技术特征：
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：背阴电极层(1)、p-si层(2)，p-si层(2)位于背阴电极层(1)的上表面；n-mg2si层(3)，n-mg2si层(3)位于p-si层(2)的上表面；阳极层(4)，阳极层(4)位于n-mg2si层(3)的上表面。2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述阳极层(4)为al阳极层、au阳极层、ti阳极层、ni阳极层、cr阳极层中的一种；所述p-si层(2)全覆盖于背阴电极层(1)的上表面；n-mg2si层(3)全覆盖于p-si层(2)的上表面；阳极层(4)覆盖于n-mg2si层(3)的上表面20％
±
2％。3.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述阳极层(4)位于n-mg2si层(3)的左端或右端或居中任一位置的上表面。4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述背阴电极层(1)为ag背阴电极层、in背阴电极层中的一种。5.如权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：步骤一：清洗p-si作为衬底并烘干；步骤二：在p-si衬底的整个上表面真空蒸镀一层mg膜；步骤三：对步骤二获得的产品进行退火处理，得到n-mg2si层(3)/p-si层(2)异质结，作为光电探测器的芯片结构；步骤四：在p-si衬底下面蒸镀一层ag膜，作为背阴极层1；步骤五：在n-mg2si层(3)上表面左端蒸镀一层al膜，形成阳极层(4)，作为阳极。6.如权利要求5所述的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤一的清洗p-si衬底，是将p-si衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声波清洗30min，在烘烤机中烘干后送入真空镀膜机中的样品架上对衬底表面进行辉光放电清洗，使得p-si衬底表面达到蒸镀附着的条件。7.如权利要求5所述的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤二的mg膜蒸镀，蒸镀室内的背底气压为1.0x10-3
pa，蒸发电流为90a，蒸发时间为16min，衬底温度为常温。8.如权利要求5所述的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三的退火处理，退火炉背底气压为8.0x10-4
pa，退火炉气压维持在10-1
～10-2
pa，退火温度为400℃，退火时间为4h。9.如权利要求5所述的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤四和步骤五的镀膜电极，镀膜蒸发时背底气压为1.0x10-3
pa，蒸发电流为60～90a，蒸发时间为5min。10.如权利要求5所述的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤五的阳极层(4)，位置位于n-mg2si层(3)薄膜上表面左端，电极覆盖面积为n-mg2si层(3)的20％
±
2％，n-mg2si层(3)薄膜上表面非电极部分热蒸发蒸镀时用掩膜版遮盖处理。
技术总结
本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域，包括：背阴电极层、p
技术研发人员：余宏 陈德良 向坤 廖丽君 邓睿 莫章洁 岳天天
受保护的技术使用者：贵州师范学院
技术研发日：2020.07.02
技术公布日：2022/1/3