显示装置的制作方法

显示装置
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年7月19日提交的第10-2019-0087824号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的整体内容通过引用并入本文。
技术领域
[0003]
本公开涉及显示装置和显示装置的制造方法。特别地，本公开涉及能够减少或有效地防止对像素限定层的损坏并且能够用降低的成本来制造的显示装置。


背景技术：

[0004]
诸如智能电话、数码相机、笔记本电脑、导航系统和智能电视的电子产品具有用于向用户显示图像的显示装置。显示装置生成图像并且通过屏幕将图像提供给用户。
[0005]
作为多种显示装置中的一种的有机发光显示装置通过使用发射元件来显示图像，而该发射元件在电子与空穴重新结合时发射光。与液晶显示装置不同，有机发光显示装置不需要附加的光源，并且具有优异的亮度特性和相对宽的视角特性。另外，有机发光显示装置具有诸如相对快的响应速度和相对低的功耗特性的良好的技术优势。


技术实现要素：

[0006]
本发明的实施方式提供了在显示装置的制备期间减少或有效地防止对像素限定层的损坏并且能够用降低的成本来制造的显示装置。
[0007]
根据本发明的实施方式，显示装置包括衬底、像素限定层、发射元件、晶体管和平坦化绝缘层，其中，衬底包括像素区和与像素区相邻的非像素区，像素限定层与非像素区对应，像素限定层限定与像素区对应的像素开口，发射元件位于像素开口中，晶体管位于非像素区中，晶体管连接到发射元件，并且平坦化绝缘层位于像素限定层与晶体管之间。在非像素区中，平坦化绝缘层限定突出部，而突出部延伸过像素限定层以比像素限定层从衬底延伸更远。
[0008]
根据实施方式，制造显示装置的方法包括：设置衬底，其中，衬底包括像素区，发射元件位于像素区中，非像素区与像素区相邻并且晶体管位于非像素区中并且连接到发射元件；在非像素区中设置平坦化绝缘层，其中，平坦化绝缘层在非像素区中限定突出部，突出部比平坦化绝缘层的非像素区中的其余部分从衬底延伸更远；在像素区中和非像素区中设置像素限定层，其中，像素限定层的设置包括在非像素区中去除像素限定层的与平坦化绝缘层的突出部对应的第一去除部以及在像素区中去除像素限定层的与发射元件对应并且与第一去除部间隔开的第二去除部，以在像素区中限定像素开口；以及在像素开口中设置发射元件。
[0009]
根据实施方式，显示装置包括衬底、晶体管、平坦化绝缘层、像素限定层和发射元件，其中，衬底包括像素区和与像素区相邻的非像素区，晶体管位于非像素区中，平坦化绝缘层覆盖晶体管，平坦化绝缘层在非像素区中限定比平坦化绝缘层的其余部分从衬底延伸
更远的突出部，其中，在非像素区中由平坦化绝缘层限定的突出部的宽度小于非像素区的宽度，像素限定层位于非像素区中，像素限定层限定与像素区对应的像素开口，并且发射元件位于像素开口中并且连接到晶体管。
附图说明
[0010]
通过结合附图的以下简要描述，将更清楚地理解实施方式。附图表示如本文中所描述的非限制性实施方式。
[0011]
图1是示出显示装置的实施方式的透视图。
[0012]
图2和图3是示出图1的显示装置被折叠的实施方式的透视图。
[0013]
图4是示意性地示出显示装置的实施方式的剖面图。
[0014]
图5是图4的显示装置的平面图。
[0015]
图6是示出图5中所示的像素的电路结构的实施方式的等效电路图。
[0016]
图7是示出包括图6中所示的发射元件的显示装置的一部分的实施方式的放大剖面图。
[0017]
图8是图4中所示的输入感测部的实施方式的平面图。
[0018]
图9是示出图8中所示的第一传感器部和第二传感器部的平面结构的实施方式的放大平面图。
[0019]
图10是沿图9的线i-i'截取的放大剖面图。
[0020]
图11是图8的第一区a1的放大平面图。
[0021]
图12是示出包括图11的第一像素区、第二像素区和第三像素区的显示装置的一部分的实施方式的放大剖面图。
[0022]
图13是示出图12中所示的突出部的平面结构的实施方式的放大平面图。
[0023]
图14是示出相对于图12的突出部的掩模的实施方式的放大剖面图。
[0024]
图15和图16是示出突出部的经修改的平面结构的实施方式的放大平面图。
[0025]
图17至图21是示出显示装置的制造方法的实施方式的放大剖面图。
[0026]
图22至图24是示出显示装置的经修改的实施方式的放大剖面图。
[0027]
应注意，这些图旨在示出在实施方式中所利用的方法、结构和/或材料的一般特性，并且旨在补充下文中提供的书面描述。然而，这些附图将不按比例绘制，并且可能不会精确地反映任何给定实施方式的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制实施方式所包含的值的范围或属性。例如，为了清楚起见，分子、层、区和/或结构元件的相对厚度和位置可被减小或放大。相似或相同的附图标记在各个附图中的使用旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
[0028]
将参照示出了实施方式的附图对本发明的实施方式进行更加全面的描述。然而，本发明的实施方式可以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文中所阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将实施方式的概念完整地传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，层和区的厚度被放大了。在附图中相似的附图标记表示相似的元件，并因此它们的描述将被省略。
[0029]
将理解，当元件被称为与另一元件相关时，诸如“连接到”或“联接到”另一元件时，该元件可直接连接到或联接到另一元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称为与另一元件相关时，诸如“直接连接到”或“直接联接到”另一元件时，则不存在中间元件。
[0030]
如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其它词应以相似的样式解释(例如，“在...之间”与“直接在...之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在...上”与“直接在...上”)。
[0031]
将理解，尽管措辞“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或者部分可被称为第二元件、部件、区、层或者部分，而不背离示例性实施方式的教导。
[0032]
空间相对措辞诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”和“上(upper)”等可在本文中为了描述的便利而用于描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解，除了附图中刻画的取向以外，空间相对措辞旨在包括在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“之下(beneath)”的元件将随后被取向为在其它元件或特征上方。因此，示例性措辞“下方”可包含上方和下方这两者的取向。装置可以其它方式取向(旋转90度或者在其它取向处)，并且本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
