中，环r
t1
及环r
t2
中的至少一个为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，该环任选具有单一或多个取代基，在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
[0063]
[8]根据[7]中记载的发光元件，其中，所述环r
t1
为芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，这些环任选具有单一或多个取代基，并且所述环r
t2
是在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，该环任选具有单一或多个取代基。
[0064]
[9]根据[8]中记载的发光元件，其中，所述环r
t1
为单环式的芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，这些环任选具有单一或多个取代基，并且所述环r
t2
为在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，该环任选具有单一或多个取代基。
[0065]
[10]根据[9]中记载的发光元件，其中，所述环r
t1
为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有单一或多个取代基，并且所述环r
t2
为吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有单一或多个取代基。
[0066]
[11]根据[1]～[10]中任一项记载的发光元件，其中，所述发光元件还具有设于所述阳极与所述阴极之间的第3层，
[0067]
所述第3层为含有式(1)所示的金属络合物的层。
[0068]
[化8]
[0069][0070]
[式中，
[0071]
m表示铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。
[0072]
n1表示1以上的整数，n2表示0以上的整数。其中，在m为铑原子或铱原子的情况下，n1+n2为3，在m为钯原子或铂原子的情况下，n1+n2为2。
[0073]
e1及e2各自独立地表示碳原子或氮原子。在e1及e2存在有多个的情况下，它们分别任选相同或不同。
[0074]
环l1表示芳香族杂环，该环任选具有单一或多个取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在环l1存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0075]
环l2表示芳香族烃环或芳香族杂环，这些环任选具有单一或多个取代基。在该取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在环l2存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0076]
环l1任选具有的取代基与环l2任选具有的取代基任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0077]
a1‑
g1‑
a2表示阴离子性的二齿配体。a1及a2各自独立地表示碳原子、氧原子或氮原子，这些原子任选为构成环的原子。g1表示单键、或与a1及a2一起构成二齿配体的原子团。在a1‑
g1‑
a2存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。]
[0078]
[12]根据[11]中记载的发光元件，其中，所述环l1为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、二唑环或三唑环，这些环任选具有单一或多个取代基，并且所述环l2为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有单一或多个取代基。
[0079]
[13]根据[11]或[12]中记载的发光元件，其中，所述第3层还含有式(h
‑
1)所示的化合物。
[0080]
[化9]
[0081][0082]
[式中，
[0083]
ar
h1
及ar
h2
各自独立地表示芳基、1价的杂环基或取代氨基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0084]
n
h1
表示0以上的整数。
[0085]
l
h1
表示亚芳基、2价的杂环基、亚烷基或亚环烷基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在l
h1
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。]
[0086]
[14]根据[11]～[13]中任一项记载的发光元件，其中，所述第3层为设于所述第2层与所述第1层之间的层。
[0087]
[15]根据[14]中记载的发光元件，其中，所述第3层与所述第1层相邻，并且所述第3层与所述第2层相邻。
[0088]
发明效果
[0089]
根据本发明，可以提供发光效率优异的发光元件。
附图说明
[0090]
图1是本发明的一个方式的发光元件的示意剖视图。
具体实施方式
[0091]
以下，对本实施方式的合适的实施方式进行详细说明。
[0092]
＜共同的术语的说明＞
[0093]
本说明书中共同使用的术语只要没有特别指出，就是以下的含义。
[0094]
所谓“室温”，是指25℃。
[0095]
me表示甲基，et表示乙基，bu表示丁基，i
‑
pr表示异丙基，t
‑
bu表示叔丁基。
[0096]
氢原子可以为氘原子，也可以为氕原子。
[0097]
在表示金属络合物的式中，表示与中心金属的键合的实线是指共价键或配位键。
[0098]
所谓“高分子化合物”，是指具有分子量分布、聚苯乙烯换算的数均分子量为1
×
103～1
×
108的聚合物。
[0099]
所谓“低分子化合物”，是指不具有分子量分布、分子量为1
×
104以下的化合物。
[0100]
所谓“构成单元”，是指在高分子化合物中存在有1个以上的单元。在高分子化合物中存在有2个以上的构成单元有时一般称作“重复单元”。
[0101]“烷基”任选为直链及支链的任意者。直链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～50，优选为1～20，更优选为1～10。支链的烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～20，更优选为4～10。烷基任选具有取代基，例如可以举出甲基、乙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2
‑
乙基己基、癸基、3，7
‑
二甲基辛基、2
‑
乙基辛基、十二烷基、三氟甲基、3
‑
苯基丙基、3
‑
(4
‑
甲基苯基)丙基、3
‑
(3，5
‑
二己基苯基)丙基、以及6
‑
乙基氧基己基。
[0102]“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为4～10。环烷基任选具有取代基，例如可以举出环己基及甲基环己基。
[0103]“亚烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1以上且20以下，优选为1以上且15以下，更优选为1以上且10以下。亚烷基任选具有取代基，例如可以举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基及亚辛基。
[0104]“亚环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3以上且20以下。亚环烷基任选具有取代基，例如可以举出亚环己基。
[0105]“芳香族烃基”是指从芳香族烃中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团。也将从芳香族烃中去掉1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团称作“芳基”。也将从芳香族烃中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团称作“亚芳基”。
[0106]
芳香族烃基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
[0107]“芳香族烃基”例如可以举出从单环式的芳香族烃(例如可以举出苯。)、或多环式的芳香族烃(例如可以举出萘及茚等2环式的芳香族烃；蒽、菲、二氢菲及芴等3环式的芳香族烃；苯并菲、并四苯、苯并芴、芘、及荧蒽等4环式的芳香族烃；二苯并芴、苝及苯并荧蒽等5环式的芳香族烃；螺二芴等6环式的芳香族烃；以及苯并螺二芴及苊并荧蒽等7环式的芳
香族烃。)中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。芳香族烃基包括键合有多个这些基团的基团。
[0108]“烷氧基”任选为直链及支链的任意者。直链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～40，优选为1～10。支链的烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。烷氧基任选具有取代基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、异丙氧基、丁氧基、己氧基、2
‑
乙基己氧基、3，7
‑
二甲基辛氧基、以及月桂氧基。
[0109]“环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。环烷氧基任选具有取代基，例如可以举出环己氧基。
[0110]“芳氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～48。芳氧基任选具有取代基，例如可以举出苯氧基、萘氧基、蒽氧基、以及芘氧基。
[0111]
所谓“杂环基”，是指从杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团。在杂环基中，优选为从芳香族杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，即“芳香族杂环基”。也将从杂环式化合物中去掉p个(p表示1以上的整数。)与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团称作“p价的杂环基”。也将从芳香族杂环式化合物中去掉p个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团称作“p价的芳香族杂环基”。
[0112]
作为“芳香族杂环式化合物”，例如可以举出唑、噻吩、呋喃、吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘及咔唑等杂环自身显示出芳香族性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪及苯并吡喃等虽然杂环自身不显示出芳香族性然而在杂环上稠合有芳香环的化合物。
[0113]
杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～60，优选为2～40，更优选为3～20。杂环基的杂原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～30，优选为1～10，更优选为1～3。
[0114]
杂环基任选具有取代基，例如可以举出从单环式的杂环式化合物(例如可以举出呋喃、噻吩、噁二唑、吡咯、二唑、三唑、四唑、吡啶、二氮杂苯及三嗪。)、或多环式的杂环式化合物(例如可以举出氮杂萘、二氮杂萘、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、苯并二唑及苯并噻二唑等2环式的杂环式化合物；二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮杂咔唑、二氮杂咔唑、吩噁嗪、吩噻嗪、9，10
‑
二氢吖啶、5，10
‑
二氢吩嗪、氮杂蒽、二氮杂蒽、氮杂菲及二氮杂菲等3环式的杂环式化合物；六氮杂苯并菲、苯并咔唑及苯并萘并呋喃等4环式的杂环式化合物；二苯并咔唑、吲哚并咔唑及茚并咔唑等5环式的杂环式化合物；咔唑并咔唑、苯并吲哚并咔唑及苯并茚并咔唑等6环式的杂环式化合物；以及二苯并吲哚并咔唑等7环式的杂环式化合物。)中去掉1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。杂环基包括键合有多个这些基团的基团。
[0115]
所谓“卤素原子”，是指氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
[0116]“氨基”任选具有取代基，优选取代氨基。作为氨基所具有的取代基，优选烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基。
[0117]
作为取代氨基，例如可以举出二烷基氨基、二环烷基氨基及二芳基氨基。
[0118]
作为氨基，例如可以举出二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(甲基苯基)氨基、以及双(3，5
‑
二叔丁基苯基)氨基。
[0119]“烯基”任选为直链及支链的任意者。直链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原
子数在内，通常为2～30，优选为3～20。支链的烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。
[0120]“环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为3～30，优选为4～20。
[0121]
烯基及环烯基任选具有取代基，例如可以举出乙烯基、丙烯基、丁烯基、3
‑
丁烯基、3
‑
戊烯基、4
‑
戊烯基、1
‑
己烯基、5
‑
己烯基、7
‑
辛烯基、以及这些基团具有取代基的基团。
[0122]“炔基”任选为直链及支链的任意者。炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为2～20，优选为3～20。支链的炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。
[0123]“环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子在内，通常为4～30，优选为4～20。
[0124]
更具体而言，取代炔基及环炔基任选具有取代基，例如可以举出乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、5
‑
己炔基、以及这些基团具有取代基的基团。
[0125]
所谓“交联性基团”，是能够通过接受加热、紫外线照射、近紫外线照射、可见光照射、红外线照射、自由基反应等而生成新的键的基团，优选为选自交联性基团a组中的交联性基团(即式(xl
‑
1)～式(xl
‑
17)的任意者所示的基团)。
[0126]
作为“取代基”，例如可以举出卤素原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、环烯基、炔基及环炔基。取代基任选为交联性基团。具有取代基的基团可以具有单一或多个取代基。需要说明的是，在取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，它们任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，然而优选不形成环。
[0127]
＜式(1)所示的金属络合物＞
[0128]
式(1)所示的金属络合物通常为在室温下显示出磷光发光性的金属络合物，优选为在室温下显示出来自三重激发态的发光的金属络合物。
