1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括金刚石复合金属碳化物薄膜层和金属薄膜层，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层与所述金属薄膜层层叠设置；所述金刚石复合金属碳化物薄膜层包括金刚石薄膜基体和金属碳化物，所述金刚石薄膜基体是由金刚石颗粒构成的薄膜基体，所述金属碳化物填充于所述金刚石薄膜基体中金刚石颗粒的缝隙之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述金刚石表面的碳原子和所述金属碳化物中的金属原子之间键合。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和所述金属薄膜层均为一层，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和所述金属薄膜层为层叠设置；或者
所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和所述金属薄膜层中至少一者为多层，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和所述金属薄膜层为交替层叠设置。
4.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层中的金属元素选自钛、铌、铬、钒和钨中的至少一种，所述金刚石复合金属碳化物薄膜层的厚度是100nm～200nm；和/或
所述金属薄膜层的材料选自铝、铜、银、金和锌中的至少一种，所述金属薄膜层的厚度是50nm～100nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构还包括氧化物保护薄膜层，所述氧化物保护薄膜层设置在位于外侧的所述金刚石复合金属碳化物薄膜层的远离所述金属薄膜层一侧的表面上，或者设置在位于外侧的所述金属薄膜层的远离所述金刚石复合金属碳化物薄膜层一侧的表面上。
6.一种薄膜封装方法，其特征在于，于待封装器件表面形成薄膜封装结构，形成所述薄膜封装结构的方法包括如下步骤：
于待封装器件表面形成金刚石复合金属碳化物薄膜层和金属薄膜层；
其中，形成所述金刚石复合金属碳化物薄膜层的方法包括如下步骤：
将有机粘结剂包覆于金刚石颗粒表面，获得粘结剂包覆的金刚石颗粒；
将所述粘结剂包覆的金刚石颗粒与金属材料共同沉积于待封装器件表面，形成金刚石复合金属碳化物薄膜层前驱体；
对所述金刚石复合金属碳化物薄膜层前驱体加热使所述有机粘结剂和所述金属材料形成金属碳化物。
7.根据权利要求6所述的薄膜封装方法，其特征在于，在所述粘结剂包覆的金刚石颗粒中，粘结剂的质量占比是5％～20％。
8.根据权利要求6所述的薄膜封装方法，其特征在于，形成所述薄膜封装结构的方法包括如下步骤：
于待封装器件表面形成一层所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和一层所述金属薄膜层；或
于待封装器件表面交替形成至少一层所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和多层所述金属薄膜层；或
于待封装器件表面交替形成多层所述金刚石复合金属碳化物薄膜层和至少一层所述金属薄膜层；
优选地，还包括在已形成的薄膜封装结构的远离所述待封装器件一侧的表面上形成氧化物保护薄膜层的步骤。
9.根据权利要求6～8任一项所述的薄膜封装方法，其特征在于，沉积所述粘结剂包覆的金刚石颗粒与金属材料的方法包括：以射频溅射沉积粘结剂包覆的金刚石颗粒，并以直流共溅射同时沉积金属材料；和/或
形成所述金属薄膜层的方式包括：以直流溅射沉积所述金属材料。
10.一种光电器件，其特征在于，包括器件主体和封装层，所述封装层是根据权利要求1～5任一项所述的薄膜封装结构，或是由根据权利要求6～9任一项所述的薄膜封装方法制备而成。