交叉耦合组件及具有交叉耦合组件的滤波器的制作方法

本发明实施例涉及通讯技术领域，特别涉及一种交叉耦合组件及具有交叉耦合组件的滤波器。

背景技术：

随着5g（5thgeneration，第五代移动通信技术）技术的普及和运用，滤波器在5g基站中需求量巨大。其中，滤波器的抗干扰能力是一个很重要的指标。为了达到极高的抗干扰能力，滤波器需要引用交叉耦合对通道信号以外的信号做衰减处理，即带外抑制。

通常情况下，通道低端的带外抑制是通过飞杆与谐振器竖直平行摆放来实现的。这样的缺点是，耦合量越大时和飞杆对应的谐振器的频率越低，为了保持原来的频率，需要降低谐振器的高度，而降低谐振器的高度会导致谐振器与飞杆之间的耦合面积减小，耦合量变小，很难同时保持高频率和强耦合。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种交叉耦合组件及具有交叉耦合组件的滤波器，用于解决现有技术中的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种交叉耦合组件，所述交叉耦合组件包括：

固定在所述滤波器的腔体内的飞杆，所述飞杆的两个飞杆盘垂直于所述腔体的底面；

固定在所述腔体内且交叉耦合的两个谐振器；

所述两个谐振器中的每个谐振器与一个耦合基板连接，每个耦合基板垂直于所述腔体的底面，且与对应的一个飞杆盘平行相对。

在一种可能的实现方式中，所述谐振器与所述耦合基板是一体成型；或者，所述谐振器与所述耦合基板通过螺钉连接；或者，所述谐振器与所述耦合基板通过焊接连接。

在一种可能的实现方式中，所述飞杆是哑铃盘或u形片。

在一种可能的实现方式中，所述交叉耦合组件还包括飞杆支撑座，所述飞杆通过所述飞杆支撑座固定在所述腔体内。

在一种可能的实现方式中，所述耦合基板与所述飞杆盘之间的平行距离的大小与耦合量的大小呈负相关关系。

在一种可能的实现方式中，所述耦合基板与所述飞杆盘之间的耦合面积的大小与耦合量的大小呈正相关关系。

在一种可能的实现方式中，所述谐振器的高度的高低与所述滤波器的频率的大小呈负相关关系。

一方面，提供了一种具有交叉耦合组件的滤波器，所述滤波器包括如上所述的交叉耦合组件。

在一种可能的实现方式中，所述滤波器还包括盖板，所述盖板与所述腔体用于封装所述交叉耦合组件。

在一种可能的实现方式中，所述盖板的顶部设置有多个开孔，每个开孔中设置有一个调螺，所述调螺用于调节所述谐振器的高度。

本发明实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：

由于交叉耦合组件中包括耦合基板，该耦合基板垂直于腔体的底面，与交叉耦合的谐振器连接，且与飞杆盘平行相对，即，耦合基板位于飞杆盘与谐振器之间，使得耦合量只与飞杆和耦合基板相关，而与谐振器无关，这样，在调节频率时，谐振器的高度可以任意调节，而不会影响耦合量，从而可以同时保持高频率和强耦合。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例中的一种交叉耦合组件的示意图；

图2是本发明一个实施例中的一种滤波器的腔体的示意图；

图3是本发明一个实施例中的一种滤波器的腔体的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

请参考图1，其示出了本发明实施例提供的一种交叉耦合组件，该交叉耦合组件包括：飞杆110、交叉耦合的两个谐振器120和耦合基板130。

本实施例中的交叉耦合组件可以应用于滤波器中，且该交叉耦合组件可以位于该滤波器中的腔体内。其中，滤波器的腔体的结构可以有很多种，本实施例不对腔体的结构作限定。

飞杆110可以固定在滤波器的腔体内。其中，飞杆110由金属制成，金属可以是铜、铝、钢等等，本实施例不作限定。本实施例中的飞杆110可以是哑铃盘或u形片。飞杆110可以包括两个飞杆盘111，且两个飞杆盘111可以垂直于腔体的底面。

本实施例中，交叉耦合组件还可以包括飞杆支撑座140，飞杆110可以通过飞杆支撑座140固定在腔体内。其中，飞杆支撑座140可以由ptfe（polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯）等材料制成，本实施例不作限定。

滤波器的腔体内可以设置有多个谐振器，这些谐振器的材料可以与腔体的材料相同，那么谐振器与腔体可以是一体成型的。本实施例中的交叉耦合组件中包括的是两个交叉耦合的谐振器120，而不是直连的两个谐振器。比如，滤波器中的第一个谐振器和第二个谐振器相连，第三个谐振器和第四个谐振器相连，则交叉耦合组件中包括的可以是第二个谐振器和第四个谐振器。