[0129]
对于m，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为铱原子或铂原子，更优选为铱原子。
[0130]
在m为铑原子或铱原子的情况下，n3优选为2或3，更优选为3。
[0131]
在m为钯原子或铂原子的情况下，n3优选为2。
[0132]
优选e1及e2的至少一方为碳原子，更优选e1及e2为碳原子。
[0133]
为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，e1及e2优选相同。另外，为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，在e1存在有多个的情况下，它们优选相同。另外，为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，在e2存在有多个的情况下，它们优选相同。
[0134]
环l1中的芳香族杂环的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～60，优选为2～30，更优选为2～15。环l1中的芳香族杂环的杂原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3。
[0135]
环l1优选为5元的芳香族杂环或6元的芳香族杂环，更优选为作为构成原子具有2个以上且4个以下的氮原子的5元的芳香族杂环或作为构成原子具有1个以上且4个以下的氮原子的6元的芳香族杂环，这些环任选具有取代基。其中，在环l1为6元的芳香族杂环的情况下，e1优选为碳原子。
[0136]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，环l1优选为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三唑环或二唑环，更优选为吡啶环、喹啉环、异喹啉环、三唑环
或二唑环，进一步优选为三唑环或二唑环，特别优选为二唑环，这些环任选具有取代基。为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，在环l1存在有多个的情况下，它们优选相同。
[0137]
环l2中的芳香族烃环的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
[0138]
作为环l2中的芳香族烃环，例如可以举出前述的芳香族烃基一项中例示的芳香族烃环，优选为前述的芳香族烃基一项中例示的由单环式、2环式或3环式的芳香族烃形成的环，更优选为苯环、萘环、芴环、菲环或二氢菲环，进一步优选为苯环、芴环或二氢菲环，特别优选为苯环，这些环任选具有取代基。
[0139]
环l2中的芳香族杂环的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～60，优选为2～30，更优选为3～15。环l2中的芳香族杂环的杂原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～30，优选为1～10，更优选为1～3。
[0140]
作为环l2中的芳香族杂环，例如可以举出前述的杂环基一项中例示的芳香族杂环，优选为前述的杂环基一项中例示的单环式、2环式或3环式的芳香族杂环，更优选为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、咔唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环，进一步优选为吡啶环、二氮杂苯环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环，特别优选为吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有取代基。
[0141]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，环l2优选为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，更优选为苯环，这些环任选具有取代基。
[0142]
为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，在环l2存在有多个的情况下，它们优选相同。
[0143]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选环l1为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三唑环或二唑环，并且环l2为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，更优选环l1为吡啶环、喹啉环、异喹啉环、三唑环或二唑环，并且环l2为苯环，进一步优选环l1为三唑环或二唑环，并且环l2为苯环，特别优选环l1为二唑环，并且环l2为苯环，这些环任选具有取代基。
[0144]
作为环l1及环l2任选具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、1价的杂环基、取代氨基或氟原子，更优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，特别优选为芳基，这些基团任选进一步具有取代基。
[0145]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选环l1及环l2中的至少1个具有取代基。环l1及环l2中的至少1个所具有的取代基的个数通常为1个～5个，为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，优选为1个～3个，更优选为1个或2个，进一步优选为1个。
[0146]
作为环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基，优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族烃中去掉1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为苯基、萘基或芴基，进一步优选为苯基，这些基团任选具有取代基。
[0147]
作为环l1及环l2任选具有的取代基中的1价的杂环基，优选为从单环式、2环式或3环式的杂环式化合物中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，
更优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从吡啶环、二氮杂苯环或三嗪环中去掉1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0148]
在环l1及环l2任选具有的取代基中的取代氨基中，作为氨基所具有的取代基，优选芳基或1价的杂环基，更优选芳基，这些基团任选进一步具有取代基。作为氨基所具有的取代基的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0149]
作为环l1及环l2任选具有的取代基任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，特别优选为烷基或环烷基，这些基团任选进一步具有取代基，然而为了能够容易地合成式(1)所示的金属络合物，优选不进一步具有取代基。
[0150]
环l1及环l2任选具有的取代基任选进一步具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0151]
[阴离子性的二齿配体]
[0152]
作为a1‑
g1‑
a2所示的阴离子性的二齿配体，例如可以举出下式所示的配体。但是，a1‑
g1‑
a2所示的阴离子性的二齿配体与以角标n1规定了其个数的配体不同。
[0153]
[化10]
[0154][0155]
[式中，＊表示与m键合的部位。]
[0156]
作为式(1)所示的金属络合物，例如可以举出下式所示的金属络合物、以及后述的金属络合物b1及r1。式中，z
a
表示
‑
ch＝所示的基团或
‑
n＝所示的基团。在z
a
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0157]
[化11]
[0158][0159]
[化12]
[0160][0161]
[化13]
[0162][0163]
[化14]
[0164][0165]
[化15]
[0166][0167]
＜式(h
‑
1)所示的化合物＞
[0168]
式(h
‑
1)所示的化合物的分子量通常为1
×
102～1
×
104，优选为2
×
102～5
×
103，更优选为3
×
102～3
×
103，进一步优选为4
×
102～1
×
103。
[0169]
作为ar
h1
及ar
h2
中的芳基、以及l
h1
中的亚芳基，优选为从单环式或2～6环式的芳香族烃中去掉1个或2个(其中，在芳基的情况下为1个氢原子，在亚芳基的情况下为2个氢原子，以下相同。)与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从单环式或2～4环式的芳香族烃中去掉1个或2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从苯、萘、芴、菲或苯并菲中去掉1个或2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0170]
作为ar
h1
及ar
h2
中的1价的杂环基、以及l
h1
中的2价的杂环基，优选为从单环式或2～6环式的杂环式化合物中去掉1个或2个(其中，在1价的杂环基的情况下为1个氢原子，在2价的杂环基的情况下为2个氢原子，以下相同。)与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从单环式、2环式、3环式或5环式的杂环式化合物中去掉1个或2个
与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并咔唑、吲哚并咔唑或茚并咔唑中去掉1个或2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，特别优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉1个或2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0171]
在ar
h1
及ar
h2
的取代氨基中，作为氨基所具有的取代基，优选芳基或1价的杂环基，更优选芳基，这些基团任选进一步具有取代基。作为氨基所具有的取代基的芳基的例子及优选的范围与ar
h1
及ar
h2
中的芳基的例子及优选的范围相同。作为氨基所具有的取代基的1价的杂环基的例子及优选的范围与ar
h1
及ar
h2
中的1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0172]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选ar
h1
及ar
h2
的至少1个为芳基或1价的杂环基，更优选为1价的杂环基，进一步优选为咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，特别优选为咔唑基，这些基团任选具有取代基。
[0173]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，ar
h1
及ar
h2
优选为芳基或1价的杂环基，更优选为从苯、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为苯基、芴基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基，特别优选为咔唑基，这些基团任选具有取代基。
[0174]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选l
h1
的至少1个为亚芳基或2价的杂环基，更优选为2价的杂环基，进一步优选为从咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或杂原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选进一步具有取代基。
[0175]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，l
h1
优选为亚芳基或2价的杂环基，更优选为从苯、萘、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从苯、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，特别优选为从二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0176]
作为ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、1价的杂环基、取代氨基或氟原子，更优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选进一步具有取代基。
[0177]
ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ar
h1
及ar
h2
中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0178]
作为ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，更优选为烷基或环烷基，这些基团任选进一步具有取代基，然而优选不进一步具有取代基。
[0179]
ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基任选进一步具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ar
h1
及ar
h2
中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0180]
n
h1
通常为0以上且10以下的整数，优选为0以上且5以下的整数，更优选为1以上且3
以下的整数，特别优选为1。
[0181]
作为式(h
‑
1)所示的化合物，例如可以举出下式所示的化合物。需要说明的是，式中，z
a
表示与上文相同的含义。式中，z
b
表示氧原子或硫原子。在z
b
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0182]
[化16]
[0183][0184]
[化17]
[0185][0186]
[化18]
[0187][0188]
[化19]
[0189][0190]
＜式(t
‑
1)所示的化合物＞
[0191]
式(t
‑
1)所示的化合物的分子量通常为1
×
102～1
×
104，优选为2
×
102～5
×
103，更优选为3
×
102～3
×
103，进一步优选为4
×
102～1.5
×
103。
[0192]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，n
t1
优选为0以上且3以下的整数，更优选为0或1。
[0193]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，n
t2
优选为1以上且5以下的整数，更优选为1以上且3以下的整数，进一步优选为2。
[0194]
所谓“不具有双键的氮原子”，是指在氮原子与键合于该氮原子的所有原子之间仅具有单键的氮原子。
[0195]
所谓“在环内包含不具有双键的氮原子”，是指在环内包含
‑
n(
‑
r
n
)
‑
(式中，r
n