[0033]
本文中所使用的术语是仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在对示例性实施方式进行限制。除非上下文明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。还将理解，措辞“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”，如果在本文中使用，则具体指示所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。
[0034]
本文中参照剖面图的图示对本发明的实施方式进行了描述，而该剖面图的图示是多个实施方式中的理想化实施方式(和中间结构)的示意性图示。就其本身而言，作为例如制备技术和/或公差的结果的图示的形状的变化将被预期。因此，本发明的实施方式不应被解释为限于本文中所示出的区的特定形状，而将包括例如制备而导致的形状上的偏差。
[0035]
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明的实施方式所属技术领域的普通技术人员中的一员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在本文中明确地如此限定，否则诸如常用词典中限定的那些的术语应被解释为具有与在相关领域的上下文中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释。
[0036]
为了制造有机发光显示装置，限定有像素开口的像素限定层布置在衬底上，并且发射元件设置在像素开口中。发射元件包括有机发射层，并且用于形成有机发射层的有机材料设置在像素开口中。开口限定为与像素开口对应的掩模布置在限定像素开口的像素限定层上，并且有机材料通过掩模的开口设置在像素限定层的像素开口中。掩模放置成与像素限定层的直接形成像素开口的一部分的顶表面接触，并且由像素限定层的这种部分支承。然而，由于掩模与像素限定层接触，因此像素限定层可能被掩模损坏。
[0037]
图1是示出显示装置dd的实施方式的透视图。图2和图3是示出折叠的图1的显示装
置dd的实施方式的透视图。
[0038]
参照图1，显示装置dd可具有矩形或四方的形状，该形状的较长边与第一方向dr1平行并且其较短边平行于与第一方向dr1相交的第二方向dr2。显示装置dd可布置在由彼此相交的第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面中。然而，本发明不限于这个实例，并且在实施方式中，显示装置dd可具有诸如圆形和其它多边形的各种形状。显示装置dd可为柔性显示装置。
[0039]
在下文中，与第一方向dr1和第二方向dr2这两者相交的方向将被称为第三方向dr3。显示装置dd和/或其各种部件的厚度可沿着第三方向dr3限定。此外，在本说明书中，表述“当在平面图中观察时”或“在平面图中”可意味着沿着第三方向dr3观察相关结构。
[0040]
显示装置dd的顶表面可限定为显示表面ds，并且可布置在与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的平面中。由显示装置dd生成的图像im可通过显示表面ds提供给用户。从显示装置dd的外部可看到显示在显示表面ds处的多于一个的图像im(例如，多个图像im)。
[0041]
显示表面ds可包括或限定显示区da和与显示区da相邻的非显示区nda。图像im可显示在显示区da中，而图像im可不显示在非显示区nda中。在平面图中，非显示区nda可布置成包围显示区da并且限定显示装置dd的边缘或外围。在实施方式中，具有特定颜色的印刷层或图案可诸如通过印刷而布置在非显示区nda处，但不限于此。
[0042]
显示装置dd可为可折叠显示装置，而该可折叠显示装置能够相对于像图1中的布置有显示装置dd的平面折叠或展开。显示装置dd可在各种方向上折叠。
[0043]
参照图2和图3，显示装置dd可沿着与第二方向dr2平行的第一折叠轴线fx1弯折和折叠。第一折叠轴线fx1可限定为与显示装置dd的较短边平行的较短轴线。另外，显示装置dd可沿着与第一方向dr1平行的第二折叠轴线fx2弯折和折叠。第二折叠轴线fx2可限定为与显示装置dd的较长边平行的较长轴线。
[0044]
显示装置dd可以外折方式折叠以使得显示表面ds暴露于外部。即，外折的显示装置dd(例如，图2和图3)将显示表面ds布置成面向显示装置dd的外部，而与显示表面ds相对的底表面的多个部分在显示装置dd的内侧处彼此面对。然而，本发明不限于这个实例，并且在实施方式中，显示装置dd可沿着第一折叠轴线fx1或第二折叠轴线fx2以内折方式折叠，以使得显示表面ds的多个部分在显示装置dd的内侧处彼此面对(例如，不布置成面向显示装置dd的外部)。
[0045]
图4是示意性地示出显示装置dd的实施方式的剖面图。
[0046]
参照图4，显示装置dd可包括显示面板dp、布置在显示面板dp上的输入感测部tsp(例如，输入感测层tsp)、布置在输入感测部tsp上的滤色器层cfl、布置在滤色器层cfl上的窗win以及布置在滤色器层cfl与窗win之间的诸如粘合元件oca的固定构件。
[0047]
在实施方式中，显示面板dp可为发光型显示面板，但是本发明不限于特定类型的显示面板dp。在实施方式中，例如，显示面板dp可为有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可由有机发光材料形成或包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可包括量子点或量子棒等。为了简单起见，接下来的描述将参照显示面板dp为有机发光显示面板的实例。
[0048]
显示面板dp可包括衬底sub、布置在衬底sub上的像素层pxl以及布置在衬底sub上
以覆盖像素层pxl的薄封装层tfe。衬底sub可为透明衬底，并且可包括柔性塑料衬底。在实施方式中，例如，衬底sub可包括聚酰亚胺(“pi”)。
[0049]
衬底sub可包括分别与显示装置dd的显示表面ds的那些区对应的显示区da和与显示区da相邻的非显示区nda。像素层pxl可布置在显示区da中。像素层pxl可包括多个像素px，而多个像素px中的每个包括发射元件oled(例如，发光元件)。
[0050]
薄封装层tfe可包括至少两个无机层和布置在无机层之间的有机层。无机层可包括无机材料并且可保护像素层pxl不受湿气或氧气的影响。有机层可包括有机材料，并且可保护像素层pxl不受诸如灰尘颗粒的污染材料的影响。
[0051]
输入感测部tsp可感测外部输入(例如，来自显示装置dd的外部的触摸事件)，可从感测到的外部输入生成输入信号，并且可将输入信号提供给显示面板dp。输入感测部tsp可包括用于感测外部输入的多个传感器部。输入感测部tsp可限定为触摸感测部。将参照图8对传感器部的详细结构进行描述。
[0052]
传感器部可以电容方式感测外部输入。显示面板dp可从输入感测部tsp接收输入信号，并且可生成与输入信号对应的图像im。
[0053]
滤色器层cfl可包括多个滤色器。多个滤色器中的每个可将入射到其的光的颜色转换为滤色器的颜色。将参照图12对滤色器的详细结构进行描述。
