1.一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，包括：
下波导层；
位于所述下波导层表面的短波发光区；
位于所述短波发光区背向所述下波导层一侧表面的上波导层；
位于所述上波导层背向所述下波导层一侧表面的长波发光区；
位于所述长波发光区背向所述下波导层一侧表面的上光子晶体层；所述上光子晶体层设置有多个散射柱以形成光子晶体，所述散射柱沿厚度方向从所述上光子晶体层背向所述下波导层一侧表面延伸至所述上波导层。
2.根据权利要求1所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述长波发光区的尺寸小于所述短波发光区的尺寸。
3.根据权利要求2所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述长波发光区沿水平方向呈圆形；所述上光子晶体层覆盖所述长波发光区背向所述下波导层一侧表面。
4.根据权利要求3所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述散射柱以所述上光子晶体层的圆心为中心规则分布；所述光子晶体沿水平方向呈中心对称图形。
5.根据权利要求4所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，相邻所述散射柱之间呈正三角形分布。
6.根据权利要求1所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述散射柱朝向所述下波导层一侧表面与所述上波导层朝向所述下波导层一侧表面之间具有预设距离，所述预设距离大于零。
7.根据权利要求6所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述散射柱沿水平方向所呈形状为以下任意一种：
圆形、方形、正三角形。
8.根据权利要求7所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述散射柱为空气柱。
9.根据权利要求1所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述下波导层的侧壁、所述短波发光区的侧壁以及所述上波导层的侧壁均设置有反射膜。
10.根据权利要求2至9任一项权利要求所述的长波长垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述上波导层背向所述下波导层一侧表面设置有至少两个长波发光区；相邻所述长波发光区相互隔离；
任一所述长波发光区背向所述下波导层一侧表面均设置有所述上光子晶体层，任一所述上光子晶体层均设置有所述散射柱以形成光子晶体。