表示氢原子或取代基。)或下式所示的基团：
[0196]
[化20]
[0197][0198]
在环内包含不具有双键的氮原子及＝n
‑
所示的基团的、稠合环的1价的杂环基(以下也称作“ar
t1
的杂环基”。)中，构成环的不具有双键的氮原子的个数通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2。另外，在稠合环的1价的杂环基中，构成环的＝n
‑
所示的基团的个数通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2。在稠合环的1价的杂环基中，构成环的碳原子的个数通常为2～60，优选为5～30，更优选为8～25。
[0199]
ar
t1
的杂环基优选为从杂环式化合物中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基，所述杂环式化合物是将在环内包含不具有双键的氮原子、并且在环内不包含＝n
‑
所示的基团的杂环(以下也称作“供体型杂环”。)的1个以上(优选为5个以下，更优选为3个以下，进一步优选为1个)与在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环的1个以上(优选为5个以下，更优选为3个以下，进一步优选为1个)稠合而得的。
[0200]
在供体型杂环中，构成环的碳原子的个数通常为1～60，优选为2～30，更优选为3～15。在供体型杂环中，构成环的不具有双键的氮原子的个数通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2。
[0201]
作为供体型杂环，例如可以举出前述的杂环基一项中例示的杂环式化合物当中在环内包含不具有双键的氮原子、并且在环内不包含＝n
‑
所示的基团的杂环，其中，优选为单环式或2～5环式的杂环，更优选为单环式、2环式或3环式的杂环，进一步优选为单环式或2环式的杂环，这些环任选具有取代基。
[0202]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，供体型杂环优选为吡咯环、吲哚环、咔唑环、9，10
‑
二氢吖啶环、5，10
‑
二氢吩嗪环、吩噁嗪环或吩噻嗪环，更优选为吡咯环、吲哚环或咔唑环，进一步优选为吡咯环或吲哚环，这些环任选具有取代基。
[0203]
供体型杂环任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0204]
在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环中，构成环的碳原子的个数通常为1～60，优选为2～30，更优选为3～15。在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环中，构成环的＝n
‑
所示的基团的个数通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2。
[0205]
作为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，例如可以举出前述的杂环基一项中例示的杂环式化合物当中在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，其中，优选为单环式、2环式或3环式的杂环，更优选为单环式的杂环，这些环任选具有取代基。
[0206]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环优选为二唑环、三唑环、四唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、氮杂菲环或二氮杂菲环，更优选为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂咔唑环或二氮杂咔唑环，进一步优选为吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有取代基。
[0207]
在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0208]
作为ar
t1
的杂环基，例如可以举出从氮杂吲哚、二氮杂吲哚、氮杂咔唑、二氮杂咔唑、或在这些环上稠合有1个以上(优选为5个以下，更优选为3个以下，进一步优选为1个。)的供体型杂环和/或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环的杂环式化合物中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，优选为从氮杂咔唑或二氮杂咔唑中去掉1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0209]
ar
t1
的杂环基任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0210]
为了能够容易地合成式(t
‑
1)所示的化合物，在ar
t1
存在有多个的情况下，它们优选相同。
[0211]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar
t1
的杂环基优选为式(t1
‑
1)所示的基团。
[0212]
[式(t1
‑
1)所示的基团]
[0213]
x
t1
优选为单键、氧原子、硫原子或
‑
c(r
xt1’)2‑
所示的基团，更优选为单键、氧原子或硫原子，进一步优选为单键。
[0214]
r
xt1
优选为烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，更优选为芳基或1价的杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
[0215]
r
xt1’优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，更优选为烷基或芳基，进一步优选为烷基，这些基团任选具有取代基。
[0216]
存在有多个的r
xt1’优选不发生相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
[0217]
r
xt1
及r
xt1’中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ar
h1
及ar
h2
中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0218]
r
xt1
及r
xt1’任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0219]
环r
t1
及环r
t2
中的芳香族烃环的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
[0220]
作为环r
t1
及环r
t2
中的芳香族烃环，例如可以举出前述的芳香族烃基一项中例示的芳香族烃环，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为前述的芳香族烃基一项中例示的单环式、2环式或3环式的芳香族烃环，更优选为单环式的芳香族烃环，这些基团任选具有取代基。
[0221]
作为环r
t1
及环r
t2
中的芳香族烃环，为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，优选为苯环、萘环、芴环、菲环或二氢菲环，更优选为苯环、芴环或二氢菲环，进一步优选为苯环，这些环任选具有取代基。
[0222]
环r
t1
及环r
t2
中的杂环的碳原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～60，优选为2～30，更优选为3～15。环r
t1
及环r
t2
中的杂环的杂原子数不包括取代基的碳原子数在内，通常为1～30，优选为1～10，更优选为1～3。
[0223]
作为环r
t1
及环r
t2
中的杂环，例如可以举出前述的杂环基一项中例示的杂环，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为前述的杂环基一项中例示的单环
式、2环式或3环式的杂环(优选为供体型杂环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，更优选为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环。)，更优选为单环式的杂环(优选为供体型杂环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，更优选为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环。)，这些环任选具有取代基。
[0224]
作为环r
t1
及环r
t2
中的杂环，为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，优选为咔唑环、9，10
‑
二氢吖啶环、5，10
‑
二氢吩嗪环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环，更优选为吡啶环、二氮杂苯环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂咔唑环或二氮杂咔唑环，进一步优选为吡啶环或二氮杂苯环，这些环任选具有取代基。
[0225]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，环r
t1
优选为芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，更优选为单环式的芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，进一步优选为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，特别优选为苯环，这些环任选具有取代基。
[0226]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，环r
t2
优选为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，更优选为在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，进一步优选为吡啶环或二氮杂苯环，特别优选为吡啶环，这些环任选具有取代基。
[0227]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，优选环r
t1
为芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，并且环r
t2
为在环内包含＝n
‑
所示的基团的杂环，更优选环r
t1
为单环式的芳香族烃环或在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，并且环r
t2
为在环内包含＝n
‑
所示的基团的单环式的杂环，进一步优选环r
t1
为苯环、吡啶环或二氮杂苯环，并且环r
t2
为吡啶环或二氮杂苯环，特别优选环r
t1
为苯环，并且环r
t2
为吡啶环，这些环任选具有取代基。
[0228]
环r
t1
及环r
t2
任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0229]
l
t1
中的亚芳基的例子及优选的范围与l
h1
中的亚芳基中的亚芳基的例子及优选的范围相同。
[0230]
l
t1
中的2价的杂环基的例子及优选的范围与l
h1
中的2价的杂环基中的亚芳基的例子及优选的范围相同。
[0231]
l
t1
优选为亚芳基或2价的杂环基，更优选为从苯、萘、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从苯、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，特别优选为从苯、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，尤其优选为亚苯基，这些基团任选具有取代基。
[0232]
为了能够容易地合成式(t
‑
1)所示的化合物，在l
t1
存在有多个的情况下，它们优选相同。
[0233]
l
t1
任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0234]
r
t1’优选为芳基或1价的杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
[0235]
r
t1’中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围分别与ar
h1
及ar
h2
中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0236]
r
t1’任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0237]
ar
t2
中的芳香族烃基优选为从单环式或2～6环式的芳香族烃中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族烃中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从苯、萘、芴、菲或蒽中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0238]
ar
t2
中的杂环基优选为从单环式或2～6环式的杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从单环式、2环式或3环式的杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、吩噁嗪、吩噻嗪、氮杂蒽、二氮杂蒽、氮杂菲或二氮杂菲中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，特别优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、氮杂蒽、二氮杂蒽、氮杂菲或二氮杂菲中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0239]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar
t2
优选为从苯、芴、吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉1个以上的与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从苯、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
[0240]
ar
t2
任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
h1
、ar
h2
及l
h1
任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0241]
作为式(t
‑
1)所示的化合物，例如可以举出下式所示的化合物、以及后述的化合物et1～et3。需要说明的是，式中，z
a
及z
b
表示与上文相同的含义。
[0242]
[化21]
[0243][0244]
[化22]
[0245][0246]
[化23]
[0247][0248]
[化24]
[0249][0250]
＜具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物＞