[0054]
窗win可保护显示面板dp和输入感测部tsp免受外部刮擦和外部冲击的影响。窗win可通过粘合元件oca附接到输入感测部tsp。粘合元件oca可包括光学透明粘合剂。由显示面板dp产生的图像可通过窗win提供给用户。窗win的顶表面可作为显示装置dd的显示表面ds，但不限于此。
[0055]
图5是图4的显示装置dd的平面图。
[0056]
图5示例性地示出了显示面板dp的平面结构，但是省略了输入感测部tsp、滤色器层cfl和窗win的平面结构。
[0057]
参照图5，显示装置dd可包括显示面板dp、扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射驱动器edv。扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射驱动器edv中的任一个可被称为显示装置dd的“驱动器”。
[0058]
显示面板dp可为柔性显示面板。在实施方式中，例如，显示面板dp可包括布置在柔性衬底上的多个电子装置。显示面板dp可具有矩形形状，该矩形形状的较长边平行于第一方向dr1并且该矩形形状的较短边平行于第二方向dr2，但是本发明不限于显示面板dp的这种形状。与上面针对显示装置dd的显示表面ds所描述的相似的，显示面板dp可包括显示区da和包围显示区da的非显示区nda，并且不限于此。
[0059]
显示面板dp可包括设置为多个的像素px(例如，多个像素px)、设置为多个的扫描线(例如，多个扫描线sl1至slm)、设置为多个的数据线(例如，多个数据线dl1至dln)以及设置为多个的发射线(例如，多个发射线el1至elm)，其中，m和n是自然数。像素px可布置在显示区da中，并且可连接到多个扫描线sl1至slm、多个数据线dl1至dln和多个发射线el1至elm。
[0060]
扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射驱动器edv可布置在非显示区nda中。扫描驱动器sdv和发射驱动器edv可分别布置成与显示面板dp的较长边相邻。数据驱动器ddv可以集成电路芯片形式制备，并且可布置成与显示面板dp的较短边中的一个相邻。
[0061]
多个扫描线sl1至slm可沿着第二方向dr2纵向延伸，并且可连接到扫描驱动器sdv。多个数据线dl1至dln可沿着第一方向dr1纵向延伸，并且可连接到数据驱动器ddv。多个发射线el1至elm可沿着第二方向dr2纵向延伸，并且可连接到发射驱动器edv。
[0062]
扫描驱动器sdv可产生诸如多个扫描信号的多个电信号中的一个或多个，并且多个扫描信号可通过多个扫描线sl1至slm施加到多个像素px。多个扫描信号可顺序地施加到多个像素px。数据驱动器ddv可产生诸如多个数据电压的多个电信号中的一个或多个，并且多个数据电压可通过多个数据线dl1至dln施加到多个像素px。发射驱动器edv可产生诸如多个发射信号的多个电信号中的一个或多个，并且多个发射信号可通过多个发射线el1至elm施加到多个像素px。即，显示区da可连接到非显示区nda，并且由从非显示区nda提供的电信号来驱动和/或控制。
[0063]
显示装置dd还可包括用于控制扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射驱动器edv的操作的时序控制器(未示出)。
[0064]
时序控制器可响应于从时序控制器和/或显示面板dp的外部传输的诸如多个控制信号的多个电信号中的一个或多个来产生扫描控制信号、数据控制信号和发射控制信号。时序控制器可从外部接收诸如多个图像信号的多个电信号中的一个或多个，可将多个图像信号转换为适合于数据驱动器ddv所要求的接口规格的数据格式，并且可将经转换的数据提供给数据驱动器ddv。
[0065]
扫描驱动器sdv可响应于扫描控制信号而产生扫描信号，并且发射驱动器edv可响应于发射控制信号而产生发射信号。数据驱动器ddv可响应于数据控制信号而接收经转换的数据格式的图像信号，且然后可生成与图像信号对应的数据电压。
[0066]
像素px可响应于扫描信号而接收数据电压。像素px可响应于发射信号而发射具有与数据电压对应的亮度水平并且构成图像的光。像素px的发光时间可由发射信号来控制。
[0067]
图6是示出图5中所示的像素px的电路结构的实施方式的等效电路图。
[0068]
参照图6，像素px可包括发射元件oled和像素电路cc。像素电路cc可包括设置为多个的晶体管(例如，多个晶体管t1至t7)和电容器cp。像素电路cc可连接到发射元件oled，以便响应于数据电压来控制流过发射元件oled的电流量。
[0069]
发射元件oled可发射光，且该光的亮度由从像素电路cc供给的电流量来确定。为此，第一电压elvdd可设置为比第二电压elvss的电平高的电平。
[0070]
多个晶体管t1至t7中的每个可包括输入或源电极、输出或漏电极以及控制或栅电极ge。在本说明书中，为了描述的便利，输入电极和输出电极中的一个可被称为“第一电极”，而另一个可被称为“第二电极”。
[0071]
第一晶体管t1的第一电极可通过第五晶体管t5联接到施加有第一电压elvdd的电源线pl，并且第二电极可通过第六晶体管t6联接到发射元件oled的阳极。第一晶体管t1可限定为驱动晶体管。第一晶体管t1可基于施加到第一晶体管t1的控制电极的电压来控制流过发射元件oled的电流量。
[0072]
第二晶体管t2可布置在数据线dl与第一晶体管t1的第一电极之间并且联接到数据线dl和第一晶体管t1的第一电极，并且第二晶体管t2的控制电极可联接到第i扫描线sli。如果第二晶体管t2由通过第i扫描线sli提供的第i扫描信号而导通，则数据线dl可电连接到第一晶体管t1的第一电极。
[0073]
第三晶体管t3可布置在第一晶体管t1的第二电极与控制电极之间并且联接到第一晶体管t1的第二电极和控制电极。第三晶体管t3的控制电极可联接到第i扫描线sli。如果第三晶体管t3由通过第i扫描线sli提供的第i扫描信号而导通，则第一晶体管t1的第二电极和控制电极可彼此电连接。即，如果第三晶体管t3导通，则第一晶体管t1可起到二极管的作用。
[0074]
第四晶体管t4可布置在节点nd与初始化电源生成器(未示出)之间并且联接到节点nd和初始化电源生成器(未示出)。第四晶体管t4的控制电极可联接到第(i-1)扫描线sli-1。如果第四晶体管t4由通过第(i-1)扫描线sli-1提供的第(i-1)扫描信号而导通，则初始化电压vint可提供给节点nd。
[0075]
第五晶体管t5可布置在电源线pl与第一晶体管t1的第一电极之间并且联接到电源线pl和第一晶体管t1的第一电极。第五晶体管t5的控制电极可联接到第i发射线eli。
[0076]
第六晶体管t6可布置在第一晶体管t1的第二电极与发射元件oled的阳极之间并且联接到第一晶体管t1的第二电极和发射元件oled的阳极。第六晶体管t6的控制电极可联接到第i发射线eli。
[0077]
第七晶体管t7可布置在初始化电源生成器(未示出)与发射元件oled的阳极之间并且联接到初始化电源生成器(未示出)和发射元件oled的阳极。第七晶体管t7的控制电极可联接到第(i+1)扫描线sli+1。如果第七晶体管t7由通过第(i+1)扫描线sli+1提供的第(i+1)扫描信号而导通，则初始化电压vint可提供给发射元件oled的阳极。
[0078]
