电子设备的制作方法

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种电子设备。

背景技术：

随着移动通信技术的发展，传统的第四代(4th-generation，4g)移动通信已经不能够满足人们的要求。第五代(5th-generation，5g)移动通信由于具有较高的通信速度，可而备受用户青睐。比如，利用5g移动通信传输数据时的传输速度比4g移动通信传输数据的速度快数百倍。毫米波信号是实现5g移动通信的主要手段，然而，当毫米波天线应用于电子设备时，毫米波天线通常设置于电子设备内部的收容空间中，毫米波信号天线透过电子设备而辐射出去的透过率较低，达不到天线辐射性能的要求。或者，外部的毫米波信号穿透电子设备的透过率较低。由此可见，现有技术中，5g毫米波信号的通信性能较差。

技术实现要素：

本申请提供一种电子设备，所述电子设备包括：

天线模组，所述天线模组用于在预设方向范围内收发预设频段的电磁波信号；

中框，所述中框的至少部分位于所述预设方向范围内，且所述中框的所述至少部分对预设频段的电磁波信号具有第一透过率；

透波颗粒，所述透波颗粒掺杂于所述中框位于所述预设方向范围内的所述至少部分中，所述电子设备在所述透波颗粒对应的区域内对预设频段的电磁波信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。

本申请提供的电子设备的中框中增加了透波颗粒，使得电子设备对应所述透波颗粒处的透过率增加，从而升了所述电子设备的通信性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。

图2为一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图3为天线模组收发预设频段的电磁波信号的示意图。

图4为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图5为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图6为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图7为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图8为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图9为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。

图10为本申请一实施例中电子设备的电路框图。

图11为本申请另一实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请提供了一种电子设备1，所述电子设备1可以为但不仅限于为任何具备通信功能的设备。例如：平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人计算机(personalcomputer，pc)、笔记本电脑、车载设备、网络电视、可穿戴设备等具有通信功能的智能设备。请一并参阅图1、图2及图3。图1为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图；图2为一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意；图3为天线模组收发预设频段的电磁波信号的示意图。所述电子设备1包括：天线模组10、中框20、及透波颗粒31。所述天线模组10用于在预设方向范围内收发预设频段的电磁波信号。所述中框20的至少部分位于所述预设方向范围内，且所述中框20的所述至少部分对预设频段的电磁波信号具有第一透过率。所述透波颗粒31掺杂于所述中框20位于所述预设方向范围内的所述至少部分中，所述电子设备1在所述透波颗粒31对应的区域内对预设频段的电磁波信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

所述预设方向范围是指所述天线模组10收发电磁波信号的范围。当所述天线模组10收发电磁波信号时，在预设方向电磁波信号的强度最好，相较于预设方向在立体空间内偏移预设度数时，所述天线模组10收电磁波信号的信号强度也较高，因此，所述预设方向范围为包括所述预设方向以及相较于预设方向偏移预设度数的范围。预设方向可以为垂直于所述天线模组10收发电磁波信号的收发面的方向。在图3中，以虚线a为预设方向，虚线b和虚线c分别和虚线a呈现一定夹角，在本实施例中，虚线b和虚线c分别与虚线a之间的度数为β。所述预设范围为虚线b和虚线c之间的范围。

所述电磁波信号可以为但不仅限于为毫米波频段的电磁波信号或者太赫兹频段的电磁波信号。目前，在第五代移动通信技术(5thgenerationwirelesssystems，5g)中，根据3gppts38.101协议的规定，5g新空口(newradio，nr)主要使用两段频率：fr1频段和fr2频段。其中，fr1频段的频率范围是450mhz～6ghz，又叫sub-6ghz频段；fr2频段的频率范围是24.25ghz～52.6ghz，属于毫米波(mmwave)频段。3gpprelease15版本规范了目前5g毫米波频段包括：n257(26.5～29.5ghz),n258(24.25～27.5ghz),n261(27.5～28.35ghz)和n260(37～40ghz)。

掺杂了透波颗粒31的中框20的所述至少部分可以认为是透波结构30，所述透波结构30可以具有单频单极化、单频双极化、双频双极化、双频单极化、宽频单极化、宽频双极化等特性中的任意一种特性。所述透波结构30具有双频谐振响应，或者单频谐振响应，或者宽频谐振响应，或者多频谐振响应中的任意一种。所述透波结构30的材质可以为金属材质，也可以为非金属导电材质。