[0251]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物可以是具有选自交联性基团a组中的交联性基团的低分子化合物，也可以是具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物，然而优选为具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物。
[0252]
在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物中，选自交联性基团a组中的交联性基团优选为式(xl－1)、式(xl－9)、式(xl－10)、式(xl－16)或式(xl－17)所示的交联性基团，更优选为式(xl－1)、式(xl－16)或式(xl－17)所示的交联性基团，进一步优选为式(xl－1)所示的交联性基团。
[0253]
在选自交联性基团a组中的交联性基团中，交联性基团任选具有的取代基的例子及优选的范围与后述的ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0254]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物可以仅包含1种选自交联性基团a组中的交联性基团，也可以包含2种以上。
[0255]
[具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物]
[0256]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物优选以具有选自交联性基团a组中的交联性基团的交联构成单元(以下简称为“交联构成单元”。)的形式包含选自交联性基团a组中的交联性基团。对于交联构成单元，为了使具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的稳定性及交联性优异，相对于具有选自交联性基团a组中的
交联性基团的高分子化合物中含有的构成单元的合计量，优选为0.5～80摩尔％，更优选为3～65摩尔％，进一步优选为5～50摩尔％。交联构成单元在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
[0257]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物优选还包含后述的式(y)所示的构成单元。
[0258]
为了使空穴传输性优异，具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物优选还包含后述的式(x)所示的构成单元。
[0259]
为了使空穴传输性优异，并且使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物优选还包含式(x)所示的构成单元及式(y)所示的构成单元。
[0260]
在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物包含式(x)所示的构成单元的情况下，对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中含有的式(x)所示的构成单元，为了使空穴传输性优异，相对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中含有的构成单元的合计量，优选为1～90摩尔％，更优选为10～70摩尔％，进一步优选为30～60摩尔％。
[0261]
式(x)所示的构成单元在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
[0262]
在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物包含式(y)所示的构成单元、且ar
y1
为亚芳基的情况下，对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中含有的式(y)所示的构成单元，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，相对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的合计量，优选为1～90摩尔％，更优选为30～80摩尔％。
[0263]
在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物包含式(y)所示的构成单元、且ar
y1
为2价的杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团的情况下，对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中含有的式(y)所示的构成单元，为了使具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的电荷传输性优异，相对于具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中含有的构成单元的合计量，优选为0.5～50摩尔％，更优选为3～30摩尔％。
[0264]
式(y)所示的构成单元在具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
[0265]
[式(y)所示的构成单元]
[0266]
[化25]
[0267][0268]
[式中，ar
y1
表示亚芳基、2价的杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
[0269]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar
y1
所示的亚芳基优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族烃中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，更优选为从苯、萘、蒽、菲、二氢菲或芴中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子
后的基团，进一步优选为从苯、菲、二氢菲或芴中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后的基团，它们任选具有取代基。
[0270]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar
y1
所示的2价的杂环基优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族杂环、更优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、吩噁嗪、吩噻嗪或9，10
‑
二氢吖啶中去掉2个与构成环的碳原子或氮原子直接键合的氢原子后的基团，进一步优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩中去掉2个与构成环的碳原子或氮原子直接键合的氢原子后的基团，它们任选具有取代基。
[0271]
ar
y1
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团中的亚芳基及2价的杂环基的优选的范围分别与ar
y1
所示的亚芳基及2价的杂环基的优选的范围相同。
[0272]
作为“至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团”，例如可以举出下式所示的基团，它们任选具有取代基。
[0273]
[化26]
[0274][0275]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar
y1
优选为任选具有取代基的亚芳基。
[0276]
ar
y1
所示的基团任选具有的取代基优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、1价的杂环基、取代氨基或氟原子，更优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。
[0277]
ar
y1
所示的基团任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0278]
作为ar
y1
所示的基团任选具有的取代基任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，更优选为烷基或环烷基，这些基团任选进一步具有取代基，然而优选不进一步具有取代基。
[0279]
ar
y1
所示的基团任选具有的取代基任选进一步具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0280]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，式(y)所示的构成单元优选为式(y
‑
1)或(y
‑
2)所示的构成单元。
[0281]
[化27]
[0282][0283]
[式中，
[0284]
r
y1
表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。存在有多个的r
y1
任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
[0285]
x
y1
表示
‑
c(r
y2
)2‑
、
‑
c(r
y2
)＝c(r
y2
)
‑
或c(r
y2
)2‑
c(r
y2
)2‑
所示的基团。r
y2
表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。存在有多个的r
y2
任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
[0286]
r
y1
优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子或烷基，这些基团任选具有取代基。
[0287]
r
y2
优选为烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
[0288]
r
y1
及r
y2
中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基、1价的杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
[0289]
r
y1
及r
y2
任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0290]
作为式(y)所示的构成单元，例如可以举出下式所示的构成单元、以及由后述的化合物m4、m5、m8及m9衍生的构成单元。需要说明的是，下述式中，z
a
及z
b
表示与上文相同的含义。
[0291]
[化28]
[0292][0293]
[化29]
[0294][0295]
[化30]
[0296][0297]
[式(x)所示的构成单元]
[0298]
[化31]
[0299][0300]
[式中，
[0301]
a
x1
及a
x2
各自独立地表示0以上的整数。
[0302]
ar
x1
及ar
x3
各自独立地表示亚芳基或2价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。
[0303]
ar
x2
及ar
x4
各自独立地表示亚芳基、2价的杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在ar
x2
及ar
x4
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。
[0304]
r
x1
、r
x2
及r
x3
各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有单一或多个取代基。在所述取代基存在有多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在r
x2
及r
x3
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。]
[0305]
a
x1
通常为0～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～2的整数，更优选为0或1。
[0306]
a
x2
通常为0～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～2的整数，更优选为0。
[0307]
r
x1
、r
x2
及r
x3
优选为烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
[0308]
r
x1
、r
x2
及r
x3
中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0309]
ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
所示的亚芳基及2价的杂环基的例子及优选的范围分别与ar
y1
所示的亚芳基及2价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0310]
ar
x2
及ar
x4
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基
团中的亚芳基及2价的杂环基的例子及优选的范围分别与ar
y1
所示的亚芳基及2价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0311]
作为ar
x2
及ar
x4
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团，可以举出与ar
y1
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团相同的基团。
[0312]
ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
优选为任选具有取代基的亚芳基。
[0313]
ar
x1
～ar
x4
及r
x1
～r
x3
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0314]
作为式(x)所示的构成单元，例如可以举出下式所示的构成单元、以及由后述的化合物m3及m6衍生的构成单元。需要说明的是，下述式中，z
b
表示与上文相同的含义。
[0315]
[化32]
[0316][0317]
[化33]
[0318][0319]
[化34]
[0320][0321]
[交联构成单元]
[0322]
交联构成单元优选为式(z)所示的构成单元或式(z’)所示的构成单元。
[0323]
[式(z)所示的构成单元]
[0324]
n通常为1～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为1～4的整数，更优选为1或2。
[0325]
na通常为0～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～4的整数，更优选为0～2的整数。
[0326]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar3优选为任选具有取代基的芳香族烃基。
[0327]
ar3所示的芳香族烃基的去掉n个取代基后的亚芳基部分的例子及优选的范围与ar
y1
所示的亚芳基的例子及优选的范围相同。
[0328]
ar3所示的杂环基的去掉n个取代基后的2价的杂环基部分的例子及优选的范围与ar
y1
所示的2价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0329]
