1.一种功率模块的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一第一临时承载基板，并提供功率芯片，所述功率芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有功能核心区域，多个焊垫设置于所述功率芯片的所述第一表面上且围绕所述功能核心区域，将功率芯片临时固定在所述第一临时承载基板上，所述功率芯片的第一表面朝向所述第一临时承载基板；
2)接着在所述功率芯片的第二表面形成多个平行排列的沟槽，多个所述平行排列的沟槽与所述功能核心区域相对应；
3)接着在所述功率芯片的所述第二表面上沉积导热绝缘层，所述导热绝缘层覆盖所述沟槽的底面、所述沟槽的侧壁以及所述功率芯片的所述第二表面；
4)接着在每个所述沟槽中均嵌入一金属片，所述金属片的高度大于所述沟槽的深度，接着在所述沟槽与所述金属片之间的间隙中填入粘结胶，以将所述金属片固定在所述沟槽中；
5)提供一散热器，所述散热器的底面开设有多个凹槽，多个所述凹槽与所述功率芯片的所述第二表面上的多个金属片一一对应，接着将所述散热器设置于所述功率芯片的所述第二表面上，使得每个所述金属片的一部分嵌入到相应的所述凹槽中；
6)提供一第二临时承载基板，接着在所述散热器上固定粘结所述第二临时承载基板，接着去除所述第一临时承载基板；
7)提供一线路基板，将所述功率芯片倒装安装在所述线路基板上，接着去除所述第二临时承载基板，接着在所述线路基板上形成模塑层，所述模塑层完全包裹所述功率芯片，且所述模塑层暴露所述散热器的顶面。
2.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述功率芯片通过粘结层临时固定在所述第一临时承载基板上，所述第一临时承载基板为透明基板，所述粘结层为在紫外线照射下失去粘性的有机材料。
3.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述沟槽，所述沟槽的深度为200-300微米，所述沟槽的宽度100-200微米，相邻的所述沟槽之间的间距为200-300微米。
4.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述导热绝缘层的材料为氧化铝、氮化铝、碳化硅中的一种，通过ald法或cvd法形成所述导热绝缘层，所述导热绝缘层的厚度为100-200纳米。
5.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述金属片为铝片或铜片，所述金属片的厚度小于所述沟槽的宽度。
6.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述散热器的材料为铜或铝，在所述散热器的底面通过刻蚀工艺或切割工艺形成所述多个凹槽。
7.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于：在所述步骤7)中，通过在所述线路基板上设置焊料，进而将所述功率芯片的所述焊垫通过所述焊料与所述线路基板电连接，所述模塑层的材料为环氧树脂。
8.一种功率模块，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。