电容器cp可布置在电源线pl与节点nd之间。电容器cp可存储数据电压。当第五晶体管t5和第六晶体管t6导通时，流经第一晶体管t1的电流量可由存储在电容器cp中的电压来控制。
[0079]
图6示出了pmos晶体管用作多个晶体管t1至t7的实例，但是本发明不限于这个实例。在实施方式中，例如，多个晶体管t1至t7可为nmos晶体管。
[0080]
图7是示出显示装置dd的布置有图6中所示的发射元件oled的一部分的实施方式的放大剖面图。参照图4和图7，显示装置dd的该部分可为显示面板dp的像素px，但不限于此。
[0081]
参照图7，像素px可包括发射元件oled和连接到发射元件oled的晶体管tr。发射元件oled可包括第一电极e1、第二电极e2和布置在第一电极e1与第二电极e2之间的有机发射层oel。晶体管tr可为图6中所示的第六晶体管t6。发射元件oled可限定为有机发光元件或发光元件。
[0082]
第一电极e1可为阳极，并且第二电极e2可为阴极。第一电极e1可限定为像素电极，并且第二电极e2可限定为公共电极。
[0083]
像素px可划分为像素区pa和与像素区pa相邻的非像素区npa。发射元件oled可布置在像素区pa中，并且晶体管tr可布置在非像素区npa中。像素区pa可为生成和/或发射光的发光区。光可不在非像素区npa处发射，但不限于此。
[0084]
晶体管tr和发射元件oled可布置在衬底sub上。缓冲层bfl可布置在衬底sub上，并且在实施方式中，缓冲层bfl可由无机材料形成或包括无机材料。
[0085]
晶体管tr的半导体层sm可布置在缓冲层bfl上。半导体层sm可由诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体材料或有机半导体材料形成或包括诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体
材料或有机半导体材料。在实施方式中，半导体层sm可由氧化物半导体材料形成或包括氧化物半导体材料。虽然未在图7中示出，但是半导体层sm可包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
[0086]
第一绝缘层ins1可布置在缓冲层bfl上以覆盖半导体层sm。第一绝缘层ins1可包括无机材料。晶体管tr的栅电极ge可在第一绝缘层ins1上布置成与半导体层sm重叠。栅电极ge可布置成与半导体层sm的沟道区重叠。
[0087]
第二绝缘层ins2可布置在第一绝缘层ins1上以覆盖栅电极ge。第二绝缘层ins2可包括有机材料和/或无机材料。
[0088]
晶体管tr的源电极se和漏电极de可在第二绝缘层ins2上布置成彼此间隔开。源电极se可通过限定在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2中的第一接触孔ch1或在第一接触孔ch1处连接到半导体层sm的源区。漏电极de可通过限定在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2中的第二接触孔ch2或在第二接触孔ch2处连接到半导体层sm的漏区。
[0089]
平坦化绝缘层p_is可在第二绝缘层ins2上布置成覆盖晶体管tr的源电极se和漏电极de。平坦化绝缘层p_is可提供平坦的顶表面。平坦化绝缘层p_is可包括在第二绝缘层ins2上布置成覆盖晶体管tr的源电极se和漏电极de的第一平坦化绝缘层p_is1以及布置在第一平坦化绝缘层p_is1上的第二平坦化绝缘层p_is2。
[0090]
第一平坦化绝缘层p_is1和第二平坦化绝缘层p_is2中的每个可由有机材料形成或包括有机材料。第一平坦化绝缘层p_is1和第二平坦化绝缘层p_is2可由相同的有机材料形成或包括相同的有机材料。然而，本发明不限于这个实例，并且在实施方式中，第一平坦化绝缘层p_is1和第二平坦化绝缘层p_is2可由彼此不同的有机材料形成或包括彼此不同的有机材料。第二平坦化绝缘层p_is2可包括光敏聚酰亚胺(“pspi”)。
[0091]
第一电极e1可布置在平坦化绝缘层p_is上。第一电极e1可通过限定在平坦化绝缘层p_is中的第三接触孔ch3或在第三接触孔ch3处连接到晶体管tr的漏电极de。第三接触孔ch3可限定在第一平坦化绝缘层p_is1和第二平坦化绝缘层p_is2中。
[0092]
像素限定层pdl(例如，像素限定图案pdl)可在第一电极e1和平坦化绝缘层p_is上布置成将第一电极e1的一部分暴露到像素限定层pdl的外部。像素限定层pdl可与非像素区npa重叠或对应于非像素区npa。像素开口px_op(参照图12)可在像素限定层pdl中限定以及由像素限定层pdl限定，以便在与像素区pa重叠或对应的区中将第一电极e1的该部分暴露于像素限定层pdl的外部。
[0093]
第二平坦化绝缘层p_is2的突出部prt可布置在非像素区npa中。即，像素区pa中的第二平坦化绝缘层p_is2可延伸到非像素区npa并且限定突出部prt。突出部prt可设置为延伸过像素限定层pdl的厚度，并且可延伸到比像素限定层pdl高的水平。将参照图12对突出部prt的结构进行更详细的描述。
[0094]
有机发射层oel可布置在像素开口px_op中以及在第一电极e1上。有机发射层oel可生成红色光、绿色光和蓝色光中的一种。然而，本发明不限于这个实例，并且有机发射层oel可通过生成红色光、绿色光和蓝色光的有机材料的组合来生成白色光。
[0095]
第二电极e2可布置在像素区pa和非像素区npa中的每个中，诸如在像素限定层pdl、有机发射层oel和突出部prt中的每个上并且对于像素限定层pdl、有机发射层oel和突出部prt中的每个是公共的。
[0096]
薄封装层tfe可布置在像素限定层pdl、发射元件oled和突出部prt上。薄封装层tfe可布置在第二电极e2上。作为衬底sub与薄封装层tfe之间的上述的各个层的集合的层可限定为像素层pxl(参照图4)。
[0097]
第一电压elvdd可施加到第一电极e1，并且第二电压elvss可施加到第二电极e2。在空穴和电子注入到有机发射层oel中的情况下，空穴和电子可被重新结合以产生激子，并且当激子跃迁至基态时，可由发射元件oled发射光。发射元件oled可通过使用流过其中的电流来发射构成提供给显示面板dp和/或显示装置dd的外部的图像im的一部分的红色光、绿色光或蓝色光。
[0098]
图8是图4中所示的输入感测部tsp的实施方式的平面图。
[0099]
参照图8，输入感测部tsp可包括设置为多个的感测电极(例如，多个感测电极se1和se2)、设置多个的线(例如，多个线snl1和snl2)以及设置为多个的焊盘(例如，多个焊盘pd)。多个感测电极se1和se2、多个线snl1和snl2以及多个焊盘pd可布置在薄封装层tfe上。
[0100]
当在平面图中观察时，输入感测部tsp可包括有效区aa和与有效区aa相邻的非有效区naa。多个感测电极se1和se2可布置在有效区aa中，并且焊盘pd可布置在非有效区naa中。多个线snl1和snl2可连接到多个感测电极se1和se2，并且可延伸到非有效区naa以与焊盘pd连接。
[0101]
虽未示出，但是焊盘pd可连接到用于驱动输入感测部tsp的驱动器，诸如通过柔性印刷电路板(未示出)。
[0102]