ar3所示的至少1种芳香族烃基与至少1种杂环基直接键合而得的基团的去掉n个取代基后的2价的基团的例子及优选的范围与ar
y1
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团的例子及优选的范围相同。
[0330]
l
a
所示的亚芳基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的亚芳基的例子及优选的范围相同，然而为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，l
a
所示的亚芳基优选为亚苯基或芴二基，这些基团任选进一步具有取代基。
[0331]
l
a
所示的2价的杂环基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的2价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0332]
为了使具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的合成变得容易，l
a
优选为亚芳基或亚烷基，更优选为亚苯基、芴二基或亚烷基，这些基团任选具有取代基。
[0333]
r’优选为芳基或1价的杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
[0334]
r’中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0335]
ar3、l
a
及r’所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0336]
x中的选自交联性基团a组中的交联性基团的例子及优选的范围与具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物中的交联性基团的例子及优选的范围相同。
[0337]
[式(z’)所示的构成单元]
[0338]
ma通常为0～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～4的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为0或1，特别优选为0。
[0339]
m通常为0～5的整数，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～4的整数，更优选为0～2的整数。
[0340]
c通常为0～5的整数，为了使本实施方式的高分子化合物的制造变得容易、并且使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为0～2的整数，更优选为0或1。
[0341]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar5优选为任选具有取代基的芳香族烃基。
[0342]
ar5所示的芳香族烃基的去掉m个取代基后的亚芳基部分的例子及优选的范围与ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
所示的亚芳基的例子及优选的范围相同。
[0343]
ar5所示的杂环基的去掉m个取代基后的2价的杂环基部分的例子及优选的范围与ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
所示的2价的杂环基部分的例子及优选的范围相同。
[0344]
ar5所示的至少1种芳香族烃基与至少1种杂环基直接键合而得的基团的去掉m个取代基后的2价的基团的例子及优选的范围与ar
x2
及ar
x4
所示的至少1种亚芳基与至少1种2价的杂环基直接键合而得的2价的基团的例子及优选的范围相同。
[0345]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，ar4及ar6优选为任选具有取代基的亚芳基。
[0346]
ar4及ar6所示的亚芳基的例子及优选的范围与ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
所示的亚芳基
的例子及优选的范围相同。
[0347]
ar4及ar6所示的2价的杂环基的例子及优选的范围与ar
x1
、ar
x2
、ar
x3
及ar
x4
所示的2价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0348]
ar4～ar6所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0349]
k
a
的例子及优选的范围与l
a
的例子及优选的范围相同。
[0350]
r”的例子及优选的范围与r’的例子及优选的范围相同。
[0351]
x’中的选自交联性基团a组中的交联性基团的例子及优选的范围与x中的选自交联性基团a组中的交联性基团的例子及优选的范围相同。
[0352]
x’中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围分别与环l1及环l2任选具有的取代基中的芳基及1价的杂环基的例子及优选的范围相同。
[0353]
x’优选为选自交联性基团a组中的交联性基团、烷基、环烷基、芳基或1价的杂环基，更优选为选自交联性基团a组中的交联性基团、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
[0354]
x’所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围与ar
y1
所示的基团任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[0355]
作为交联构成单元，例如可以举出下式所示的构成单元、以及由后述的化合物m1、m2、m7、m10及m11衍生的构成单元。需要说明的是，下述式中，z
b
表示与上文相同的含义。x
a
表示选自交联性基团a组中的交联性基团。在x
a
存在有多个的情况下，它们任选相同或不同。x
a
的优选的范围与具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物中的选自交联性基团a组中的交联性基团的优选的范围相同。
[0356]
[化35]
[0357][0358]
[化36]
[0359][0360]
[化37]
[0361][0362]
[化38]
[0363][0364]
[化39]
[0365][0366]
作为具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物，例如可以举出高分子化合物p
‑
1～p
‑
8。此处，所谓“其他”，是指式(z)、式(z’)、式(x)及式(y)所示的构成单元以外的构成单元。
[0367]
[表1]
[0368]
表1
[0369][0370]
[表中，p’、q’、r’、s’及t’表示各构成单元的摩尔比率(摩尔％)。p’+q’+r’+s’+t’＝100，并且70≤p’+q’+r’+s’≤100。]
[0371]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物可以是嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任意者，也可以是其他的形态，然而优选为将多种原料单体共聚而得的共聚物。
[0372]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为5
×
103～1
×
106，更优选为1
×
104～5
×
105，进一步优选为1.5
×
104～1.5
×
105。
[0373]
[具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物的制造方法]
[0374]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的高分子化合物可以使用化学综述(chem.rev.)、第109卷、897
‑
1091页(2009年)等中记载的公知的聚合方法来制造，可以例示出利用suzuki反应、yamamoto反应、buchwald反应、stille反应、negishi反应及kumada反应等使用过渡金属催化剂的偶联反应来聚合的方法。
[0375]
[具有选自交联性基团a组中的交联性基团的低分子化合物]
[0376]
具有选自交联性基团a组中的交联性基团的低分子化合物优选为式(z”)所示的低分子化合物。
[0377]
m
b1
的例子及优选的范围与ma的例子及优选的范围相同。
[0378]
m
b2
的例子及优选的范围与c的例子及优选的范围相同。
[0379]
m
b3
的例子及优选的范围与m的例子及优选的范围相同。
[0380]
ar7的例子及优选的范围与ar5的例子及优选的范围相同。
[0381]
l
b1
的例子及优选的范围与l
a
的例子及优选的范围相同。
[0382]
r
”’
的例子及优选的范围与r’的例子及优选的范围相同。
[0383]
x”的例子及优选的范围与x’的例子及优选的范围相同。
[0384]
作为具有选自交联性基团a组中的交联性基团的低分子化合物，例如可以举出以下所示的低分子化合物。
[0385]
[化40]
[0386][0387]
＜发光元件＞
[0388]
本实施方式的发光元件是具有阳极、阴极、设于阳极与阴极之间的第1层、和设于阳极与第1层之间的第2层的发光元件，并且是第2层为含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的层、在第1层及第2层的至少1层中含有式(t
‑
1)所示的化合物的发光元件。
[0389]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，更优选在第1层中含有式(t
‑
1)所示的化合物。
[0390]
＜第2层＞
[0391]
本实施方式的发光元件中，第2层是含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的层。第2层可以单独含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的1种，也可以含有2种以上。
[0392]
在本实施方式的发光元件的第2层中，具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量只要是发挥作为第2层的功能的范围即可。例如，具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量以第2层的总量基准计可以为1质量％以上且100质量％以下，优选为30质量％以上且100质量％以下，更优选为60质量％以上且100质量％以下，进一步优选为90质量％以上且100质量％以下，特别优选为100质量％。
[0393]
本实施方式的发光元件中，在第2层含有式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，第2层可以单独含有式(t
‑
1)所示的化合物的1种，也可以含有2种以上。
[0394]
本实施方式的发光元件中，在第2层含有式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，对于式(t
‑
1)所示的化合物的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常为1质量份以上且1000质量份以下。
[0395]
[组合物2]
[0396]
第2层可以是含有如下组合物(以下也称作“组合物2”。)的层，所述组合物包含具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体、和选自式(t
‑
1)所示的化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂中的至少1种。但是，在组合物2中，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及发光材料与具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体及式(t
‑
1)所示的
化合物不同。
[0397]
[空穴传输材料]
[0398]
空穴传输材料被分类为低分子化合物和高分子化合物，优选为高分子化合物。空穴传输材料任选具有交联性基团。
[0399]
作为低分子化合物，例如可以举出三苯基胺及其衍生物、n，n
’‑
二
‑1‑
萘基
‑
n，n
’‑
二苯基联苯胺(α
‑
npd)、以及n，n
’‑
二苯基
‑
n，n
’‑
二(间甲苯基)联苯胺(tpd)等芳香族胺化合物。
[0400]
作为高分子化合物，例如可以举出聚乙烯基咔唑及其衍生物；在侧链或主链具有芳香族胺结构的聚芳撑及其衍生物。高分子化合物任选为键合有电子接受性部位的化合物。作为电子接受性部位，例如可以举出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。
[0401]
在组合物2中，对于空穴传输材料的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常为1质量份以上且1000质量份以下。
[0402]
空穴传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0403]
[电子传输材料]
[0404]
电子传输材料被分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料任选具有交联性基团。
[0405]
作为低分子化合物，例如可以举出以8
‑
羟基喹啉作为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯并醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二苯基二氰基乙烯及联苯醌、以及它们的衍生物。
[0406]
作为高分子化合物，例如可以举出聚苯撑、聚芴、以及它们的衍生物。高分子化合物任选由金属掺杂。
[0407]
在组合物2中，对于电子传输材料的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常为1质量份以上且1000质量份以下。
[0408]
电子传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0409]
[空穴注入材料及电子注入材料]
[0410]
空穴注入材料及电子注入材料分别被分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料任选具有交联性基团。
[0411]
作为低分子化合物，例如可以举出铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等的金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。
[0412]
作为高分子化合物，例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯撑乙烯撑、聚噻吩乙烯撑、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。
[0413]
在组合物2中，对于空穴注入材料及电子注入材料的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常分别为1质量份以上且1000质量份以下。
[0414]
电子注入材料及空穴注入材料分别可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0415]
[离子掺杂]
[0416]
在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1
×
10
‑5s/cm以上且1
×