中框20通常为电子设备1起到支撑作用的框体，所述中框20通常用于支撑电子设备1中的屏幕、电路板等。所述中框20构成电子设备1的地极，所述电子设备1中的需要接地的部件通常电连接于所述中框20。

由于掺杂了透波颗粒31的中框20的所述至少部分可以认为是透波结构，所述透波结构30应用于所述电子设备1使得电磁波信号穿透力提升的原因在于：一、所述透波结构30被所述预设频段的电磁波信号激励，所述透波结构30根据所述预设频段的电磁波信号产生与所述预设频段相同的电磁波信号，且穿透所述电子设备1的电池盖40等其他部件并辐射至自由空间中。由于所述透波结构30被激励而产生所述预设频段同频段的电磁波信号，因此，透过所述电池盖40并辐射至自由空间中预设频段的电磁波信号的量较多，从宏观上体现出设置了所述透波结构30以后，所述电子设备1透过所述预设频段的电磁波信号的量增多。需要说明的是，这里所提到的其他部件是指，预设频段的电磁波信号穿透所述电子设备1至外界时，除了穿透电池盖40之外还穿透的部件；或者，预设频段的电磁波信号由外界被传输至天线模组10时，除了穿透电池盖40之外还穿透的部件。

所述透波结构30应用于电子设备1使得电磁波信号穿透力提升的原因在于：二、所述电子设备1中增加了透波结构30，电子设备1中对应所述透波结构30、所述电池盖40等其他部件的介电常数可以等效于预设材料的介电常数，而预设材料的介电常数对预设频段的电磁波信号的穿透率较高，且所述预设材料的等效波阻抗等于或者近似等于自由空间的等效波阻抗。这里所提到的其他部件和前面所描述的其他部件的定义一样，请参阅前面描述，在此不再赘述。

本申请提供的电子设备1将透波颗粒31掺杂于所述中框20位于所述预设方向范围内的所述至少部分中，构成透波结构30，通过透波结构30的作用使得天线模组10透射至电子设备1的外部的透过率提升，从而可降低对天线模组10收发预设频段的电磁波信号的影响，从而升所述电子设备1的通信性能。

请参阅图4，图4为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。在本实施例中，所述中框20包括导电板210和绝缘部220。所述绝缘部220至少连接于所述导电板210的周缘，且所述透波颗粒31掺杂于所述绝缘部220的至少部分，且掺杂有透波颗粒31的绝缘部220的至少部分位于所述预设方向范围内。

所述导电板210的形状为长方体或者大致为长方体，所述导电板210的材质为金属，比如，铝镁合金，所述导电板210具有较大的结构强度，以支撑所述电子设备1中的屏幕、电路板等。同时，所述导电板210构成电子设备1的地极。

在一种实施例中，所述绝缘部220的材质可以为但不仅限于为塑胶。所述绝缘部220可通过但不限于通过注塑的方式至少连接在所述导电板210的周缘。所述透波颗粒31可以掺杂于所述绝缘部220的至少部分。具体地，在一实施例中，所述透波颗粒31可仅掺杂于所述绝缘部220位于所述天线模组10收发预设频段的电磁波信号的预设方向范围内的部分；而其余的部分不掺杂透波颗粒31，以节约透波颗粒31。在另一实施例中，透波颗粒31掺杂于绝缘部220的所有中。所述透波颗粒31掺杂于绝缘材料中，在注塑形成绝缘部220的时候，所述透波颗粒31边掺杂在了绝缘部220的所有部分中。

请参阅图5，图5为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。在本实施例中，所述中框20包括导电板210和绝缘部220。在本实施例中，所述绝缘部220包括多个第一子绝缘部221，所述多个第一子绝缘部221间隔设置，每个第一子绝缘部221中均掺杂有所述透波颗粒31，掺杂有透波颗粒31的第一子绝缘部221的位于所述预设方向范围内。换而言之，相邻的两个第一子绝缘部221之间具有间隙223，所述间隙将相邻的两个第一子绝缘部221间隔开。

