1.一种晶圆加热装置，其用于晶圆多段加热制程，其特征在于，包括：
可升降探针，其用于将被加热晶圆水平支撑在加热源上方，其能根据控制器指令靠近或远离加热源；
温度传感器，其与加热晶圆设置在相同高度，其用于量测被测晶圆温度；
控制器，其接收温度传感器量测数据控制可升降探针上升或下降，当温度传感器量测数据达到第一预设温度且停留第一预设时段则控制可升降探针下降，使加热晶圆靠近加热源，当温度传感器量测数据达到第二预设温度则控制可升降探针停止移动使晶圆停留第二预设时段。
2.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于：可升降探针至少包括三个pin脚，其能将被加热晶圆保持水平。
3.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于：第一预设温度范围为80摄氏度-120摄氏度，第二预设温度范围为230摄氏度-270摄氏度。
4.如权利要求3所述的晶圆加热装置，其特征在于：第一预设时段和第二预设时段范围为30秒-90秒。
5.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其特征在于：控制器控制可升降探针下降速度范围为0.001米/秒-0.01米/秒。
6.一种晶圆加热控制方法，其用于晶圆多段加热制程，其特征在于,包括以下步骤：
s1，将待加热晶圆水平固定在加热源上方；
s2，使用加热源开始加热；
s3，当量测到第一预设温度，则控制待加热晶圆下降靠近加热源；
s4，当量测到第二预设温度，则控制待加热晶圆停止移动停留预设时段。
7.如权利要求6所述的晶圆加热控制方法，其特征在于：第一预设温度范围为80摄氏度-120摄氏度，第二预设温度范围为230摄氏度-270摄氏度。
8.如权利要求6所述的晶圆加热控制方法，其特征在于：第一预设时段和第二预设时段范围为30秒-90秒。。
9.如权利要求6所述的晶圆加热控制方法，其特征在于：控制待加热晶圆下降速度范围为0.001米/秒-0.01米/秒。