103s/cm以下。为了将导电性高分子的电导率设为该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。
[0417]
对于所掺杂的离子的种类，若为空穴注入材料，则为阴离子，若为电子注入材料，则为阳离子。作为阴离子，例如可以举出聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子。作为阳离子，例如可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。
[0418]
所掺杂的离子可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0419]
[发光材料]
[0420]
发光材料被分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料任选具有交联性基团。
[0421]
作为低分子化合物，例如可以举出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以铱、铂或铕作为中心金属的磷光发光性化合物。
[0422]
作为磷光发光性化合物，例如可以举出以下所示的金属络合物、以及式(1)所示的金属络合物。
[0423]
[化41]
[0424][0425]
作为高分子化合物，例如可以举出包含亚苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、蒽二基及芘二基等亚芳基；从芳香族胺中去掉2个氢原子而成的基团等芳香族胺残基；以及咔唑二基、吩噁嗪二基及吩噻嗪二基等2价的杂环基的高分子化合物。
[0426]
在组合物2中，对于发光材料的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常为1质量份以上且1000质量份以下。
[0427]
发光材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0428]
[抗氧化剂]
[0429]
抗氧化剂只要是可溶于与具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物相同的溶剂中、且不阻碍发光及电荷传输的化合物即可，例如可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。
[0430]
在组合物2中，对于抗氧化剂的配合量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体的含量设为100质量份的情况下，通常为0.001质量份以上且10质量份以下。
[0431]
抗氧化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0432]
[墨液2]
[0433]
第2层例如可以使用含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物和溶
剂的组合物(以下也称作“墨液2”。)来形成。墨液2可以合适地用于旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法等湿式法中。
[0434]
墨液2的粘度只要根据湿式法的种类来调整即可，然而在应用于喷墨印刷法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，为了不易引起喷出时的堵塞和飞行弯曲，优选在25℃时为1mpa
·
s以上且20mpa
·
s以下。
[0435]
墨液2中含有的溶剂优选为能够将墨液中的固体成分溶解或均匀地分散的溶剂。作为溶剂，例如可以举出氯系溶剂、醚系溶剂、芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、多元醇系溶剂、醇系溶剂、亚砜系溶剂及酰胺系溶剂。溶剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0436]
在墨液2中，对于溶剂的含量，在将具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的含量设为100质量份的情况下，通常为1000质量份以上且100000质量份以下。
[0437]
＜第1层＞
[0438]
本实施方式的发光元件中，第1层及第2层中的至少1层含有式(t
‑
1)所示的化合物，然而为了使本实施方式的发光元件的发光效率优异，优选第1层含有式(t
‑
1)所示的化合物。第1层可以单独含有式(t
‑
1)所示的化合物的1种，也可以含有2种以上。
[0439]
本实施方式的发光元件中，在第1层含有式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，式(t
‑
1)所示的化合物的含量只要是发挥作为第1层的功能的范围即可。例如，式(t
‑
1)所示的化合物的含量以第1层的总量基准计可以为1质量％以上且100质量％以下，优选为30质量％以上且100质量％以下，更优选为60质量％以上且100质量％以下，进一步优选为90质量％以上且100质量％以下，特别优选为100质量％。
[0440]
[组合物1]
[0441]
在第1层含有式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，第1层可以是含有如下组合物(以下也称作“组合物1”。)的层，所述组合物包含式(t
‑
1)所示的化合物、和选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂中的至少1种材料。但是，在组合物1中，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及发光材料与式(t
‑
1)所示的化合物不同。
[0442]
组合物1中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的例子及优选的范围与组合物2中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的例子及优选的范围相同。
[0443]
在组合物1中，对于空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的含量，在将式(t
‑
1)所示的化合物设为100质量份的情况下，通常分别为1质量份以上且1000质量份以下。
[0444]
组合物1中含有的抗氧化剂的例子及优选的范围与组合物2中含有的抗氧化剂的例子及优选的范围相同。在组合物1中，对于抗氧化剂的含量，在将式(t
‑
1)所示的化合物设为100质量份的情况下，通常为0.001质量份以上且10质量份以下。
[0445]
在第1层含有式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，第1层例如可以使用含有式(t
‑
1)所示的化合物和溶剂的组合物(以下也称作“墨液1”。)来形成。墨液1可以合适地用于墨液2一项中说明的湿式法中。墨液1的粘度的优选的范围与墨液2的粘度的优选的范围相同。墨液1
中含有的溶剂的例子及优选的范围与墨液2中含有的溶剂的例子及优选的范围相同。
[0446]
在墨液1中，对于溶剂的含量，在将式(t
‑
1)所示的化合物设为100质量份的情况下，通常为1000质量份以上且100000质量份以下。
[0447]
＜第3层＞
[0448]
本实施方式的发光元件优选还具有设于阳极与阴极之间的第3层。第3层优选为含有发光材料的层。在第3层为含有发光材料的层的情况下，第3层可以单独含有发光材料的1种，也可以含有2种以上。第3层中任选含有的发光材料的例子及优选的范围与组合物2中含有的发光材料的例子及优选的范围相同。
[0449]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，第3层中任选含有的发光材料优选为式(1)所示的金属络合物。
[0450]
在第3层为含有发光材料的层的情况下，发光材料的含量只要是发挥作为第3层的功能的范围即可。例如，发光材料的含量以第3层的总量基准计可以为0.1质量％以上且100质量％以下，优选为1质量％以上且70质量％以下，更优选为5质量％以上且50质量％以下，进一步优选为10质量％以上且35质量％以下。
[0451]
本实施方式的发光元件中，第3层任选含有式(h
‑
1)所示的化合物或式(t
‑
1)所示的化合物。本实施方式的发光元件中，在第3层含有式(h
‑
1)所示的化合物或式(t
‑
1)所示的化合物的情况下，这些化合物优选作为后述的主体材料在第3层中含有。第3层可以单独含有式(h
‑
1)所示的化合物的1种，也可以含有2种以上。第3层可以单独含有式(t
‑
1)所示的化合物的1种，也可以含有2种以上。
[0452]
[主体材料]
[0453]
在第3层为含有发光材料的层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，第3层优选还包含具有选自空穴注入性、空穴传输性、电子注入性及电子传输性中的至少1个功能的主体材料。第3层可以单独含有主体材料的1种，也可以含有2种以上。
[0454]
在第3层为含有发光材料及主体材料的层的情况下，对于主体材料的含量，在将发光材料及主体材料的合计的含量设为100质量份的情况下，通常为1质量份以上且99质量份以下，优选为10质量份以上且95质量份以下，更优选为30质量份以上且90质量份以下，进一步优选为50质量份以上且85质量份以下。
[0455]
对于主体材料所具有的最低激发三重态(t1)，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选为比发光材料所具有的最低激发三重态(t1)高的能级。
[0456]
作为主体材料，为了能够利用湿式法制作本实施方式的发光元件，优选对于能够溶解发光材料的溶剂显示出溶解性的材料。
[0457]
主体材料被分类为低分子化合物(低分子主体)和高分子化合物(高分子主体)，第3层任选含有任意的主体材料。作为第3层中任选含有的主体材料，优选低分子化合物。
[0458]
低分子主体例如可以举出后述的作为空穴传输材料的低分子化合物、以及后述的作为电子传输材料的低分子化合物，优选为式(h
‑
1)所示的化合物或式(t
‑
1)所示的化合物，更优选为式(h
‑
1)所示的化合物。
[0459]
作为高分子主体，例如可以举出后述的作为空穴传输材料的高分子化合物、以及后述的作为电子传输材料的高分子化合物。
[0460]
[组合物3]
[0461]
第3层可以是含有如下组合物(以下也称作“组合物3”。)的层，所述组合物包含发光材料、和选自前述的主体材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及抗氧化剂中的至少1种。
[0462]
组合物3中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的例子及优选的范围与组合物3中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的例子及优选的范围相同。
[0463]
在组合物3中，对于空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的含量，在将发光材料设为100质量份的情况下，通常分别为1质量份以上且10000质量份以下。
[0464]
组合物3中含有的抗氧化剂的例子及优选的范围与组合物3中含有的抗氧化剂的例子及优选的范围相同。在组合物3中，对于抗氧化剂的含量，在将发光材料设为100质量份的情况下，通常为0.00001质量份以上且10质量份以下。
[0465]
在第3层中含有发光材料的情况下，第3层例如可以使用含有发光材料和溶剂的组合物(以下也称作“墨液3”。)来形成。墨液3可以合适地用于墨液2一项中说明的湿式法中。墨液3的粘度的优选的范围与墨液2的粘度的优选的范围相同。墨液3中含有的溶剂的例子及优选的范围与墨液2中含有的溶剂的例子及优选的范围相同。
[0466]
在墨液3中，对于溶剂的含量，在将发光材料设为100质量份的情况下，通常为1000质量份以上且1000000质量份以下。
[0467]
＜发光元件的层构成＞
[0468]
图1是本发明的一个方式的发光元件的示意剖视图。图1所示的发光元件10具有阳极11、阴极14、设于阳极11与阴极14之间的第1层13、和设于阳极11与第1层13之间的第2层12。
[0469]
本实施方式的发光元件任选具有阳极11、阴极14、第1层13及第2层12以外的层。
[0470]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，本实施方式的发光元件任选具有阳极11、阴极14、第1层13、第2层12及第3层以外的层。
[0471]
本实施方式的发光元件中，第1层13通常为发光层(以下称作“第1发光层”。)、电子传输层或电子注入层，更优选为电子传输层。
[0472]
本实施方式的发光元件中，第2层12通常为发光层(与第1发光层不同的发光层，以下称作“第2发光层”。)、空穴传输层或空穴注入层，更优选为第2发光层或空穴传输层，进一步优选为空穴传输层。
[0473]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，第3层通常为发光层(与第1发光层及第2发光层不同的发光层，以下称作“第3发光层”。)。
[0474]
本实施方式的发光元件中，第1层13优选为设于阴极14与第2层12之间的第1发光层、电子传输层或电子注入层，更优选为设于阴极14与第2层12之间的电子传输层。
[0475]
本实施方式的发光元件中，第2层12优选为设于阳极11与第1层13之间的第2发光层、空穴传输层或空穴注入层，更优选为设于阳极11与第2层12之间的第2发光层或空穴传输层，进一步优选为设于阳极11与第2层12之间的空穴传输层。
[0476]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，第3层优选为设于第2层12与第1层13之间的层，更优选为设于第2层12与第1层13之间的第3发光层。
[0477]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选第3层与第1层13相邻。
[0478]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，优选第3层与第2层12相邻。
[0479]
本实施方式的发光元件中，在具有第3层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率进一步优异，优选第3层与第1层13及第2层12相邻。
[0480]
本实施方式的发光元件具有第1发光层、第2发光层及第3发光层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选具有第2发光层及第3发光层中的至少1层，更优选具有第3发光层。
[0481]
为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阳极11与第3发光层、第1发光层及第2发光层中的至少1层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阴极14与第3发光层、第1发光层及第2发光层中的至少1层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
[0482]
例如，在本实施方式的发光元件具有第3发光层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阳极11与第3发光层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阴极14与第3发光层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
[0483]