所述多个第一子绝缘部221朝向背离所述天线模组10的方向排布。在一种实施例中，所述多个第一子绝缘部221的排布方向垂直于所述天线模组10的收发预设频段的电磁波信号的收发面，以提升所述透波颗粒31对预设频段的电磁波信号的透波效果。

请参阅图6，图6为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。本实施例提供的电子设备1与图5及其相关描述中的电子设备1基本相同，不同之处在于，在本实施例中，所述绝缘部220包括多个第一子绝缘部221，所述多个第一子绝缘部221间隔设置，每个第一子绝缘部221中均掺杂有所述透波颗粒31，掺杂有透波颗粒31的第一子绝缘部221的位于所述预设方向范围内。所述绝缘部220还包括一个或多个第二子绝缘部222。所述第二子绝缘部222设置于相邻的两个第一子绝缘部221之间，所述第二子绝缘部222未掺杂所述透波颗粒31。

请参阅图7，图7为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。本实施例提供的电子设备1与图6及其相关描述中的电子设备1基本相同，不同之处在于，在本实施例中，所述绝缘部220包括多个第一子绝缘部221，所述多个第一子绝缘部221间隔设置，每个第一子绝缘部221中均掺杂有所述透波颗粒31，掺杂有透波颗粒31的第一子绝缘部221的位于所述预设方向范围内。所述绝缘部220还包括一个或多个第二子绝缘部222。述第二子绝缘部222设置于相邻的两个第一子绝缘部221之间，所述第二子绝缘部222中掺杂的透波颗粒31的浓度与所述第一子绝缘部221中掺杂的透波颗粒31的浓度不同。在本实施例的示意图中以所述第二子绝缘部222中掺杂的透波颗粒31的浓度大于所述第一子绝缘部221中掺杂的透波颗粒31的浓度为例进行示意。

结合上述任一实施例提供的电子设备1，所述绝缘部220的介电常数越大，所述预设频段越往低频偏移，且带宽减小。

需要指出的是，这里所说的所述绝缘部220位是指掺杂有所述透波颗粒31且位于所述天线模组10收发预设频段的电磁波信号的方向范围内的绝缘部220。所述绝缘部220对所述预设频段也有影响，所述绝缘部220的介电常数越大，则，所预设频段越往低频偏移，则带宽越小；相应地，所述绝缘部220的介电常数越小，所述预设频段越往高频偏移，则带宽越大。举例而言，当所述绝缘部220的介电常数为dk1时，所述预设频段为f1，所述带宽为bw1；当绝缘部220的介电常数为dk2时，所述预设频段为f2，所述带宽为bw2；当所述dk1＞dk2时，则所述f1＞f2，bw1＞bw2。

请参阅图8，图8为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。在本实施例中，所述透波颗粒31非均匀地掺杂于所述中框20位于所述预设方向范围内的所述至少部分中。

所述透波颗粒31非均匀地掺杂于所述中框20位于所述预设方向范围内的所述至少部分中，举例而言，当所述透波颗粒31掺杂于所述绝缘部220中，所述透波颗粒31的掺杂浓度可自所述绝缘部220邻近所述天线模组10的表面向背离所述天线模组10的表面逐渐增大；所述透波颗粒31的掺杂浓度也可自所述绝缘部220邻近天线模组10的表面向背离所述天线模组10的表面逐渐减小；所述透波颗粒31的掺杂浓度也可自所述绝缘部220邻近天线模组10的表面向背离所述天线模组10的表面先逐渐增大再逐渐减小；所述透波颗粒31的掺杂浓度也可自所述绝缘部220邻近天线模组10的表面向背离所述天线模组10的表面先逐渐减小再逐渐增大；当然，所述透波颗粒31非均匀地掺杂于所述绝缘部220中时也可以为非规律性的。只要满足透波颗粒31非均匀性地掺杂于所述绝缘部220中即可。因此，本申请对透波颗粒31如何非均匀性地掺杂于中框20位于所述预设方向范围内的形式不做限定，只要满足所述透波颗粒31掺杂于所述中框20时等效于预设材料的预设介质，所述预设介质对预设频段的电磁波信号的透过率为第二透过率即可。