多个感测电极se1和se2可包括设置为多个的第一感测电极se1(例如，多个第一感测电极se1，而多个第一感测电极se1沿着第一方向dr1纵向延伸并且沿着第二方向dr2排列)和设置为多个的第二感测电极se2(例如，多个第二感测电极se2，而多个第二感测电极se2沿着第二方向dr2纵向延伸并且沿着第一方向dr1排列)。多个线snl1和snl2可包括设置为多个的第一信号线snl1(例如，多个第一信号线snl1)和设置为多个的第二信号线snl2(例如，多个第二信号线snl2)，其中，设置为多个的第一信号线snl1连接到第一感测电极se1，设置为多个的第二信号线snl2连接到第二感测电极se2。
[0103]
多个第二感测电极se2可纵向延伸以与多个第一感测电极se1的多个长度相交，并且可与多个第一感测电极se1电断开。第一感测电极se1可限定为输出感测电极，并且第二感测电极se2可限定为输入感测电极。
[0104]
多个第一感测电极se1中的每个可包括设置为多个的第一传感器部sp1(例如，多个第一传感器部sp1，而多个第一传感器部sp1沿着第一方向dr1排列在单个第一感测电极se1中)和设置为多个的第一连接部cp1(例如，多个第一连接部cp1，而多个第一连接部cp1将多个第一传感器部sp1彼此连接)。多个第一连接部cp1中的每个可布置在对应的相邻的一对第一传感器部sp1之间以将该对应的相邻的一对第一传感器部sp1彼此电连接。
[0105]
多个第二感测电极se2中的每个可包括设置为多个的第二传感器部sp2(例如，多个第二传感器部sp2，而多个第二传感器部sp2沿着第二方向dr2排列在单个第二感测电极se2中)和设置为多个的第二连接部cp2(例如，多个第二连接部cp2，而多个第二连接部cp2将多个第二传感器部sp2彼此连接)。多个第二连接部cp2中的每个可布置在对应的相邻的一对第二传感器部sp2之间以将该对应的相邻的一对第二传感器部sp2彼此电连接。
[0106]
第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可具有网格形状，而该网格形状通过相交的
多个实心部和分别限定在它们之间的传感器开口来限定。在平面图中，第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可彼此间隔开，可不彼此重叠，并且可以交替方式布置。在平面图中，第二连接部cp2可与第一连接部cp1电断开，并且可布置成与第一连接部cp1相交。
[0107]
第一传感器部sp1和第二传感器部sp2以及第二连接部cp2可布置在设置在薄封装层tfe上的多个层之中的相同层中。第一连接部cp1可布置在与第一传感器部sp1和第二传感器部sp2以及第二连接部cp2的层不同的层中。由于在“相同层中”，因此多个元件可为相同材料层的各自的部分或图案。在实施方式中，“相同层”中的多个元件可在显示装置dd的制备中由相同的材料层设置和/或布置在距公共元件相同的距离处，但不限于此。
[0108]
多个第一信号线snl1可连接到多个第一感测电极se1的各自的端部(例如，终端或远端)，并且可延伸到非有效区naa以与多个焊盘pd连接。多个第二信号线snl2可连接到多个第二感测电极se2的各自的端部，并且可延伸到非有效区naa以与焊盘pd连接。
[0109]
图9是示出图8中所示的第一传感器部sp1和第二传感器部sp2的平面结构的示例性实施方式的放大平面图。图10是沿图9的线i-i'截取的放大剖面图。
[0110]
作为实例，图9示出了彼此相邻的一对第一传感器部sp1和彼此相邻的一对第二传感器部sp2。
[0111]
参照图9，第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可分别具有网格形状。在实施方式中，例如，第一传感器部sp1和第二传感器部sp2中的每个可包括作为第一分支部bp1的第一实心部以及作为第二分支部bp2的第二实心部，第一分支部bp1设置为多个(例如，多个第一分支部bp1)且沿着第一对角线方向ddr1延伸，第二分支部bp2设置为多个(例如，多个第二分支部bp2)且沿着第二对角线方向ddr2纵向延伸)。
[0112]
第一对角线方向ddr1可限定为在与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的平面中与第一方向dr1和第二方向dr2相交或相对于第一方向dr1和第二方向dr2倾斜的方向。第二对角线方向ddr2可为在与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的平面中与第一对角线方向ddr1相交或相对于第一对角线方向ddr1倾斜的方向。在实施方式中，例如，第一方向dr1和第二方向dr2可彼此垂直，并且第一对角线方向ddr1和第二对角线方向ddr2可彼此垂直。
[0113]
第一传感器部sp1和第二传感器部sp2中的每个的多个第一分支部bp1可设置为分别与多个第二分支部bp2相交并且可连接到多个第二分支部bp2，从而形成单个对象，诸如多个部分连续延伸以限定该单个对象的离散图案。菱形的开口top可由作为彼此相交的多个实心部的第一分支部bp1和第二分支部bp2限定。第一分支部bp1和第二分支部bp2的多个实心部可限定为多个网格线。网格线可限定长度和在与长度垂直的方向上获取的线宽。多个网格线中的每个的线宽可为几微米。
[0114]
多个第二传感器部sp2可通过第二连接部cp2彼此连接。在实施方式中，多个第二传感器部sp2和第二连接部cp2可彼此连接以形成单个对象。第二连接部cp2可具有网格形状并且可从多个第二传感器部sp2延伸。
[0115]
多个第一传感器部sp1可通过处于与多个第一传感器部sp1不同层中的第一连接部cp1彼此电连接。第一连接部cp1和多个第一传感器部sp1可不形成单个对象。第一连接部cp1可通过设置为多个的接触孔ts-ch(例如，多个接触孔ts-ch)或在设置为多个的接触孔ts-ch处连接到多个第一传感器部sp1。
[0116]
参照图10，第一连接部cp1可布置在薄封装层tfe上。第一绝缘层ts-il1可在薄封装层tfe上设置成覆盖第一连接部cp1。第二连接部cp2和第一传感器部sp1可布置在第一绝缘层ts-il1上。与第二连接部cp2一起形成单个对象的多个第二传感器部sp2也可布置在第一绝缘层ts-il1上。第二绝缘层ts-il2可布置在第一绝缘层ts-il1上以覆盖第二连接部cp2和多个第一传感器部sp1。
[0117]
第一连接部cp1可通过限定在第一绝缘层ts-il1中的多个接触孔ts-ch连接到多个第一传感器部sp1。第一连接部cp1的相对的部分或相对的端部可分别通过多个接触孔ts-ch连接到多个第一传感器部sp1。
[0118]
图11是图8的第一区a1的放大平面图。
[0119]
提供图11以描述像素px的相对于输入感测部tsp的特征的平面形状。为了便于描述，在图11中示出了像素px的平面形状以及第一传感器部sp1和第二传感器部sp2。
[0120]
参照图11，图5的多个像素px可包括图11中所示的设置为多个的像素区pa(例如，多个像素区pa)和位于像素区pa周围的非像素区npa。图7的像素区pa可为图11中所示的多个像素区pa中的一个。
[0121]
多个像素区pa可包括第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3。第一像素区pa1可显示红色，第二像素区pa2可显示绿色，并且第三像素区pa3可显示蓝色。然而，本发明不限于这个实例，并且在实施方式中，像素区pa还可包括配置成显示品红色、青色和/或白色的像素。
[0122]