例如，在本实施方式的发光元件具有第1发光层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阳极11与第1发光层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阴极14与第1发光层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
[0484]
例如，在本实施方式的发光元件具有第2发光层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阳极11与第2发光层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阴极14与第2发光层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
[0485]
例如，在本实施方式的发光元件具有第1发光层及第2发光层的情况下，为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阳极11与第2发光层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。为了使本实施方式的发光元件的发光效率更加优异，本实施方式的发光元件优选在阴极14与第1发光层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
[0486]
作为本实施方式的发光元件的具体的层构成，例如可以举出(d1)～(d12)所示的层构成。本实施方式的发光元件通常具有基板，可以在基板上从阳极起层叠，也可以在基板上从阴极起层叠。
[0487]
(d1)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第3发光层(第3层)/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0488]
(d2)阳极/空穴注入层(第2层)/空穴传输层/第3发光层(第3层)/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0489]
(d3)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第3发光层(第3层)/电子传输层/电子注入层(第1层)/阴极
[0490]
(d4)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第3发光层(第3层)/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0491]
(d5)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第3发光层(第3层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极
[0492]
(d6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第2发光层(第2层)/第3发光层(第3层)/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0493]
(d7)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第2发光层(第2层)/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0494]
(d8)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第2发光层/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0495]
(d9)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极
[0496]
(d10)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第3发光层(第3层)/第1发光层/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0497]
(d11)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第2发光层/第3发光层(第3层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极
[0498]
(d12)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第2发光层/第3发光层(第3层)/第1发光层/电子传输层(第1层)/电子注入层/阴极
[0499]
(d1)～(d12)中，“/”表示其前后的层相邻地层叠。具体而言，所谓“空穴传输层(第2层)/第3发光层(第3层)/电子传输层(第1层)”，是指空穴传输层(第2层)与第3发光层(第3层)与电子传输层(第1层)相邻地层叠。
[0500]
本实施方式的发光元件中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、第3发光层、第1发光层、第2发光层、电子传输层、电子注入层及阴极根据需要分别可以设置2层以上。
[0501]
在阳极、空穴注入层、空穴传输层、第3发光层、第1发光层、第2发光层、电子传输层、电子注入层及阴极存在有多个的情况下，它们分别任选相同或不同。
[0502]
阳极、空穴注入层、空穴传输层、第3发光层、第1发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的厚度通常为1nm以上且1μm以下，优选为2nm以上且500nm以下，更优选为5nm以上且150nm以下。
[0503]
本实施方式的发光元件中，层叠的层的顺序、个数、以及厚度只要考虑发光元件的发光效率、驱动电压及元件寿命来调整即可。
[0504]
[第1发光层]
[0505]
第1发光层通常为第1层或含有发光材料的层，优选为含有发光材料的层。在第1发光层为含有发光材料的层的情况下，作为第1发光层中含有的发光材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的发光材料。第1发光层中含有的发光材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0506]
在本实施方式的发光元件具有第1发光层、并且第1层并非后述的电子传输层及后述的电子注入层的情况下，优选第1发光层为第1层。
[0507]
[第2发光层]
[0508]
第2发光层通常为第2层或含有发光材料的层，优选为含有发光材料的层。在第2发光层为含有发光材料的层的情况下，作为第2发光层中含有的发光材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的发光材料。第2发光层中含有的发光材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0509]
在本实施方式的发光元件具有第2发光层、并且第2层并非后述的空穴传输层及后述的空穴注入层的情况下，优选第2发光层为第2层。
[0510]
[空穴传输层]
[0511]
空穴传输层通常为第2层或含有空穴传输材料的层，优选为第2层。在空穴传输层为含有空穴传输材料的层的情况下，作为空穴传输层中含有的空穴传输材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的空穴传输材料。空穴传输层中含有的空穴传输材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0512]
在本实施方式的发光元件具有空穴传输层、并且第2层并非前述的第2发光层及后述的空穴注入层的情况下，优选空穴传输层为第2层。
[0513]
[电子传输层]
[0514]
电子传输层通常为第1层或含有电子传输材料的层，优选为第1层。在电子传输层为含有电子传输材料的层的情况下，作为电子传输层中含有的电子传输材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的电子传输材料。电子传输层中含有的电子传输材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0515]
在本实施方式的发光元件具有电子传输层、并且第1层并非前述的第1发光层及后述的电子注入层的情况下，优选电子传输层为第1层。
[0516]
[空穴注入层及电子注入层]
[0517]
空穴注入层为第2层或含有空穴注入材料的层，优选为含有空穴注入材料的层。作为空穴注入层中含有的空穴注入材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的空穴注入材料。空穴注入层中含有的空穴注入材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0518]
在本实施方式的发光元件具有空穴注入层、并且第2层并非前述的第2发光层及前述的空穴传输层的情况下，优选空穴注入层为第2层。
[0519]
电子注入层为第1层或含有电子注入材料的层，优选为含有电子注入材料的层。在电子注入层为含有电子注入材料的层的情况下，作为电子注入层中含有的电子注入材料，例如可以举出前述的组合物2任选含有的电子注入材料。电子注入层中含有的电子注入材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。
[0520]
在本实施方式的发光元件具有电子注入层、并且第1层并非前述的第1发光层及前述的电子传输层的情况下，优选电子注入层为第1层。
[0521]
[基板/电极]
[0522]
发光元件的基板只要是能够形成电极、并且在形成层时不发生化学变化的基板即可，例如可以是由玻璃、塑料、硅等材料形成的基板。在使用不透明的基板的情况下，优选距离基板最远的电极透明或半透明。
[0523]
作为阳极的材料，例如可以举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(apc)；nesa、金、铂、银、铜。
[0524]
作为阴极的材料，例如可以举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；它们当中的2种以上的合金；它们当中的1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡当中的1种以上的合金；以及石墨及石墨层间化合物。作为合金，例如可以举出镁
‑
银合金、镁
‑
铟合金、镁
‑
铝合金、铟
‑
银合金、锂
‑
铝合金、锂
‑
镁合金、锂
‑
铟合金、钙
‑
铝合金。
[0525]
本实施方式的发光元件中，阳极及阴极的至少一方通常透明或半透明，然而优选阳极透明或半透明。
[0526]
作为阳极及阴极的形成方法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀覆法及层压法。
[0527]
[发光元件的制造方法]
[0528]
本实施方式的发光元件中，作为第1层、第2层、第3层、以及其他层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可以举出真空蒸镀法等干式法及墨液2一项中说明的湿式法，另外，在使用高分子化合物的情况下，例如可以举出墨液2一项中说明的湿式法。第1层、第2层、第3层、以及其他层可以使用上述的各种墨液、包含各种材料的墨液利用前述的墨液2一项中说明的湿式法来形成，也可以利用真空蒸镀法等干式法来形成。
[0529]
在利用湿式法形成第1层的情况下，优选使用墨液1。为了使本实施方式的发光元件的制造变得容易，优选利用湿式法来形成第1层。例如，在第2层(或第3层)上利用与第2层(或第3层)的溶解性的差来层叠第1层的情况下，使用相对于第2层(或第3层)而言溶解性低的溶液，由此使得层叠第1层变得容易。
[0530]
在利用湿式法形成第2层的情况下，优选使用墨液2。为了使本实施方式的发光元件的制造变得容易，优选利用湿式法来形成第2层。
[0531]
在形成第2层后，通过进行加热或光照射，可以使第2层中含有的具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物交联。优选在形成第2层后进行加热从而使第2层中含有的具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物交联。由于第2层以交联了的状态(具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物的交联体)含有具有选自交联性基团a组中的交联性基团的化合物，因此第2层在实质上不溶于溶剂中。由此，第2层可以合适地用于发光元件的层叠化中。
[0532]
用于交联的加热的温度通常为25℃～300℃，优选为50℃～260℃，更优选为130℃～230℃，进一步优选为180℃～210℃。
[0533]
加热的时间通常为0.1分钟～1000分钟，优选为0.5分钟～500分钟，更优选为1分钟～120分钟，进一步优选为10分钟～60分钟。
[0534]
光照射中使用的光的种类例如为紫外光、近紫外光、可见光。
[0535]
在利用湿式法形成第3层的情况下，优选使用墨液3。为了使本实施方式的发光元件的制造变得容易，优选利用湿式法来形成第3层。
[0536]
本实施方式的发光元件例如可以通过在基板上依次层叠各层而制造。具体而言，在基板上设置阳极，在其上设置空穴注入层、空穴传输层等层，在其上设置发光层，在其上设置电子传输层、电子注入层等层，进一步在其上层叠阴极，由此可以制造发光元件。作为
另一制造方法，在基板上设置阴极，在其上设置电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等层，进一步在其上层叠阳极，由此可以制造发光元件。作为再另一制造方法，可以通过将阳极或在阳极上层叠有各层的阳极侧基材与阴极或在阴极上层叠有各层的阴极侧基材相面对地接合而制造。
[0537]
在本实施方式的发光元件的制作中，在空穴注入层的形成中使用的材料、发光层的形成中使用的材料、空穴传输层的形成中使用的材料、电子传输层的形成中使用的材料、以及电子注入层的形成中使用的材料各自溶解于与空穴注入层、发光层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层相邻的层的形成时使用的溶剂中的情况下，优选避免该材料溶解于该溶剂中。作为避免材料的溶解的方法，优选i)使用具有交联性基团的材料的方法、或ii)在相邻的层的向溶剂中的溶解性方面设置差别的方法。上述i)的方法中，在使用具有交联性基团的材料形成层后，使该交联性基团交联，由此可以使该层不溶化。另外，作为上述ii)的方法，例如在发光层上利用溶解性的差层叠电子传输层的情况下，可以通过使用在发光层中的溶解性低的墨液而将电子传输层层叠于发光层上。
[0538]
[发光元件的用途]
[0539]
为了使用发光元件得到面状的发光，只要以使面状的阳极与阴极重合的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有在面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法、极厚地形成想要制成非发光部的层而实质上设为非发光的方法、以图案状形成阳极或阴极、或双方的电极的方法。利用这些方法的任意方法形成图案，以能够独立地开关(on/off)的方式配置若干电极，由此可以得到能够显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了制成点矩阵显示装置，只要将阳极和阴极都以条纹状形成并正交地配置即可。利用分别涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色片或荧光转换滤光片的方法，可以实现部分彩色显示、多色显示。点矩阵显示装置既能够进行无源驱动，也能够与tft等组合而进行有源驱动。这些显示装置可以在计算机、电视、便携终端等的显示器中使用。面状的发光元件可以作为液晶显示装置的背光用的面状光源、或面状的照明用光源合适地使用。若使用柔性的基板，则也可以作为曲面状的光源及显示装置使用。
