1.一种装置，其包括：
垂直晶体管，其包括：
半导电支柱，其包括：
源极区域；
漏极区域；及
沟道区域，其在所述源极区域与所述漏极区域之间垂直延伸，所述沟道区域包括具有大于1.65电子伏特的带隙的半导电材料；
至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电支柱；
栅极电介质材料，其横向介于所述半导电支柱与所述至少一个栅极电极之间；及
空隙空间，其垂直邻近所述栅极电介质材料且横向介于所述至少一个栅极电极与所述半导电支柱的所述源极区域及所述漏极区域中的每一者之间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极电介质材料的高度与所述至少一个栅极电极的高度的比率是在从约1:2到约1:10的范围内。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极电介质材料的高度与所述至少一个栅极电极的高度的比率是约1:3。
4.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：
第一空隙空间，其垂直位于所述栅极电介质材料的一部分上方且横向介于所述源极区域与所述至少一个栅极电极之间；及
第二空隙空间，其垂直位于栅极电介质材料的另一部分下方且横向介于所述漏极区域与所述至少一个栅极电极之间。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一空隙空间及所述第二空隙空间中的每一者具有在从约
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域的高度是在从约
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域的高度与所述至少一个栅极电极的高度的比率是大于1:2。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域包括zto、izo、znox、igzo、igso、inox、in2o3、sno2、tiox、znxoynz、mgxznyoz、inxznyoz、inxgayznzoa、zrxinyznzoa、hfxinyznzoa、snxinyznzoa、alxsnyinzznaod、sixinyznzoa、znxsnyoz、alxznysnzoa、gaxznysnzoa、zrxznysnzoa及ingasio中的一或多者。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域包括基于硫属元素的材料。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域的所述半导电材料无掺杂物。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极电介质材料的厚度是在从约
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述垂直晶体管经配置以在小于或等于约1.9v的电压施加到所述至少一个栅极电极之后切换到“接通”状态。
13.一种电子系统，其包括：
输入装置；
输出装置；
处理器装置，其可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置；及
根据权利要求1所述的装置，其可操作地耦合到所述处理器装置。
14.根据权利要求13所述的电子系统，其中所述装置进一步包括数字线，所述垂直晶体管垂直上覆于所述数字线。
15.一种操作根据权利要求1所述的装置的方法，其包括将小于或等于约1.9v的电压施加到所述至少一个栅极电极以将所述垂直晶体管从“关断”状态切换到“接通”状态。
16.一种制造装置的方法，其包括：
形成堆叠，所述堆叠包括第一导电材料、在所述第一导电材料上的具有大于1.65电子伏特的带隙的半导电材料及在所述半导电材料上的第二导电材料；
图案化所述第一导电材料、所述半导电材料及所述第二导电材料以形成包括漏极区域、沟道区域及源极区域的半导电支柱；
在所述半导电支柱上方形成栅极电介质材料及栅极电极材料中的每一者，所述栅极电介质材料介于所述栅极电极材料与所述半导电支柱之间；及
移除所述栅极电介质材料及栅极电极材料的部分以形成栅极电介质结构及栅极电极，空隙空间定位成垂直邻近所述栅极电介质结构且横向介于所述栅极电极与所述半导电支柱的所述源极区域及所述漏极区域中的每一者之间。
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括选择所述半导电材料以包括氧化物半导体材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中选择所述半导电材料以包括氧化物半导体材料包括选择所述半导电材料以包括znxsnyo、inxznyo、znxo、inxgayznzo、inxgaysizoa、inxo、snxo、tixo、znxonz、mgxznyo、zrxinyznzo、hfxinyznzo、snxinyznzo、alxsnyinzznao、sixinyznzo、alxznysnzo、gaxznysnzo、zrxznysnzo及inxgaysizo中的一或多者。
19.根据权利要求16所述的方法，其中移除所述栅极电介质材料及所述栅极电极材料的部分以形成所述栅极电介质结构及所述栅极电极包括形成所述栅极电介质结构及所述栅极电极使得所述栅极电介质结构的高度与所述栅极电极的高度的比率是在从约1:2到约1:10的范围内。