多个像素区pa中的每个的平面大小或尺寸可依据从像素px发射的光的颜色而变化。在实施方式中，例如，显示红色光的第一像素区pa1可大于显示绿色光的第二像素区pa2，并且显示蓝色光的第三像素区pa3可大于显示红色光的第一像素区pa1。
[0123]
在平面图中，像素区pa可具有菱形形状，但是本发明不限于这个实例。即，像素区pa可具有各种平面形状(例如，圆形和其它多边形的形状)。多个像素区pa可沿着第一对角线方向ddr1和/或第二对角线方向ddr2排列。
[0124]
第一传感器部sp1和第二传感器部sp2可与非像素区npa重叠。多个开口top中的每个可具有与像素区pa的形状对应的形状(例如，菱形形状)，并且可具有与像素区pa的大小对应的大小或尺寸。
[0125]
像素区pa可限定为发射区(例如，发光区)，并且非像素区npa可限定为非发射区。由于第一传感器部sp1和第二传感器部sp2布置在非像素区npa中，因此在像素区pa中生成的光可发射到输入感测部tsp的外部，而不受第一传感器部sp1和第二传感器部sp2的影响。
[0126]
图12是示出显示装置dd的布置有图11的第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3的一部分的实施方式的放大剖面图。
[0127]
为了示出的便利，在图12中，第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3被示出为具有相同的大小，并且输入感测部tsp被示出为单层。另外，滤色器层cfl和窗win与显示面板dp一起被示出。由于在上面描述了晶体管tr和发射元件oled的结构，因此将省略或减少其描述。
[0128]
参照图12，衬底sub可包括第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3以及与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3中的每个相邻地设置的非像素区npa。图7中所示的像素区pa可为第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3中的一个。
[0129]
设置为多个的晶体管tr(例如，多个晶体管tr)可布置在衬底sub的非像素区npa中，并且设置为多个的发射元件oled(例如，多个发射元件oled)可分别布置在多个像素开口px_op之中的像素开口px_op中。发射元件oled可通过第三接触孔ch3连接到晶体管tr。
[0130]
像素限定层pdl可诸如通过具有黑色来阻挡光(例如，阻光构件)。由于像素限定层pdl为黑色的，因此像素限定层pdl可在非像素区npa中阻挡不必要的光，并且可减少或有效地防止由多个发射元件oled分别生成的多个光彼此混合。
[0131]
平坦化绝缘层p_is可布置在衬底sub上以覆盖晶体管tr。平坦化绝缘层p_is的突出部prt可与非像素区npa重叠并且可朝向薄封装层tfe向上突出。在实施方式中，例如，突出部prt可穿透像素限定层pdl并且可延伸到比像素限定层pdl更高的水平。即，突出部prt的距衬底sub最远的顶表面可位于比像素限定层pdl的距衬底sub最远的顶表面高的水平处。
[0132]
平坦化绝缘层p_is可包括布置在衬底sub上以覆盖晶体管tr的第一平坦化绝缘层p_is1以及布置在第一平坦化绝缘层p_is1上的第二平坦化绝缘层p_is2。第二平坦化绝缘层p_is2可将突出部prt限定为穿透像素限定层pdl并且延伸到比像素限定层pdl高的水平。
[0133]
在沿着衬底sub的方向(例如，图12中的水平线)上，突出部prt可具有比限定在第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3之间的非像素区npa小的宽度。另外，在两个相邻像素区之间的非像素区npa的单个部分处，突出部prt可具有比像素限定层pdl的总宽度小的宽度。
[0134]
输入感测部tsp可布置在薄封装层tfe上，滤色器层cfl可布置在输入感测部tsp上，并且窗win可布置在滤色器层cfl上。滤色器层cfl可包括设置为多个的滤色器cf以及与非像素区npa对应的黑色矩阵bm，其中，滤色器层cfl包括分别与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3对应的多个滤色器cf1、cf2和cf3。
[0135]
多个滤色器cf1、cf2和cf3可具有分别与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3对应于的多个颜色。黑色矩阵bm可为黑色的，并因此，黑色矩阵bm可在非像素区npa中阻挡光(例如，阻光构件)。
[0136]
多个滤色器cf1、cf2和cf3可包括与第一像素区pa1重叠且与第一像素区对应以及具有红色的第一滤色器cf1、与第二像素区重叠且与第二像素区pa2对应以及具有绿色的第二滤色器cf2和与第三像素区pa3重叠且与第三像素区pa3对应以及具有蓝色的第三滤色器cf3。
[0137]
第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可将入射到滤色器层cfl的外部光分别转换为红色光、绿色光和蓝色光。在实施方式中，例如，从显示装置dd的外部朝向显示装置dd提供的外部光可分别通过第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3转换为红色光、绿色光和蓝色光。因此，即使当外部光提供给显示装置dd时，也可在与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3对应的第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3处显示红色、绿色和蓝色。
[0138]
第三绝缘层ins3可布置在多个滤色器cf1、cf2和cf3以及黑色矩阵bm上，并且粘合元件oca可布置在第三绝缘层ins3上。
[0139]
图13是示出图12中所示的突出部prt的平面结构的实施方式的放大平面图。
[0140]
图13示出了显示面板dp的布置有九个像素区pa的区的平面结构，并且为了示出和
描述的便利，多个像素区pa被示出为具有相同的大小。
[0141]
参照图13，突出部prt可包括设置为多个的第一突出部prt1(例如，多个第一突出部prt1)和设置为多个的第二突出部prt2(例如，多个第二突出部prt2)，其中，当在平面图中观察时，设置为多个的第一突出部prt1和设置为多个的第二突出部prt2纵向延伸以彼此相交。多个第一突出部prt1可沿着第一对角线方向ddr1纵向延伸，并且可沿着第二对角线方向ddr2排列。多个第二突出部prt2可沿着第二对角线方向ddr2纵向延伸，并且可沿着第一对角线方向ddr1排列。多个第一突出部prt1和多个第二突出部prt2可彼此连接以形成单个对象。像素限定层pdl可设置为位于突出部prt周围的离散图案。
[0142]
图14是示出相对于图12的突出部布置的掩模msk的实施方式的放大剖面图。
[0143]
图14示出了像素限定层pdl的一部分和突出部prt的一部分，且在显示面板dp的初始结构内，该像素限定层pdl的一部分和该突出部prt的一部分与第一像素区pa1相邻。制备显示装置dd的方法的实施方式可包括：提供包括像素限定层pdl、突出部prt、第一像素区pa1和前述特征的各自的元件的显示面板dp。
[0144]
