1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
提供具有前侧和背侧的衬底；
在所述衬底的所述前侧上方形成互连结构；
在所述互连结构上方形成钝化层，其中所述钝化层具有多个开口；
在所述开口中形成抗酸层；
在所述抗酸层上方形成接合层；
导电凸块结构，形成在所述接合层上方，其中所述导电凸块结构电连接至所述接合层，所述导电凸块结构完全覆盖所述抗酸层与所述接合层之间的整个接触面所在区域；以及
在所述衬底的所述背侧上方或在所述接合层上方形成多个像素区。
2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在相同的腔室中实施形成所述抗酸层和形成所述接合层。
3.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件的方法，其中，形成在所述开口中的所述抗酸层包括：
在所述开口中形成金属氮化物层；以及
在所述金属氮化物层上方形成金属层。
4.一种用于形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，包括：
提供具有前侧和背侧的衬底；
在所述衬底的所述前侧上方形成互连结构；
在所述互连结构上方形成抗酸层；
在所述抗酸层上方形成接合层；
在所述接合层上方形成钝化层；以及
在所述钝化层中形成导电凸块结构，其中所述导电凸块结构电连接至所述接合层；
提供具有另一互连结构和设置在其上的多个像素区域的另一衬底；
将所述另一衬底接合到所述衬底的所述接合层，
其中，所述抗酸层具有在所述导电凸块结构下方延伸以及在所述导电凸块结构之间延伸的连续延伸部分，并且所述连续延伸部分横跨所述多个像素区域。
5.根据权利要求4所述的形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，其中，所述接合为包括金属至金属接合和非金属至非金属接合的混合接合。
6.根据权利要求4所述的形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，其中，形成所述抗酸层包括：金属氮化物层和金属层。
7.根据权利要求6所述的形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，其中，所述金属氮化物层是氮化钽(tan)，并且所述金属层是钽(ta)。
8.根据权利要求6所述的形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，其中，所述钽(ta)是β相钽(ta)。
9.根据权利要求6所述的形成互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构的方法，其中，所述金属氮化物层是氮化钛(tin)，并且所述金属层是钛(ti)。
10.一种互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器结构，包括：
栅电极层，形成在第一衬底上方；
互连结构，形成在所述栅电极层上方；
抗酸层，形成在所述互连结构上方；
接合层，形成在所述抗酸层上方，所述接合层由导电材料制成；
钝化层，形成在所述接合层上方；以及
导电凸块结构，形成在所述钝化层中，其中所述导电凸块结构电连接至所述接合层，
第二衬底，形成在所述第一衬底的下方；和
多个像素区域，形成在所述第二衬底中，
其中，所述抗酸层具有在所述导电凸块结构下方延伸以及在所述导电凸块结构之间延伸的连续延伸部分，并且所述连续延伸部分横跨所述多个像素区域。