需要说明的是，滤波器中可以包括多组交叉耦合的两个谐振器120，每组交叉耦合的两个谐振器120可以形成一个交叉耦合组件，即，滤波器中可以包括多个交叉耦合组件。

交叉耦合的两个谐振器120中的每个谐振器120与一个耦合基板130连接，即，交叉耦合组件中包括两个耦合基板130。其中，耦合基板130由金属制成，且耦合基板130可以是任意形状。图1中以耦合基板130为长方形进行举例说明。

本实施例中，每个耦合基板130垂直于腔体的底面，且与对应的一个飞杆盘111平行相对。即，每个耦合基板130与一个飞杆盘111在竖直方向上是平行且相对的。这样，耦合基板130位于谐振器120和飞杆盘111之间，耦合量只与飞杆110和耦合基板130相关，而与谐振器120无关，这样，在调节频率时，谐振器120的高度可以任意调节，而不会影响耦合量，从而可以同时保持高频率和强耦合。

谐振器120与耦合基板130之间可以有多种连接方式，下面对其中的三种连接方式进行说明。第一种连接方式是谐振器120与耦合基板130是一体成型；第二种连接方式是谐振器120与耦合基板130通过螺钉连接；第三种连接方式是谐振器120与耦合基板130通过焊接连接。

其中，谐振器120与耦合基板130的连接方式与耦合基板130的材料相关。比如，若耦合基板130的材料与腔体的材料相同，则谐振器120与耦合基板130可以是一体成型。即，腔体、腔体内的所有谐振器和耦合基板130可以是一体成型。当然，耦合基板130的材料与腔体的材料相同时，也可以单独生产腔体和耦合基板130，再通过螺钉或焊接将耦合基板130与腔体内的谐振器120连接。

若耦合基板130的材料与腔体的材料不同，则谐振器120与耦合基板130可以通过螺钉或焊接连接。即，当耦合基板130的材料与腔体的材料不同时，可以单独生产腔体和耦合基板130，再通过螺钉或焊接将耦合基板130与腔体内的谐振器120连接。

本实施例中，耦合量的大小是可调的，下面对耦合量的调节方式进行说明。

在一个可选的实施例中，可以通过调节耦合基板130与飞杆盘111之间的平行距离来调节耦合量。由于耦合基板130与飞杆盘111之间的平行距离的大小与耦合量的大小呈负相关关系，所以，当需要较大的耦合量时，可以减小耦合基板130与飞杆盘111之间的平行距离，即，增大飞杆110的长度使耦合基板130与飞杆盘111靠近；当需要较小的耦合量时，可以增大耦合基板130与飞杆盘111之间的平行距离，即，减小飞杆110的长度使耦合基板130与飞杆盘111远离。

在另一个可选的实施例中，可以通过调节耦合基板130与飞杆盘111之间的耦合面积来调节耦合量。由于耦合基板130与飞杆盘111之间的耦合面积的大小与耦合量的大小呈正相关关系，所以，当需要较大的耦合量时，可以增大耦合基板130与飞杆盘111之间的耦合面积；当需要较小的耦合量时，可以减小耦合基板130与飞杆盘111之间的耦合面积。

其中，增大耦合面积可以是增大耦合基板130的面积和/或增大飞杆盘111的面积，减小耦合面积可以是减小耦合基板130的面积和/或减小飞杆盘111的面积。

本实施例中，滤波器的频率是可调的。在一个可选的实施例中，可以通过调节谐振器120的高度来调节频率。由于谐振器120的高度的高低与滤波器的频率的大小呈负相关关系，所以，当需要较高的频率时，可以减小谐振器120的高度；当需要较低的频率时，可以增大谐振器120的高度。在调节频率时，可以保持耦合基板130的尺寸不变，这样，频率调节不会影响耦合量，从而可以同时保持高频率和强耦合。

综上所述，本实施例提供的交叉耦合组件，由于交叉耦合组件中包括耦合基板，该耦合基板垂直于腔体的底面，与交叉耦合的谐振器连接，且与飞杆盘平行相对，即，耦合基板位于飞杆盘与谐振器之间，使得耦合量只与飞杆和耦合基板相关，而与谐振器无关，这样，在调节频率时，谐振器的高度可以任意调节，而不会影响耦合量，从而可以同时保持高频率和强耦合。

本实施例还提供了一种具有交叉耦合组件的滤波器，该滤波器包括如图1所示的交叉耦合组件。为了便于理解，请参考图2和图3，图2示出了滤波器的腔体的俯视图，图3示出了滤波器的腔体的侧视图。

本实施例中的滤波器还可以包括盖板，该盖板与腔体用于封装交叉耦合组件。即，盖板与腔体可以形成一个密闭的空间，且交叉耦合组件位于该密闭的空间内。

在一个可选的实施例中，盖板的顶部设置有多个开孔，每个开孔中设置有一个调螺，调螺用于调节谐振器的高度。其中，调节谐振器的高度即调节调螺深入谐振器的深度。

本实施例提供的滤波器具有易实现、一致性好、易加工和低成本的特点。

本实施例提供的滤波器可以是5g或更高频段且具有良好的带外抑制功能的滤波器。

以上所述并不用以限制本发明实施例，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。