参照图14，限定有开口op的掩模msk可布置在示面板dp的初始结构上以与其突出部prt对应。开口op可与第一像素区pa1重叠且与第一像素区pa1对应。掩模msk可与突出部prt的顶表面接触。用于形成有机发射层oel的有机材料om可通过开口op设置到第一电极e1上，而第一电极e1由像素限定层pdl的像素开口px_op暴露到像素限定层pdl的外部。
[0145]
即使掩模msk可与突出部prt接触，掩模msk也可在向上的方向上(例如，沿着显示面板dp的厚度方向)与像素限定层pdl间隔开。即，掩模msk可不与像素限定层pdl直接接触，并因此可减少或有效地防止对像素限定层pdl的损坏。
[0146]
再次参照图14，像素限定层pdl的侧壁限定像素开口px_op。通过将距衬底sub最远的突起(例如，图14中的突出部prt)的顶表面布置成比像素限定层pdl的部分的顶表面距离衬底sub远(该像素限定层pdl的部分距像素开口px_op最近且在像素开口px_op处限定侧壁)，可减少或有效地防止对在像素开口px_op处限定侧壁的像素限定层pdl的部分的损坏。
[0147]
图15和图16是示出突出部prt的经修改的平面结构的实施方式的放大平面图。
[0148]
图15和图16中的每个示出了与图13中所示的部分对应的部分的平面图。
[0149]
在图13中，突出部prt被示出为包括在第一对角线方向ddr1和第二对角线方向ddr2中的每个上延伸的多个纵向部分，但本发明不限于此。在实施方式中，例如，突出部prt可由仅在第一对角线方向ddr1和第二对角线方向ddr2中的一个上纵向延伸的多个部分限定。
[0150]
在实施方式中，例如，如图15中所示，突出部prt_1可包括多个第一突出部prt1_1，其中，多个第一突出部prt1_1中的每个沿着第一对角线方向ddr1纵向延伸并且多个第一突出部prt1_1中沿着第二对角线方向ddr2排列。
[0151]
替代性地，如图16中所示，突出部prt_2可包括多个第一突出部prt1_2，其中，多个第一突出部prt1_2中的每个沿着第二对角线方向ddr2纵向延伸并且多个第一突出部prt1_2沿着第一对角线方向ddr1排列。
[0152]
图17至图21是示出制造显示装置的方法的实施方式的放大剖面图。
[0153]
为了描述中的便利，图17至图21中的每个示出了与图12中所示的显示装置dd的部分对应的部分的剖面。
[0154]
参照图17，可提供布置有晶体管tr和第一平坦化绝缘层p_is1的衬底sub。衬底sub可包括第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3以及与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3中的每个相邻地设置的非像素区npa。第三接触孔ch3的下部可限定在第一平坦化绝缘层p_is1中。
[0155]
第一光致抗蚀剂层pr1可设置在第一平坦化绝缘层p_is1上。第一光致抗蚀剂层pr1可用于形成第二平坦化绝缘层p_is2和突出部prt。为了示出的便利，在图17的显示装置dd中，用虚线刻画了与第二平坦化绝缘层p_is2和突出部prt的形状对应的部分。
[0156]
第一光致抗蚀剂层pr1可包括第一部分pt1以及设置为多个的第二部分pt2(例如，多个第二部分pt2，而该多个第二部分pt2与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3重叠且与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3对应)，而第一部分pt1与非像素区npa重叠且与非像素区npa对应。第一部分pt1可为第一光致抗蚀剂层pr1的将形成突出部prt的区，并且可沿着衬底sub具有比非像素区npa的宽度小的宽度。
[0157]
第二部分pt2可限定为第一光致抗蚀剂层pr1的除第一部分pt1以外的其余部分。第三接触孔ch3可与第二部分pt2对应地形成。在下文中，为了描述的便利，将对多个第二部分pt2中的一个和与该多个第二部分pt2中的一个相关联的元件进行描述。
[0158]
半色调掩模hmk可布置在第一光致抗蚀剂层pr1上。第一开口op1可限定在半色调掩模hmk的一部分中，而半色调掩模hmk的该部分与在第二部分pt2内的第三接触孔ch3的位置重叠且对应。
[0159]
设置为多个的第二开口op2(例如，多个第二开口op2)可限定在半色调掩模hmk的除第一开口op1以外的与第二部分pt2重叠且对应的位置处。多个第二开口op2中的每个可具有比第一开口op1的大小或尺寸小的大小或尺寸，其中，大小或尺寸沿着衬底sub限定。半色调掩模hmk的与第一部分pt1重叠的一部分可为实心的(例如，无第一开口op1或第二开口op2)，以便阻挡光。
[0160]
在下文中，在平面图中第二部分pt2的与第一开口op1重叠的一部分可限定为第一子部分spt1，并且在平面图中第二部分pt2的与第一开口op1不重叠的一部分可限定为第二子部分spt2。
[0161]
曝光工艺可通过使用半色调掩模hmk来执行。由于半色调掩模hmk阻挡了曝光的光l入射到第一部分pt1上，因此第一光致抗蚀剂层pr1的第一部分pt1可不被曝光并且可保留在衬底sub上。第一光致抗蚀剂层pr1的第一子部分spt1可由经过第一开口op1的曝光的光l来曝光。第一光致抗蚀剂层pr1的第二子部分spt2可由经过第二开口op2的曝光的光l来曝光。
[0162]
由于多个第二开口op2中的每个的大小小于第一开口op1的大小，因此与第一光致抗蚀剂层pr1的第一子部分spt1相比，第一光致抗蚀剂层pr1的第二子部分spt2可被曝光得较少。在实施方式中，例如，第一光致抗蚀剂层pr1的第一子部分spt1的整个厚度可沿着第一光致抗蚀剂层pr1的厚度方向(例如，沿着第三方向dr3)曝光。第一光致抗蚀剂层pr1的第二子部分spt2的整个厚度可不沿着第一光致抗蚀剂层pr1的厚度方向(例如，沿着第三方向dr3)曝光，并且可仅曝光到沿着第一光致抗蚀剂层pr1的厚度的特定深度。
[0163]
第一光致抗蚀剂层pr1的曝光部分可由图17的虚线示例性地刻画。在实施方式中，例如，用符号“+”刻画的区可为第一光致抗蚀剂层pr1的曝光部分。第一光致抗蚀剂层pr1的
第二部分pt2的第二子部分spt2可曝光到第一深度dpt1。即，第二部分pt2的第一深度dpt1(例如，第一厚度)的去除限定了与第一部分pt1相邻的凹部。第一深度dpt1可位于第一光致抗蚀剂层pr1的第二部分pt2的垂直相对的两个表面(例如，顶表面和底表面)之间。相反，第一光致抗蚀剂层pr1的第二部分pt2的第一子部分spt1可从第一光致抗蚀剂层pr1的第二部分pt2的顶表面曝光到底表面。
[0164]
第一光致抗蚀剂层pr1的曝光部分可通过显影工艺去除。在实施方式中，例如，可去除第一光致抗蚀剂层pr1的第二部分pt2的从其顶表面到第一深度dpt1的一部分。另外，第一光致抗蚀剂层pr1的第二部分pt2的与第三接触孔ch3对应的第一子部分spt1可被整体地去除以形成第三接触孔ch3的上部，其中，第三接触孔ch3的上部与位于第一平坦化绝缘层p_is1中的其下部连接。
[0165]
如图18中所示，在通过显影工艺去除第一光致抗蚀剂层pr1的曝光部分中，可设置或形成由此限定的第二平坦化绝缘层p_is2和突出部prt。与非像素区npa中的平坦化绝缘层p_is的其余部分相比，非像素区npa中的突出部prt从衬底sub延伸得更远。第三接触孔ch3的上部可限定在第二平坦化绝缘层p_is2中。第一电极e1可设置为多个(例如，多个第一电极e1)，并且多个第一电极e1可通过多个第三接触孔ch3分别连接到多个晶体管tr，而多个第三接触孔ch3限定为延伸过第一平坦化绝缘层p_is1和第二平坦化绝缘层p_is2。
