测试结构及其测试方法与流程

文档序号:26270872发布日期:2021-08-13 19:24阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种测试结构,其特征在于,包括:

第一子测试结构,包括第一串联结构,所述第一串联结构包括第一加热器,以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层,所述第一加热器的电阻值为待测阻值;

第二子测试结构,包括第二串联结构,所述第二串联结构包括第二加热器,以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层,所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同,所述第二加热器的阻值与所述第一加热器的阻值之比小于设定值;以及

所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。

2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述设定值的范围为10~100。

3.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第二相变层在所述第二加热器顶部表面的投影位于所述第二加热器顶部表面内。

4.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一子测试结构还包括:分别电连接至所述第一串联结构两端的第一输入端和第一输出端;所述第二子测试结构还包括分别电连接至所述第二串联结构两端的第二输入端和第二输出端。

5.根据权利要求4所述的测试结构,其特征在于,所述第一串联结构的两端还分别电连接至第一输入电压感应端和第一输出电压感应端;所述第二串联结构的两端还分别电连接至第二输入电压感应端和第二输出电压感应端。

6.根据权利要求4所述的测试结构,其特征在于,所述第一子测试结构的第一输入端与所述第二子测试结构的第二输入端为共享输入端。

7.一种测试方法,其特征在于,包括:

提供如权利要求1所述的测试结构;

获取所述第一子测试结构对应的第一电阻值,所述第一电阻值至少包括所述第一相变层和第一加热器的串联电阻值;

获取所述第二子测试结构对应的第二电阻值,所述第二电阻值至少包括第二相变层和第二加热器的串联电阻值;

计算所述第一电阻值和第二电阻值的差值,以所述差值作为所述第一加热器的阻值。

8.根据权利要求7所述的测试方法,其特征在于,获取所述第一电阻值和第二电阻值的方法包括:分别向所述第一子测试结构和第二子测试结构内输入测试电流,形成分别流经所述第一子测试结构和第二子测试结构的电流通路;根据所述电流通路两端的电压差值,以及对应的测试电流值,分别计算得到所述第一电阻值和所述第二电阻值。

9.根据权利要求7所述的测试方法,其特征在于,所述测试电流的范围为控制使流入相变层的电流密度为10~20ma/cm2以下。

10.根据权利要求7所述的测试方法,其特征在于,所述测试电流小于使得所述第一相变层和所述第二相变层发生相变的电流阈值。


技术总结
本发明涉及一种测试结构及其测试方法,所述测试结构包括:第一子测试结构,包括第一串联结构,所述第一串联结构包括第一加热器,以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层,所述第一加热器的电阻值为待测阻值;第二子测试结构,包括第二串联结构,所述第二串联结构包括第二加热器,以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层,所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同,所述第二加热器的阻值与所述第一加热器的阻值之比小于设定值;以及所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。上述测试结构及其测试方法能够准确测量相变存储单元内加热器的阻值。

技术研发人员:廖昱程;刘峻志;张雄世;张明丰
受保护的技术使用者:江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
技术研发日:2020.02.12
技术公布日:2021.08.13
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