一种陶瓷基板及其封装方法与流程

本申请涉及led封装技术领域，尤其涉及一种陶瓷基板及其封装方法。

背景技术：

目前，大部分的紫外led芯片使用陶瓷基板封装，但紫外led芯片抗静电能力很弱，在工作或者试验时容易被外界静电烧毁，所以人们封装紫外led芯片时，在陶瓷基板封装一颗稳压管芯片，用以保护紫外led芯片不被静电击穿。因为紫外led芯片和稳压管芯片都在陶瓷基板同一平面上，紫外led芯片发出的紫外光一部分被稳压管芯片和胶粘剂吸收，由于紫外led的出光率低，因此在封装时既要考虑到对led芯片的保护又要提高出光率。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种陶瓷基板及其封装方法，至少解决以上技术问题。

(二)技术方案

一种陶瓷基板，用于封装紫外led芯片6，包括：凹槽形陶瓷外壳，其凹槽底部设有：第一电极1，第二电极2，以及第三电极3，之间相互隔离；凹槽5，用于封装稳压管芯片7，凹槽5包括第四电极51以及第五电极52，其中，第四电极51与第一电极1连接，第五电极52与第三电极3连接；凹槽形陶瓷外壳的外表面设有：第一背部电极8以及第二背部电极9，且分别与第一电极1和第二电极2连接。

可选地，陶瓷基板还包括隔离带4，第一电极1，第二电极2，以及第三电极3之间通过隔离带4隔离。

可选地，第四电极51以及第五电极52之间通过隔离带4隔离。

可选地，陶瓷基板还包括压焊金丝10，用于电极悬空电极，压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3，或连接第二电极2与稳压管芯片7。

可选地，第一电极1、第二电极2、第三电极3、第四电极51、第五电极52、第一背部电极8以及第二背部电极9表面镀有可焊性金属。

可选地，可焊性金属为金或金锡合金等。

可选地，陶瓷基板还包括石英盖板，用于密封凹槽形陶瓷外壳。

另一方面，本公开还提供了一种陶瓷基板的封装方法，包括：s1，将紫外led芯片6设于第一电极1和第二电极2的部分表面；s2，将稳压管芯片7设于第四电极51以及第五电极52的表面；s3，将压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3，或连接第二电极2与稳压管芯片7。

可选地，紫外led芯片6倒装或正装焊接于第一电极1和第二电极2的部分表面。

可选地，稳压管芯片7倒装或正装焊接于第四电极51以及第五电极52的表面。

(三)有益效果

本公开提供了一种陶瓷基板及其封装方法，该陶瓷基板使得稳压管芯片和紫外led芯片不在同一平面内，保护紫外led芯片发出的紫外光不被稳压管芯片和胶粘剂吸收，保证了其出光率，同时设置稳压管芯片，保证紫外led芯片不被损坏。

附图说明

图1示意性示出了根据本公开实施例的陶瓷基板的俯视图；

图2示意性示出了根据本公开实施例图1所示的陶瓷基板的主视图；

图3示意性示出了根据本公开实施例的陶瓷基板封装紫外led芯片后的俯视图；

图4示意性示出了根据本公开实施例图3所示的陶瓷基板封装紫外led芯片后的主视图；

图5示意性示出了根据本公开又一实施例的陶瓷基板封装紫外led芯片后的俯视图；

图6示意性示出了根据本公开实施例陶瓷基板的封装方法。

具体实施方式

一种陶瓷基板，用于封装紫外led芯片6，包括：凹槽形陶瓷外壳，其凹槽底部设有：第一电极1，第二电极2，以及第三电极3，之间相互隔离；凹槽5，用于封装稳压管芯片7，所述凹槽5包括第四电极51以及第五电极52，其中，第四电极51与第一电极1连接，第五电极52与第三电极3连接；

凹槽形陶瓷外壳的外表面设有：第一背部电极8以及第二背部电极9，且分别与第一电极1和第二电极2连接。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