[0166]
参照图19，可在第二平坦化绝缘层p_is2上设置第二光致抗蚀剂层pr2。第二光致抗蚀剂层pr2可限定为像素限定层(“pdl”)形成层或像素限定材料层。
[0167]
第二光致抗蚀剂层pr2的布置在突出部prt上并且与突出部prt对应的一部分可限定为第一去除部rmp1，并且第二光致抗蚀剂层pr2的与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3重叠并且与第一像素区pa1、第二像素区pa2和第三像素区pa3对应的多个部分可限定为设置为多个的第二去除部rmp2(例如，多个第二去除部rmp2)。第二光致抗蚀剂层pr2的第一去除部rmp1和第二去除部rmp2可被去除，而第二光致抗蚀剂层pr2的其余部分保留在衬底sub上以形成像素限定层pdl。在沿着衬底sub的方向上，第二去除部rmp2与第一去除部rmp1间隔开，以使得第二光致抗蚀剂层pr2的其余部分布置在突出部与像素开口px_op之间并且限定像素开口px_op。
[0168]
参照图20，可通过第一去除部rmp1和第二去除部rmp2的去除来设置或形成像素限定层pdl。作为第一去除部rmp1的去除的结果，相对于诸如衬底sub的顶表面的公共元件，突出部prt可穿透像素限定层pdl并且可延伸到比像素限定层pdl更高的水平。作为第二去除部rmp2的去除的结果，像素开口px_op可限定在像素限定层pdl中。在像素开口px_op处，第一电极e1暴露于像素限定层pdl的外部。
[0169]
在穿透像素限定层pdl的突出部prt未由第二平坦化绝缘层p_is2的延伸部设置或形成的传统的显示装置dd中，附加的间隔物结构可布置在像素限定层pdl的顶表面上。参照图14，可在设置于像素限定层pdl的顶表面上的间隔物结构上布置掩模msk。在这种情况下，可能需要附加的掩模来形成间隔物结构，并且因为附加的掩模可为较贵的，因此附加的掩模的使用可能导致制造成本的增加。
[0170]
相反，根据本发明的一个或多个实施方式，在设置第二平坦化绝缘层p_is2的相同工艺中，可通过使用半色调掩模hmk来设置或形成突出部prt。即，不需要昂贵的掩模的附加使用，并因此降低显示装置dd的整体制造成本是可能的。
[0171]
参照图21，可在像素开口px_op中设置发射元件oled，并且可在发射元件oled上设置薄封装层tfe。虽然未在图21中示出，但是输入感测部tsp、滤色器层cfl和窗win可设置在薄封装层tfe上(参照图4)。
[0172]
图22至图24是示出显示装置dd的经修改的实施方式的放大剖面图。
[0173]
图22至图24中的每个示出了与图12对应的显示装置dd的一部分的放大剖面。下面的描述将着重于图22至图24的多个显示装置dd_1、dd_2和dd_3的与参照图12描述的显示装置dd的技术特征不同的技术特征，并且上面描述的元件将在不复述其重复描述的情况下由相同的附图标记来指示。
[0174]
参照图22，显示装置dd_1可包括子突出部sprt，其中，子突出部sprt与非像素区npa重叠并且与非像素区npa对应，并且为第一平坦化绝缘层p_is1的突起。作为第二平坦化绝缘层p_is2的突起的突出部prt可布置在子突出部sprt上。即，在非像素区npa中，由第一平坦化绝缘层p_is1限定的子突出部sprt与由第二平坦化绝缘层p_is2限定的突出部prt对齐。突出部prt可与图12中所示的突出部prt大致相同。在沿着衬底sub的方向上，子突出部sprt可具有比其中的非像素区npa和像素限定层pdl中的每个的宽度小的宽度。突出部prt和子突出部sprt可一起形成平坦化绝缘层p_is的突起。
[0175]
参照图23，显示装置dd_2可包括突出部prt_3，其中，突出部prt_3与非像素区npa重叠并且与非像素区npa对应，并且为第二平坦化绝缘层p_is2的突起。在沿着衬底sub的方向上，突出部prt_3可具有比其中的非像素区npa和像素限定层pdl_1(例如，像素限定图案pdl_1)中的每个的宽度小的宽度。
[0176]
在非像素区npa中，像素限定层pdl_1可布置在第二平坦化绝缘层p_is2及其突出部prt_3上。当在平面图中观察时，像素限定层pdl_1可包括与突出部prt_3的外围对应地布置的第一像素限定层pdl1_1以及与突出部prt_3对应地布置的第二像素限定层pdl1_2。即，在非像素区npa中，由第二平坦化绝缘层p_is2限定的突出部prt_3与由像素限定层pdl限定的第二像素限定层pdl1_2对齐。第二像素限定层pdl1_2可具有距衬底sub最远且处在比第一像素限定层pdl1_1的顶表面高的水平处的顶表面。突出部prt_3和像素限定层pdl_1可一起形成突起。
[0177]
再次参照图23，第一像素限定层pdl1_1的侧壁限定像素开口px_op。通过将突起(例如，第二像素限定层pdl1_2)的距衬底sub最远的顶表面布置成比最靠近像素开口px_op且在像素开口px_op处限定侧壁的第一像素限定层pdl1_1的顶表面更远离衬底sub，可减少或有效地防止对像素限定层pdl_1的在像素开口px_op处限定侧壁的部分的损坏。即，即使在像素限定层pdl_1形成突起的顶表面的情况下，掩模msk(参照图14)仍可悬挂在突起上以消除掩模msk与像素限定层pdl_1的在像素开口px_op处限定其侧壁的部分的直接或物理接触，从而减少或有效地防止侧壁处的像素限定层pdl_1受损。
[0178]
参照图24，显示装置dd_3可包括子突出部sprt_1，其中，子突出部sprt_1与非像素区npa重叠并且与非像素区npa对应，并且为第一平坦化绝缘层p_is1的突起。突出部prt_3和像素限定层pdl_1可与图23中所示的突出部prt_3和像素限定层pdl_1大致相同。即，在非像素区npa中，突出部prt_3与第二像素限定层pdl1_2和子突出部sprt_1这两者对齐。
[0179]
作为第二平坦化绝缘层p_is2的突起的突出部prt_3可布置在子突出部sprt_1上。在沿着衬底sub的方向上，子突出部sprt_1可具有比其中的非像素区npa和像素限定层pdl_
1中的每个的宽度小的宽度。
[0180]
根据本发明的一个或多个实施方式，掩模msk可悬挂在材料层(例如，平坦化绝缘层p_is)的突起上，而该材料层穿透像素限定层pdl并且将突起的顶表面布置在比像素限定层pdl高的水平处。相应地，消除了用于形成有机发射层oel的掩模msk与像素限定层pdl的直接或物理接触，从而减少或有效地防止像素限定层pdl受损。
[0181]
根据本发明的一个或多个实施方式，即使在像素限定层pdl形成突起的顶表面的情况下，掩模msk仍可悬挂在突起上以消除掩模msk与像素限定层pdl的在像素开口px_op处限定其侧壁的部分的直接或物理接触，从而减少或有效地防止侧壁处的像素限定层pdl受损。
[0182]
另外，用于形成平坦化绝缘层p_is的相同的掩模msk用于设置或形成与像素限定层pdl相邻的突起。即，不需要附加的昂贵的掩模，并因此降低制造成本是可能的。
[0183]
虽然已对本发明的实施方式进行了具体示出和描述，但是本领域普通技术人员中的一员将理解，在不背离随附的权利要求书的精神和范围的情况下，其中可在形式和细节上进行改变。