下面对所述透波颗粒31的参数进行描述，所述透波颗粒31的如下参数可结合到前面任意实施例描述的电子设备1中。在一实施例中，所述透波颗粒31的介电常数dk＞10，所述透波颗粒31在所述中框20位于所述预设方向范围内的所述至少部分内的掺杂浓度x为满足：5％≤x≤20％，对于预设频段的电磁波信号，当所述透波颗粒31的掺杂浓度等于预设浓度x0时，所述第二透过率最大，其中，5％＜x0＜20％；所述透波颗粒31的掺杂浓度x满足：5％≤x＜x0时，所述第二透过率随着所述透波颗粒31掺杂浓度的减小而减小；当所述透波颗粒31的掺杂浓度x满足：x0＜x≤20％时，第二透过率随着透波颗粒31的掺杂浓度的增大而减小。

所述透波颗粒31的介电常数dk＞10，可满足掺杂有所述透波颗粒31的所述绝缘部220的部分构成的透波结构对预设频段的电磁波信号具有第二透过率，且使得所述第二透过率比第一透过率之间的差值较大，换而言之，所述所述透波结构对预设频段的电磁波信号的透过率较高。

所述透波颗粒31可以是铁电体batio3颗粒，类钙钛矿颗粒cacu3ti4o12(ccto)，高介电陶瓷颗粒以及介质常数dk＞10的复合材料颗粒等。

所述透波颗粒31的掺杂浓度5％≤x≤20％是指，在掺杂有透波颗粒31的中框20的部位中所述透波颗粒31的掺杂浓度为5％≤x≤20％。当所述透波颗粒31的掺杂浓度满足5％≤x≤20％时，所述第二透过率的取值较大。当所述透波颗粒31的掺杂浓度满足5％≤x≤20％时，自掺杂浓度x＝5％开始，第二透过率逐渐增大，直到掺杂浓度x＝x0时所述第二透过率达到最大值，其中，5％＜x0＜20％；自掺杂浓度x＝x0开始，随着掺杂浓度的增大，第二透过率逐渐减小，直至掺杂浓度达到20％。

下面对所述透波颗粒31的参数进行描述，所述透波颗粒31的如下参数可结合到前面任意实施例描述的电子设备1中。在一实施例中，所述透波颗粒31的介电常数dk＞10，所述透波颗粒31的粒径d满足：1μm≤d≤30μm，对于预设频段的电磁波信号，当所述透波颗粒31的粒径等于预设粒径d0时，所述第二透过率最大，其中，1μm＜d0＜30μm；所述透波颗粒31的粒径d满足：1μm≤d＜d0时，所述第二透过率随着所述透波颗粒31的减小而减小；当所述透波颗粒31的粒径d满足：d0＜d≤30μm时，所述第二透过率随着透波颗粒31的粒径的增大而减小。

当所述透波颗粒31的粒径d满足：1μm≤d≤30μm时，所述第二透过率的取值较大。当所述透波颗粒31的粒径d满足：1μm≤d≤30μm时，自d＝11μm开始，所述第二透过率逐渐增大，直到掺杂浓度d＝d0时，所述第二透过率达到最大值，其中，1μm＜d0＜30μm；自所述d＝11μm开始，随着透波颗粒31的增大，第二透波率逐渐减小，直到透波颗粒31的粒径达到d＝30μm。

请参阅图9，图9为另一实施例中图1中沿i-i线的剖面示意。图9可结合到前面任意实施例所述的电子设备1中，在本实施例中，所述电子设备1还包括：电池盖40。所述电池盖40包括背板410及连接于所述背板410周缘的边框420，以形成收容空间，所述收容空间用于收容所述天线模组10、及所述中框20，所述中框20掺杂透波颗粒31的部分邻近所述边框420设置，且所述边框420位于所述预设方向范围内。

在一种实施例中，所述电子设备1还包括屏幕50，所述屏幕50设置于所述中框20背离所述背板410的一侧，所述透波颗粒31掺杂形成的透波结构30及所述天线模组10均设置于所述导电板210的同一侧，且所述透波结构30与所述屏幕50设置于所述中框20相对的两侧，从而使得所述天线模组10远离所述屏幕50，减小甚至避免了所述天线模组10收发预设频段的电磁波信号时对屏幕50造成的影响；此外，也减小甚至避免了屏幕50对天线模组10收发预设频段的电磁波信号的干扰。

