1.一种设备，其包括：
存储器阵列，其包括字线、位线及存储器单元，每一存储器单元耦合到所述字线中的相关联者及所述位线中的相关联者，所述字线中的每一者埋入于衬底中且包括：
下导电材料；
上导电材料；及
所述下导电材料与所述上导电材料之间的所述下导电材料的氧化材料。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述下导电材料及所述上导电材料在功函数方面彼此不同。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述下导电材料及所述上导电材料在功函数方面彼此相同。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述下导电材料包括氮化钛、钨或钌，且所述上导电材料包括氮化钛、钨、钌或多晶硅。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述氧化材料包括从约1nm到约3nm的厚度。
6.一种设备，其包括：
存取线、数字线及存储器单元，所述存取线包括：
第一导电材料与第二导电材料之间的经氧化材料，所述经氧化材料包括所述第一导电材料的氧化物。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述经氧化材料在所述第一导电材料与所述第二导电材料之间形成界面。
8.根据权利要求6或权利要求7所述的设备，其中所述第一导电材料包括氮化钛，所述经氧化材料包括氮氧化钛，且所述第二导电材料包括多晶硅。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述氮氧化钛包括化学计量的氮氧化钛。
10.一种形成设备的方法，其包括：
在基底材料的沟槽中形成第一导电材料；
使所述第一导电材料的部分氧化以在所述沟槽中形成经氧化材料；
在所述沟槽中形成第二导电材料；及
移除所述第二导电材料的部分以使所述第二导电材料在所述沟槽中凹进。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在基底材料的沟槽中形成第一导电材料包括在硅材料的隔离沟槽及存取线沟槽中形成所述第一导电材料。
12.根据权利要求10所述的方法，其中使所述第一导电材料的部分氧化以形成经氧化材料包括将所述第一导电材料的部分转换成所述经氧化材料。
13.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中使所述第一导电材料的部分氧化以形成经氧化材料包括将所述第一导电材料暴露到氧等离子体。
14.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中使所述第一导电材料的部分氧化以形成经氧化材料包括将包括氮化钛、钨或钌的所述第一导电材料氧化成氮氧化钛、氧化钨或氧化钌。
15.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中使所述第一导电材料的部分氧化以形成经氧化材料包括将所述经氧化材料形成到从约1nm到约3nm的厚度。
16.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中在所述沟槽中形成第二导电材料包括在所述经氧化材料之上形成所述第二导电材料。
17.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中移除所述第二导电材料的部分包括在所述沟槽中形成包括所述第一导电材料、所述经氧化材料及经凹进第二导电材料的字线结构。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成字线结构包括在所述基底材料内形成所述字线结构。
19.根据权利要求10所述的方法，其中形成字线结构包括用所述第一导电材料、所述经氧化材料及所述经凹进第二导电材料部分填充所述沟槽。
20.一种电子系统，其包括：
处理器装置，其可操作地耦合到输入装置及输出装置；及
电子装置，其可操作地耦合到所述处理器装置，所述电子装置包括：
存取线、数字线及存储器单元，每一存储器单元耦合到所述存取线中的相关联者及所述数字线中的相关联者，所述存取线中的每一者包括：
第一导电材料、所述第一导电材料之上的经氧化材料及所述经氧化材料之上的第二导电材料，所述经氧化材料包括所述第一导电材料的氧化物。