技术特征：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：真空反应腔，所述真空反应腔内设置用于承载基片的基座；气体注入装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；等离子体约束环，环绕设置在所述基座外围，所述等离子体约束环上设有排气通道，包括靠近所述基座的内圈排气区域和靠近真空反应腔侧壁的外圈排气区域，用于将所述真空反应腔内的反应气体排出；气体遮挡环，位于所述等离子体约束环的内圈排气区域上方，用于引导反应气体向所述等离子体约束环的外圈排气区域流动。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环与所述等离子体约束环的内圈排气区域之间的距离可调。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环的径向宽度大于0，且小于所述等离子体约束环的径向宽度。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环的径向宽度大于0，且小于或等于所述等离子体约束环的径向宽度的三分之二。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环包括若干个弧形部，所述若干个弧形部组成所述气体遮挡环。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环的材料为陶瓷或石英。7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述若干个弧形部对应采用若干个升降器进行支撑；每一所述升降器的一端对应与一所述弧形部连接，其另一端安装至所述真空反应腔的底壁上；每一所述升降器用于根据预设升降要求控制所述弧形部在竖直方向上移动。8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述升降器为电动控制或气动控制。9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体约束环与所述基座之间设置隔离环，所述隔离环上方设置一覆盖环，所述覆盖环与所述气体遮挡环相连接。10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环的下表面不高于所述覆盖环的上表面。11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环固定在所述覆盖环的外围。12.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体遮挡环与所述覆盖环一体制成。13.一种气体遮挡环，用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括一基座和环绕所述基座设置的聚焦环，所述基座外围设置一等离子体约束环，其特征在于，包括：内环和外环；所述外环固定于所述内环的外侧面，且与所述内环一体制成，所述内环环绕所述聚焦环设置，所述外环位于所述等离子体约束环的上方，至少部分的覆盖所述等离子体约束环的排气区域。14.一种调控聚合物分布的方法，其特征在于，包括：当对所述基片的刻蚀要求为刻蚀的深宽比大于50％的深孔或者深槽时，调节如权利要
求1～12中任意一项所述的等离子体处理装置的气体遮挡环的位置，所述气体遮挡环的顶表面与覆盖环的顶面齐平；当对所述基片的刻蚀要求为刻蚀的深宽比为大于10％，且小于50％的深孔或沟槽时，调节所述气体遮挡环的位置，所述气体遮挡环的顶表面位于所述覆盖环的侧壁的中部；当对所述基片的刻蚀要求为刻蚀的深宽比小于10％的浅槽时，调节气体遮挡环的位置，所述气体遮挡环的顶表面与所述覆盖环的侧壁的底面齐平。
技术总结
本发明公开了一种气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法，所述设备包括：真空反应腔，真空反应腔内设置用于承载基片的基座。气体注入装置，用于向真空反应腔内输送反应气体。等离子体约束环，环绕设置在基座外围，等离子体约束环上设有排气通道，包括靠近基座的内圈排气区域和靠近真空反应腔侧壁的外圈排气区域，用于将真空反应腔内的反应气体排出。气体遮挡环，位于等离子体约束环的内圈排气区域上方，用于引导反应气体向等离子体约束环的外圈排气区域流动。本发明可以用于平衡腔体中心和边缘产生的聚合物的差异，从而降低刻蚀样品的整体形貌和绝对直径差异。降低刻蚀样品的整体形貌和绝对直径差异。降低刻蚀样品的整体形貌和绝对直径差异。
技术研发人员：倪图强 李亚男 涂乐义 徐伟娜
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.06.08
技术公布日：2021/12/23