所谓屏幕50，是指电子设备1中用于显示文字、图像、视频等内容的部件。所述屏幕50可以为仅仅具有显示功能的部件，也可以为集成有显示及触控功能的部件。在本实施例中，所述屏幕50还包括屏幕本体510以及设置在所述屏幕本体510背离所述背板410的一侧的盖板520，以对所述屏幕本体510进行保护。

在一实施例中，所述电子设备1还包括电路板60。所述电路板60电连接于所述天线模组10。在本实施例中，所述电路板60设置于所述导电板210邻近所述背板410的一侧。所述电路板60可直接或间接设置于所述导电板210邻近所述背板410的表面。在本实施例中，以所述电路板60直接设置于所述导电板210邻近所述背板410的表面为例进行示意。所述天线模组10可设置于所述电路板60上，也可以设置于所述导电板210上。在本实施例的示意图中，以所述天线模组10设置于所述导电板210上为例进行示意。

请一并参阅图10，图10为本申请一实施例中电子设备的电路框图。所述电路板60上可设置射频收发器610、及射频前端模块620。所述射频收发器610电连接所述射频前端模块620，所述射频前端模块620电连接至所述天线模组10。当所述天线模组10用于发射预设频段的电磁波信号时，所述射频收发器610用于接收基带信号，并将基带信号转换为射频信号。所述射频前端模块620电连接所述射频收发器610，用于接收所述射频信号，并将所述射频信号进行滤波、幅值放大等处理。所述天线模组10电连接所述射频前端模块620，用于将经由所述射频前端模块620处理并输出的射频信号转换为预设频段的电磁波信号。相应地，当所述天线模组10用于接收预设频段的电磁波信号时，所述天线模组10接收预设频段的电磁波信号，并将所述电磁波信号转换为射频信号。所述射频前端模块620与所述天线模组10电连接，并接收所述天线模组10输出的射频信号，将所述射频信号进行滤波、幅值缩小等处理。所述射频收发器610与所述射频前端模块620电连接，并接收经由所述射频前端模块620处理过的射频信号，并将所述射频信号转换为基带信号。

请一并参阅图11，图11为本申请另一实施例提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1的边框420包括相背设置的第一边框421及第二边框422，且所述边框420还包括相背设置的第三边框423及第四边框424，其中，所述第三边框423弯折连接所述第一边框421的一端及第二边框422的一端，所述第四边框424弯折连接所述第一边框421的另一端及第二边框422的另一端。所述第三边框423的长度小于所述第一边框421的长度且小所述第二边框422的长度。所述第四边框424的长度小于所述第一边框421的长度且小所述第二边框422的长度。换而言之，所述第一边框421及所述第二边框422为所述电子设备1的长边，所述第三边框423及所述第四边框424为电子设备1的短边。所述天线模对应所述第一边框421邻近所述第三边框423的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第一边框421邻近所述第四边框424的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第一边框421邻近所述第四边框424的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第二边框422邻近所述第三边框423的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第二边框422邻近所述第四边框424的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第三边框423邻近所述第一边框421的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第三边框423邻近所述第二边框422的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第四边框424邻近所述第一边框421的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第四边框424邻近所述第二边框422的位置设置；或者，所述天线模组10对应所述第一边框421与所述第三边框423的连接处设置；或者，所述天线模组10对应所述第一边框421与所述第四边框424的连接处设置；或者，所述天线模组10对应所述第二边框422与所述第三边框423的连接处设置；或者，所述天线模组10对应所述第二边框422与所述第四边框424的连接处设置。所述天线模组10的上述设置方式使得用户在用手握持电子设备1的时候不容易被握持到，因此，可提升所述电子设备1的通信效果。

可以理解地，上述天线模组10的设置方式中，所述透波颗粒31对应所述天线模组10的设置而设置。比如，当所述天线模对应所述第一边框421邻近所述第三边框423的位置设置时，所述透波颗粒31设置在所述中框20(绝缘部220)中，且对应所述第一边框421邻近所述第三边框423的位置设置。在本实施例的示意图中，以所述天线模组10对应所述第一边框421邻近所述第三边框423的位置设置为例进行示意。

可以理解地，虽然本案背景技术以及本申请各个实施例的天线模组10以5g毫米波为例进行，但是并不应当理解为对本申请的限定，本申请中天线模组10也可为支持其他协议通信的天线模组10，在此不做限定。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。