[0540]
实施例
[0541]
以下，利用实施例对本发明进一步详细说明，然而本发明并不限定于这些实施例。
[0542]
在实施例中，高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量(mn)及聚苯乙烯换算的重均分子量(mw)是使用四氢呋喃作为流动相、利用尺寸排除色谱(sec)求出的。sec的测定条件如下所示。
[0543]
将所测定的高分子化合物以约0.05质量％的浓度溶解于四氢呋喃中，向sec中注入10μl。以2.0ml/分钟的流量流过流动相。使用plgel mixed
‑
b(polymer laboratories制)作为色谱柱。检测器使用uv
‑
vis检测器(岛津制作所制、商品名：spd
‑
10avp)。
[0544]
利用下述的方法测定lc
‑
ms。
[0545]
将测定试样以达到约2mg/ml的浓度的方式溶解于四氢呋喃中，向lc
‑
ms(agilent制、商品名：1290infinity lc及6230tof lc/ms)中注入约1μl。在lc
‑
ms的流动相中，在改变乙腈与四氢呋喃的比率的同时使用它们，以1.0ml/分钟的流量流过。色谱柱使用sumipax ods z
‑
clue(住化分析中心制、内径：4.6mm、长度：250mm、粒径3μm)。
[0546]
利用下述的方法测定nmr。
[0547]
将5～10mg的测定试样溶解于约0.5ml的氘代四氢呋喃中，使用nmr装置(jeol resonance制、商品名：jnm
‑
ecz400s/l1)进行测定。
[0548]
使用高效液相色谱(hplc)面积百分率的值作为化合物的纯度的指标。该值只要没有特别记载，就是hplc(岛津制作所制、商品名：lc
‑
20a)中的uv＝254nm处的值。此时，将所测定的化合物以达到0.01～0.2质量％的浓度的方式溶解于四氢呋喃中，根据浓度向hplc中注入1～10μl。在hplc的流动相中，在以100/0～0/100(容积比)改变乙腈/四氢呋喃的比率的同时使用它们，以1.0ml/分钟的流量流过。色谱柱使用sumipax ods z
‑
clue(住化分析中心制、内径：4.6mm、长度：250mm、粒径3μm)。检测器使用发光二极管阵列检测器(岛津制作所制、商品名：spd
‑
m20a)。
[0549]
＜合成例m＞化合物m1～m11的合成
[0550]
依照国际公开第2015/145871号中记载的方法合成化合物m1。
[0551]
依照国际公开第2013/146806号中记载的方法合成化合物m2。
[0552]
依照国际公开第2005/049546号中记载的方法合成化合物m3。
[0553]
依照日本特开2010
‑
189630号公报中记载的方法合成化合物m4。
[0554]
依照国际公开第2002/045184号中记载的方法合成化合物m5、化合物m6及化合物m9。
[0555]
依照国际公开第2011/049241号中记载的方法合成化合物m7。
[0556]
依照日本特开2011
‑
174062号公报中记载的方法合成化合物m8。
[0557]
依照日本特开2008
‑
106241号公报中记载的方法合成化合物m10。
[0558]
依照日本特开2010
‑
215886号公报中记载的方法合成化合物m11。
[0559]
[化42]
[0560][0561]
[化43]
[0562][0563]
[化44]
[0564][0565]
＜合成例htl
‑
1＞高分子化合物htl
‑
1的合成
[0566]
使用化合物m1、化合物m2及化合物m3，依照国际公开第2015/145871号中记载的方法合成高分子化合物htl
‑
1。高分子化合物htl
‑
1的mn为2.3
×
104，mw＝1.2
×
105。
[0567]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
1是由化合物m1衍生的构成单元、由化合物m2衍生的构成单元、和由化合物m3衍生的构成单元以45：5：50的摩尔比构成的共聚物。
[0568]
＜合成例htl
‑
2＞高分子化合物htl
‑
2的合成
[0569]
使用化合物m5、化合物m6及化合物m7，依照国际公开第2011/049241号中记载的方法合成高分子化合物htl
‑
2。高分子化合物htl
‑
2的mn为8.9
×
104，mw＝4.2
×
105。
[0570]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
2是由化合物m5衍生的构成单元、由化合物m6衍生的构成单元、和由化合物m7衍生的构成单元以50：42.5：7.5的摩尔比构成的共聚物。
[0571]
＜合成例htl
‑
3＞高分子化合物htl
‑
3的合成
[0572]
使用化合物m8、化合物m3、化合物m9及化合物m10，依照日本特开2012
‑
144722号公报中记载的方法合成高分子化合物htl
‑
3。高分子化合物htl
‑
3的mn为7.8
×
104，mw为2.6
×
105。
[0573]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
3是由化合物m8衍生的构成单元、由化合物m3衍生的构成单元、由化合物m9衍生的构成单元、和由化合物m10衍生的构成单元以50：30：12.5：7.5的摩尔比构成的共聚物。
[0574]
＜合成例htl
‑
c1＞高分子化合物htl
‑
c1的合成
[0575]
使用化合物m4及化合物m3，依照国际公开第2015/194448号中记载的方法合成高分子化合物htl
‑
c1。高分子化合物htl
‑
c1的mn为4.5
×
104，mw为1.5
×
105。
[0576]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
c1是由化合物m4衍生的构成单元、和由化合物m3衍生的构成单元以50：50的摩尔比构成的共聚物。
[0577]
＜合成例htl
‑
c2＞高分子化合物htl
‑
c2的合成
[0578]
使用化合物m5及化合物m6，依照日本特开2012
‑
36381号公报中记载的方法合成高
分子化合物htl
‑
c2。高分子化合物htl
‑
c2的mn为8.1
×
104，mw为3.4
×
105。
[0579]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
c2是由化合物m5衍生的构成单元、和由化合物m6衍生的构成单元以50：50的摩尔比构成的共聚物。
[0580]
＜合成例htl
‑
c3＞高分子化合物htl
‑
c3的合成
[0581]
使用化合物m8、化合物m3、化合物m9及化合物m11，依照日本特开2012
‑
144722号公報中记载的方法合成高分子化合物htl
‑
c3。高分子化合物htl
‑
c3的mn为5.0
×
104，mw为2.5
×
105。
[0582]
以根据投入原料的量求出的理论值计，高分子化合物htl
‑
c3是由化合物m8衍生的构成单元、由化合物m3衍生的构成单元、由化合物m9衍生的构成单元、和由化合物m11衍生的构成单元以50：30：12.5：7.5的摩尔比构成的共聚物。
[0583]
＜化合物hm
‑
1及化合物htm
‑
1＞
[0584]
化合物hm
‑
1及化合物htm
‑
1从luminescence technology公司购入。
[0585]
[化45]
[0586][0587]
＜金属络合物b1、金属络合物r1及化合物et1＞
[0588]
依照国际公开第2006/121811号及日本特开2013
‑
048190号公报中记载的方法合成金属络合物b1。
[0589]
金属络合物r1从american dye source公司购入。
[0590]
[化46]
[0591][0592]
＜合成例et1＞化合物et1及化合物et3的合成
[0593]
依照日本特开2010
‑
235575号公报中记载的方法合成化合物et1及化合物et3。
[0594]
[化47]
[0595][0596]
＜化合物et2＞化合物et2的合成
[0597]
[化48]
[0598][0599]
在将反应容器内设为非活性气体气氛后，加入化合物et2a(8.7g)、化合物et2b(8.1g)、二甲亚砜(218ml)、氧化亚铜(copper(i)oxide)(1.3g)、磷酸三钾(16.7g)及双(三甲基乙酰基)甲烷(3.2g)，在150℃搅拌10小时。将所得的反应液冷却到室温后，加入甲苯及离子交换水，用铺有硅藻土的玻璃过滤器进行过滤。将所得的滤液用离子交换水洗涤后，对所得的有机层进行浓缩，由此得到粗产物。对所得的粗产物利用硅胶柱层析(己烷及乙酸乙酯的混合溶剂)进行纯化，然后，使用乙腈及甲苯的混合溶剂进行晶析。对所得的固体在50℃进行减压干燥，由此得到化合物et2(8.0g)。化合物et2的hplc面积百分率值为99.5％以上。
[0600]
化合物et2的分析结果如下所示。
[0601]
lc
‑
ms(esi，positive)：m/z＝573[m+h]
+
[0602]1h
‑
nmr(400mhz，thf
‑
d8)：δ(ppm)＝1.01(t，3h)，1.58
‑
1.68(m，2h)，1.95
‑
2.05(m，2h)，3.14
‑
3.19(m，2h)，7.32
‑
7.39(m，4h)，7.49
‑
7.57(m，4h)，7.72(s，1h)，7.79
‑
7.88(m，3h)，8.34
‑
8.42(m，3h)，8.55
‑
8.68(m，4h).
[0603]
＜实施例d1＞发光元件d1的制作和评价
[0604]
(阳极及空穴注入层的形成)
[0605]
在玻璃基板上利用溅射法以45nm的厚度安设ito膜，由此形成阳极。在该阳极上，利用旋涂法以35nm的厚度形成作为空穴注入材料的nd
‑
3202(日产化学工业制)的膜。在大气气氛下，在热板上进行50℃、3分钟加热，再进行230℃、15分钟加热，由此形成空穴注入层。
[0606]
(第2层的形成)
[0607]
在二甲苯中以0.7质量％的浓度溶解高分子化合物htl
‑
3。使用所得的二甲苯溶液，在空穴注入层上利用旋涂法以20nm的厚度成膜，在氮气气氛下，在热板上进行180℃、60分钟加热，由此形成第2层(空穴传输层)。通过该加热，高分子化合物htl
‑
3变为交联体。
[0608]
(第3层的形成)
[0609]
向甲苯中以2质量％的浓度溶解化合物hm
‑
1及金属络合物b1(化合物hm
‑
1/金属络合物b1＝75质量％/25质量％)。使用所得的甲苯溶液，在第2层上利用旋涂法以80nm的厚度成膜，在氮气气氛下，进行130℃、10分钟加热，由此形成第3层(发光层)。
[0610]
(第1层的形成)
[0611]
向2，2，3，3，4，4，5，5
‑
八氟
‑1‑
戊醇中，以0.25质量％的浓度溶解化合物et1。使用所得的2，2，3，3，4，4，5，5
‑
八氟
‑1‑
戊醇溶液，在第3层上利用旋涂法以10nm的厚度成膜，在氮气气氛下，进行130℃、10分钟加热，由此形成第1层(电子传输层)。
[0612]
(阴极的形成)
[0613]
将形成有第1层的基板在蒸镀机内减压至1.0
×
10
‑4pa以下后，作为阴极，在第1层上蒸镀约4nm的氟化钠，然后，在氟化钠层上蒸镀约80nm的铝。蒸镀后，使用玻璃基板进行密封，由此制作出发光元件d1。
[0614]
(发光元件的评价)
[0615]
通过对发光元件d1施加电压而观测了el发光。测定出0.1ma/cm2时的发光效率[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。需要说明的是，cie色度坐标(x，y)是基于国际照明委员会cie(commission internationale de l’eclairage)在1931年制定的作为国际表示法的xyz表色系统的xy色度坐标(x，y)。
[0616]
＜实施例d2及比较例cd1～cd2＞发光元件d2、cd1及cd2的制作和评价
[0617]
除了取代实施例d1的(第2层的形成)中的“高分子化合物htl
‑
3”而使用表2中记载的材料以外，与实施例d1同样地制作出发光元件d2、cd1及cd2。
[0618]
通过对发光元件d2、cd1及cd2施加电压而观测了el发光。测定出0.1ma/cm2时的发光效率[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。
[0619]
将实施例d1～d2及比较例cd1～cd2的结果表示于表2中。表示出将发光元件cd1的发光效率设为1.0时的发光元件d1、d2及cd2的发光效率的相对值。
[0620]
[表2]
[0621]
表2
[0622][0623]
＜实施例d3及比较例cd3＞发光元件d3及cd3的制作和评价
[0624]
除了取代实施例d1的(第1层的形成)中的“化合物et1”而使用表3中记载的材料、以及取代实施例d1的(第2层的形成)中的“高分子化合物htl
‑
3”而使用表3中记载的材料以外，与实施例d1同样地制作出发光元件d3及cd3。
[0625]
通过对发光元件d3及cd3施加电压而观测了el发光。测定出3ma/cm2时的发光效率
[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。
[0626]
将实施例d3及比较例cd3的结果表示于表3中。表示出将发光元件cd3的发光效率设为1.0时的发光元件d3的发光效率的相对值。
[0627]
[表3]
[0628]
表3
[0629][0630]
＜实施例d4及比较例cd4＞发光元件d4及cd4的制作和评价
[0631]
除了取代实施例d1的(第1层的形成)中的“化合物et1”而使用表4中记载的材料、以及取代实施例d1的(第2层的形成)中的“高分子化合物htl
‑
3”而使用表4中记载的材料以外，与实施例d1同样地制作出发光元件d4及cd4。
[0632]
通过对发光元件d4及cd4施加电压而观测了el发光。测定出2ma/cm2时的发光效率[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。
[0633]
将实施例d4及比较例cd4的结果表示于表4中。表示出将发光元件cd4的发光效率设为1.0时的发光元件d4的发光效率的相对值。
[0634]
[表4]
[0635]
表4
[0636][0637]
＜实施例d5及比较例cd5＞发光元件d5及cd5的制作和评价
[0638]
除了取代实施例d1的(第2层的形成)中的“高分子化合物htl
‑
3”而使用表5中记载的材料以外，与实施例d1同样地制作出发光元件d5及cd5。
[0639]
通过对发光元件d5及cd5施加电压而观测了el发光。测定出1ma/cm2时的发光效率[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。
[0640]
将实施例d5及比较例cd5的结果表示于表5中。表示出将发光元件cd5的发光效率设为1.0时的发光元件d5的发光效率的相对值。
[0641]
[表5]
[0642]
表5
[0643][0644]
＜实施例d6及比较例cd6＞发光元件d6及cd6的制作和评价
[0645]
除了取代实施例d1的(第2层的形成)中的“高分子化合物htl
‑
3”而使用表5中记载的材料、以及取代实施例d1的(第3层的形成)中的“化合物hm
‑
1及金属络合物b1”而使用表6中记载的材料以外，与实施例d1同样地制作出发光元件d6及cd6。
[0646]
通过对发光元件d6及cd6施加电压而观测了el发光。测定出0.02ma/cm2时的发光效率[cd/a]及cie色度坐标(x，y)。
[0647]
将实施例d6及比较例cd6的结果表示于表6中。表示出将发光元件cd6的发光效率设为1.0时的发光元件d6的发光效率的相对值。
[0648]
[表6]
[0649]
表6
[0650][0651]
产业上的可利用性
[0652]
根据本发明，可以提供发光效率优异的发光元件。
[0653]
附图标记说明
[0654]
10发光元件，11阳极，12第2层，13第1层，14阴极。