如图1所示，该陶瓷基板可以分为凹槽形陶瓷外壳以及密封该凹槽形陶瓷外壳的盖板。凹槽形陶瓷外壳的内底面设置相互隔离的第一电极1，第二电极2，以及第三电极3，例如可以采用隔离带4隔离。如图3、图4所示，凹槽5内可以封装稳压管芯片7，凹槽5包括第四电极51和第五电极52。第四电极51和第五电极52之间同样相互隔离，可以采用隔离带4隔离。稳压管芯片7安装于凹槽5内后的上表面低于第一电极1，第二电极2，以及第三电极3所在平面，使得稳压管芯片7和紫外led芯片6不在同一平面内，保护紫外led芯片6发出的紫外光不被稳压管芯片和胶粘剂吸收。凹槽5优选设置于陶瓷基板的角部，不影响紫外led芯片6的安装。

该陶瓷基板还可以包括压焊金丝10，用于电极悬空电极，该压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3(如图3所示)，或连接第二电极2与稳压管芯片7(如图5所示)。

凹槽形陶瓷外壳的外表面设有第一背部电极8以及第二背部电极9(如图2和图4所示)用于与外界器件连接，且分别与内部的第一电极1和第二电极2连接。

陶瓷基板上的电极和凹槽5内的电极进行金属化处理表面镀金或锡等可焊性金属。例如，第一电极1、第二电极2、第三电极3、第四电极51、第五电极52、第一背部电极8以及第二背部电极9表面镀有可焊性金属，例如可以是金、金锡合金等。

该陶瓷基板可以用于封装正装或倒装紫外led芯片6，紫外led芯片设于第一电极1和第二电极2上。倒装紫外led芯片6时，紫外led芯片6上的两电极直接将紫外led芯片6朝下互连在陶瓷基板上。

为了保护紫外led芯片6可以在凹槽5内设置稳压管芯片7。稳压管芯片7是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，其在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性，以保护紫外led芯片6不被过高电压损坏。

本公开还提供了一种基于上述陶瓷基板的封装方法，如图6所示，该方法包括：

s1，将紫外led芯片6设于第一电极1和第二电极2的部分表面。

s2，将稳压管芯片7设于第四电极51以及第五电极52的表面。

s3，将压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3，或连接第二电极2与稳压管芯片7。

下面分别以稳压管芯片7的倒装和正装安装对该方法进行详细介绍。

当稳压管芯片7倒装安装时，上述封装方法具体如下：

s1，将紫外led芯片6设于第一电极1和第二电极2的部分表面。

将紫外led芯片6正装或倒装跨接焊接于第一电极1和第二电极2的部分表面。优选安装于陶瓷基板的中间位置，紫外led芯片6的两电极与陶瓷基板的第一电极1和第二电极2焊接在一起。

s2，将稳压管芯片7设于第四电极51以及第五电极52的表面。

稳压管芯片7是倒装结构，倒装焊接时两电极分别与凹槽5内的第四电极51和第五电极52连接。

s3，将压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3，或连接第二电极2与稳压管芯片7。

压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3(如图3所示)实现紫外led芯片6与稳压管芯片7的反向并联。

当稳压管芯片7正装安装时，上述封装方法具体如下：

s1，将紫外led芯片6设于第一电极1和第二电极2的部分表面。

将紫外led芯片6正装或倒装跨接焊接于第一电极1和第二电极2的部分表面。优选安装于陶瓷基板的中间位置，紫外led芯片6的两电极与陶瓷基板的第一电极1和第二电极2焊接在一起。

s2，将稳压管芯片7设于第四电极51以及第五电极52的表面。

稳压管芯片7是正装结构，正装焊接时两电极分别与凹槽5内的第四电极51和第五电极52连接，此时第四电极51和第五电极52被稳压管背部电极短路连接，变成同一极，并与第一电极1连接。

s3，将压焊金丝10连接第二电极2与第三电极3，或连接第二电极2与稳压管芯片7。

压焊金丝10连接第二电极2与稳压管芯片7正面电极(如图5所示)，实现紫外led芯片6与稳压管芯片7的反向并联。

以上是为了便于描述本公开的简化描述，而不是指示或暗示必须选定所指的装置或元件，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含所指明的技术特征的数量。

还需要说明的是，实施例中提到的方向术语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。可能导致本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状、尺寸、位置关系不反映真实大小、比例和实际位置关系。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。