1.垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在高浓度重掺杂p型金刚石衬底的正面生长低浓度轻掺杂p型金刚石外延层，作为缓冲层；在所述缓冲层的上表面生长高浓度重掺杂p型金刚石外延层；
光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和栅区，其中，有源区在所述柱状源区的顶部，栅区在所述柱状源区的侧壁；
在所述柱状源区的顶部光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极，在所述高浓度重掺杂p型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极，经过退火形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触；
在所述柱状源区的顶部、侧壁及周围沉积栅介质，其中所述栅介质覆盖所述源电极的表面；
在所述栅介质上光刻出栅形貌，剥离形成栅电极；
淀积钝化保护层；
光刻制作电极图形。
2.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述在高浓度重掺杂p型金刚石衬底的正面生长低浓度轻掺杂p型金刚石外延层，作为缓冲层，在所述缓冲层的上表面生长高浓度重掺杂p型金刚石外延层，具体包括：
所述低浓度轻掺杂p型金刚石外延层的厚度为1nm-100μm；
所述高浓度重掺杂p型金刚石外延层的厚度为1nm-10μm；
其中，所述轻掺杂的浓度为1×1014cm-3至1×1017cm-3，所述重掺杂的浓度为1×1018cm-3至1×1022cm-3。
3.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和栅区，其中，有源区在所述柱状源区的顶部，栅区在所述柱状源区的侧壁，具体包括：
采用干法刻蚀，刻蚀深至所述缓冲层；
所述柱状源区为圆柱体。
4.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述柱状源区的顶部光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极；在所述高浓度重掺杂p型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极，经过退火形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触，具体包括：
通过电子束蒸发分别淀积源极金属和漏极金属；
所述源电极和所述漏电极采用ti、pt、au、ir中的一种或者多种的组合，经过高温合金退火后形成。
5.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述柱状源区的顶部、侧壁及周围沉积栅介质，其中所述栅介质覆盖所述源电极的表面，具体包括：
所述栅介质包括al2o3、sinx、sio2、tio2、moo3、aln中的一种或多种；厚度为5nm-500nm。
6.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，在所述栅介质上光刻出栅形貌，剥离形成栅电极，具体包括：
所述栅电极为al、ni、ti、au中的一种或者多种组合。
7.如权利要求6所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅电极覆盖所述柱状源区的四周，并向上延伸至所述柱状源区的侧壁。
8.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述钝化保护层包括al2o3、sinx、sio2、tio2、moo3、aln中的一种或多种；厚度为5nm-20μm。
9.如权利要求1所述的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管的制备方法，其特征在于，所述光刻制作电极图形，具体包括：
通过干法刻蚀或者湿法刻蚀腐蚀出所述电极图形，并对所述电极图形进行加厚处理。
10.垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管，其特征在于，包括高浓度重掺杂p型金刚石衬底、低浓度轻掺杂p型金刚石外延层、高浓度重掺杂p型金刚石外延层、源电极、栅电极、漏电极、栅介质；
所述低浓度轻掺杂p型金刚石外延层生长在所述高浓度重掺杂p型金刚石衬底的正面，所述漏电极生长在所述高浓度重掺杂p型金刚石衬底的背面；
所述高浓度重掺杂p型金刚石外延层生长在所述低浓度轻掺杂p型金刚石外延层的上表面，所述源电极生长在所述高浓度重掺杂p型金刚石外延层的上表面，所述栅介质覆盖所述低浓度轻掺杂p型金刚石外延层的表面及所述源电极的表面，所述栅电极生长在所述栅介质上。